ArF浸没式两次曝光技术已被业界认为是32nm节点较具竞争力的技术；在更低的22nm节点甚至16nm节点技术中，浸没式光刻技术也具有相当大的优势。浸没式光刻技术所面临的挑战主要有：如何解决曝光中产生的气泡和污染等缺陷的问题；研发和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻胶的问题；研发折射率较大的光学镜头材料和浸没液体材料；以及有效数值孔径NA值的拓展等问题。针对这些难题挑战，国内外学者以及公司已经做了相关研究并提出相应的对策。浸没式光刻机将朝着更高数值孔径发展，以满足更小光刻线宽的要求。由于电子束直写光刻曝光效率低，主要用于实验室小样品纳米制造。黑龙江氧化硅材料刻蚀
近年来，国产面板得到了突破性发展，但是很多上游原材料配套不足，供应链都在海外，导致成本高企，所以这也给了国产光刻胶一个机会。再加上国内晶圆代工近两年取得较大的进步，对国产光刻胶需求也在明显上升，这些都为国产光刻胶发展创造了良好的条件。另一个层面来讲，国产光刻胶需要**自主。虽然光刻胶的市场不大，但是有些产业的存在不仅*是能否赚钱的问题，而是出于战略需求。回顾去年日本断供韩国光刻胶事件，强大如韩国，依然被一个小小的光刻胶所卡死。所以应该有国产光刻胶的存在，保证自身的战略安全，这也是较近发改委为何会发文，要加快光刻胶、大尺寸硅片等领域实现突破的原因所在。江西真空镀膜价格决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；
一般下游企业都有自己稳固的合作伙伴，对于他们来说，如果更换供应商，又会是一个相当长的验证周期，费时费力。综上所述，光刻胶产业的特殊属性，导致目前日本在这方面称霸全球，而鲜有挑战者。事实上，日本的光刻胶并非一出场就是领头，而是从青铜一步步爬上去的。光刻胶的雏形较早出现在200年前的法国，成长于美国，却在日本的手上得到了发扬，这其中有日本自身的努力，也和时代环境密不可分。由于当时80年代半导体工艺还主要处于微米级别，这种工艺用i线就足够，KrF光刻胶虽然先进，但是价格昂贵，并未得到普遍应用。
光刻胶国产代替是中国半导体产业的迫切需要；自从中美贸易摩擦依赖，中国大陆积极布局集成电路产业。在半导体材料领域，光刻胶作为是集成电路制程技术进步的“燃料”，是国产代替重要环节，也是必将国产化的产品。光刻是半导制程的中心工艺，对制造出更先进，晶体管密度更大的集成电路起到决定性作用。每一代新的光刻工艺都需要新一代的光刻胶技术相匹配。现在，一块半导体芯片在制造过程中一般需要进行10-50道光刻过程。其中不同的光刻过程对于光刻胶也有不一样的具体需求。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。
光刻涂底方法：气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性旋转涂胶方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；世界三大光刻机生产商浸没式光刻机样机都是在原有193nm干式光刻机的基础上改进研制而成。辽宁MEMS微纳加工
边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离而影响其它部分的图形。黑龙江氧化硅材料刻蚀
虽然g-line光刻胶和i-line 光刻胶使用的成分类似，但是其树脂和感光剂在微观结构上均有变化，因而具有不同的分辨率。G-line光刻胶适用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成电路制作，而i-line光刻胶使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成电路制作。此外，这两种光刻胶均可以用于液晶平板显示等较大面积电子产品的制作。90年代后半期，遵从摩尔定律的指引，半导体制程工艺尺寸开始缩小到0.35um（350nm）以下，因而开始要求更高分辨率的光刻技术。深紫外光由于波长更短，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源。黑龙江氧化硅材料刻蚀
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