EUV系统主要成像原理是光波波长为10～14nm的极端远紫外光波经过周期性多层膜反射镜投射到反射式掩模版上，通过反射式掩模版反射出的极紫外光波再通过由多面反射镜组成的缩小投影系统，将反射式掩模版上的集成电路几何图形投影成像到硅片表面的光刻胶中，形成集成电路制造所需要的光刻图形。目前EUV技术采用的曝光波长为13．5nm，由于其具有如此短的波长，所有光刻中不需要再使用光学邻近效应校正（OPC）技术，因而它可以把光刻技术扩展到32nm以下技术节点。2009年9月Intel首先次向世人展示了22nm工艺晶圆，称继续使用193nm浸没式光刻技术，并规划与EUV及EBL曝光技术相配合，使193nm浸没式光刻技术延伸到15和11nm工艺节点。EUV及EBL曝光技术相配合，使193nm浸没式光刻技术延伸到15和11nm工艺节点。ITO镀膜真空镀膜服务价格
在双重曝光工艺中，若光刻胶可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮挡的区域发生光化学反应，就可以节省一次刻蚀，一次涂胶和一次光刻胶清洗流程。下图左展示了一次不合格的双重曝光过程。由于在非曝光区域光刻胶仍然会接受到相对少量的光刻辐射，在两次曝光过程后，非曝光区域接受到的辐射有可能超过光刻胶的曝光阈值E0，而发生错误的光刻反应。非曝光区域的光刻胶在两次曝光后接受到的辐射能量仍然小于其曝光阈值E0，从这个例子可以看出，与单次曝光不同，双重曝光要求光刻胶的曝光阈值和光刻光源的照射强度之间的权衡。MEMS真空镀膜多少钱大体在10－6nm量级上，因而电子束光刻不受衍射极限的影响。
每颗芯片诞生之初，都要经过光刻机的雕刻，精度要达到头发丝的千分之一，如今，全世界能够生产光刻机的国家只有四个，中国成为了其中的一员，实现了从无到有的突破。光刻机又被称为：掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等。常用的光刻机是掩模对准光刻，所以它被称为掩模对准系统。它指的是通过将硅晶片表面上的胶整平，然后将掩模上的图案转移到光刻胶，将器件或电路结构暂时“复制”到硅晶片上的过程。它不是简单的激光器，但它的曝光系统基本上使用的是复杂的紫外光源。光刻机是芯片制造的中心设备之一，根据用途可分为几类：光刻机生产芯片；有光刻机包装；还有一款投影光刻机用在LED制造领域。
提高光刻技术分辨率的传统方法是增大镜头的NA或缩短波长，通常首先采用的方法是缩短波长。早在80年代，极紫外光刻技术就已经开始理论的研究和初步的实验，该技术的光源是波长为11～14nm的极端远紫外光，其原理主要是利用曝光光源极短的波长达到提高光刻技术分辨率的目的。由于所有的光学材料对该波长的光有强烈的吸收，所以只能采取反射式的光路。EUV系统主要由四部分组成，即反射式投影曝光系统、反射式光刻掩模版、极紫外光源系统和能用于极紫外的光刻涂层。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；
光刻胶旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line较厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。软烘方法：真空热板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；边缘光刻胶的去除：光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。ArF浸没式两次曝光技术已被业界认为是32nm节点较具竞争力的技术；辽宁材料刻蚀代工
半导体基片上如果有绝缘的介质膜，电子通过它时也会产生一定量的电荷积累。ITO镀膜真空镀膜服务价格
光刻分辨率Resolution：0.18～0.25μm（一般采用了偏轴照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技术PSM_Phase Shift Mask增强）；套刻精度Overlay：65nm；产能Throughput：30～60wafers/hour（200mm）；视场尺寸Field Size：25×32mm；后烘方法：热板，110～130C,1分钟。目的：a、减少驻波效应；b、激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。显影方法：a、整盒硅片浸没式显影（Batch Development）。缺点：显影液消耗很大；显影的均匀性差；b、连续喷雾显影（Continuous Spray Development）/自动旋转显影（Auto-rotation Development）。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（100～500rpm）。ITO镀膜真空镀膜服务价格
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