光刻胶行业具有极高的行业壁垒，因此在全球范围其行业都呈现寡头垄断的局面。光刻胶行业长年被日本和美国专业公司垄断。目前**大厂商就占据了全球光刻胶市场 87%的份额，行业集中度高。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半导体光刻胶中心技术亦基本被日本和美国企业所垄断，产品绝大多数出自日本和美国公司。整个光刻胶市场格局来看，日本是光刻胶行业的巨头聚集地。目前中国大陆对于电子材料，特别是光刻胶方面对国外依赖较高。所以在半导体材料方面的国产代替是必然趋势。电子束曝光的波长取决于电子能量，电子能量越高，曝光的波长越短。佛山真空镀膜服务
整个光刻显影过程中，TMAH没有同PHS发生反应。负性光刻胶的显影液。二甲苯。清洗液为乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。显影中的常见问题：a、显影不完全（Incomplete Development）。表面还残留有光刻胶。显影液不足造成；b、显影不够（Under Development）。显影的侧壁不垂直，由显影时间不足造成；c、过度显影（Over Development）。靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解，形成台阶。显影时间太长。硬烘方法：热板，100～130C（略高于玻璃化温度Tg），1～2分钟。目的：完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂（以免在污染后续的离子注入环境，例如DNQ酚醛树脂光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂）；硅片光刻实验室由于EUV技术具有如此短的波长，所有光刻中不需要再使用光学邻近效应校正（OPC）技术。
近年来，国产面板得到了突破性发展，但是很多上游原材料配套不足，供应链都在海外，导致成本高企，所以这也给了国产光刻胶一个机会。再加上国内晶圆代工近两年取得较大的进步，对国产光刻胶需求也在明显上升，这些都为国产光刻胶发展创造了良好的条件。另一个层面来讲，国产光刻胶需要**自主。虽然光刻胶的市场不大，但是有些产业的存在不仅*是能否赚钱的问题，而是出于战略需求。回顾去年日本断供韩国光刻胶事件，强大如韩国，依然被一个小小的光刻胶所卡死。所以应该有国产光刻胶的存在，保证自身的战略安全，这也是较近发改委为何会发文，要加快光刻胶、大尺寸硅片等领域实现突破的原因所在。
一般下游企业都有自己稳固的合作伙伴，对于他们来说，如果更换供应商，又会是一个相当长的验证周期，费时费力。综上所述，光刻胶产业的特殊属性，导致目前日本在这方面称霸全球，而鲜有挑战者。事实上，日本的光刻胶并非一出场就是领头，而是从青铜一步步爬上去的。光刻胶的雏形较早出现在200年前的法国，成长于美国，却在日本的手上得到了发扬，这其中有日本自身的努力，也和时代环境密不可分。由于当时80年代半导体工艺还主要处于微米级别，这种工艺用i线就足够，KrF光刻胶虽然先进，但是价格昂贵，并未得到普遍应用。MIT已经采用的电子束光刻技术分辨率将推进到9nm。
光刻胶若性能不达标会对芯片成品率造成重大影响。目前中国光刻胶国产化水平严重不足，重点技术差距在半导体光刻胶领域，有 2-3 代差距，随着下游半导体行业、LED及平板显示行业的快速发展，未来国内光刻胶产品国产化替代空间巨大。同时，国内光刻胶企业积极抓住中国晶圆制造扩产的百年机遇，发展光刻胶业务，力争早日追上国际先进水平，打进国内新建晶圆厂的供应链。光刻胶的国产化公关正在各方面展开，在面板屏显光刻胶领域，中国已经出现了一批有竞争力的本土企业。在半导体和面板光刻胶领域，尽管国产光刻胶距离国际先进水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中国已经有一批光刻胶企业陆续实现了技术突破。深紫外线坚膜使正性光刻胶树脂发生交联形成一层薄的表面硬壳，增加光刻胶的热稳定性。广州感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀
浸没式光刻机将朝着更高数值孔径发展，以满足更小光刻线宽的要求。佛山真空镀膜服务
光刻分辨率Resolution：0.18～0.25μm（一般采用了偏轴照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技术PSM_Phase Shift Mask增强）；套刻精度Overlay：65nm；产能Throughput：30～60wafers/hour（200mm）；视场尺寸Field Size：25×32mm；后烘方法：热板，110～130C,1分钟。目的：a、减少驻波效应；b、激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。显影方法：a、整盒硅片浸没式显影（Batch Development）。缺点：显影液消耗很大；显影的均匀性差；b、连续喷雾显影（Continuous Spray Development）/自动旋转显影（Auto-rotation Development）。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（100～500rpm）。佛山真空镀膜服务
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