制冷1834年，法国科学家帕尔帖发现了半导体制冷作用。帕尔帖原理又被称为是”帕尔贴效益“，就是将两种不同的导体充分运用起来，使用A和B组成的电路，通入直流电，在电路的接头处可以产生焦耳热，同时还会释放出一些其它的热量，此时就会发现，另一个接头处不是在释放热量，而是在吸收热量。这种现象是可逆的，只要对电流的方向进行改变，放热和吸热的运行就可以进行调节，电流的强度与吸收的热量和放出的热量之间存在正比例关系，与半导体自身所具备的性质也存在关系。由于金属材料的帕尔帖效应是相对较弱的，而半导体材料基于帕尔帖原理运行，所产生的效应也会更强一些，所以，在制冷的材料中，半导体就成为了主要的原料。 [8]驱动因素：先进制程迭代（如3nm/2nm）、AI/HPC需求增长、半导体产能扩张。静安区质量半导体耗材制定
密度：5.31g/cm3熔点：1238℃折射率：3.57相对介电常数：13.18电子亲和能：4.07 eV晶格能：5.65×10-10m禁带宽度：1.424e（300K）电子迁移率：8500 cm2/(V·s) （300 K）外观：黑灰色固体GaAs拥有一些较Si还要好的电子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时，GaAs会产生较少的噪音。也因为GaAs有较高的崩溃压，所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性，GaAs电路可以运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。GaAs曾用来做成甘恩二极管、微波二极管和耿氏二极管以发射微波。闵行区新型半导体耗材节能标准市场需求：国内晶圆厂扩产带动本土耗材需求，降低对进口依赖。
空穴在电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，称为空穴。在一般情况下，原子是电中性的。当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，原子的电中性便被破坏而显出带正电。在外电场的作用下，有空穴的原子可以吸引相邻原子中的价电子，填补这个空穴。同时，在失去了一个价电子的相邻原子的共价键中出现另一个空穴，它也可以由相邻原子中的价电子来递补，而在该原子中又出现一个空穴。如此继续下去，就好像空穴在运动。而空穴运动的方向与价电子运动的方向相反，因此，空穴运动相当于正电荷的运动。 [23]
功率电子：SiC/GaN器件：电动汽车、充电桩、智能电网中的高效电源转换。通信技术：射频芯片：5G基站、手机中的信号放大与滤波。光模块：数据中心高速光通信（如400G/800G模块）。技术趋势摩尔定律延续：先进制程（如3nm、2nm）持续推进，但面临物理极限挑战，转向三维集成（如Chiplet技术）。第三代半导体崛起：GaN、SiC在电动汽车、新能源领域加速渗透，预计2030年市场规模超100亿美元。量子计算与AI芯片：半导体材料（如超导量子比特）成为量子计算基础；AI芯片（如GPU、NPU）需求爆发。光刻胶：南大光电ArF光刻胶通过中芯国际验证，彤程新材KrF光刻胶市占率国内。
1958年，集成电路问世。1959年，赝势概念的提出，使得固体能带的计算大为简化。利用价电子态与原子**态正交的性质，用一个赝势代替真实的原子势，得到一个固体中价电子态满足的方程。用赝势方法得到了几乎所有半导体的比较精确的能带结构。1962年，半导体激光器发明。 [21]1968年，硅MOS（金属-氧化物-半导体）器件发明及大规模集成电路实现产业化大生产。 [21]1970年，超高真空表面能谱分析技术相继出现，开始了对半导体表面、界面物理的研究，其中包括:硅表面的7x7表面再构问题、金属与Ⅲ-V族化合物界面肖特基势垒形成起因、CoSi/硅和金属/硅界面性质、费米能级钉扎等问硅片：作为半导体器件的基础材料，通常为单晶硅片。闵行区新型半导体耗材节能标准
半导体的导电性可以通过掺杂（添加少量其他元素）来调节，从而使其具有不同的电学特性。静安区质量半导体耗材制定
1990年，英国的L.T.坎汉***在室温下观测到多孔硅的可见光光致发光，使人们看到全硅光电子集成技术的新曙光。纳米微粒，纳米固体与纳米薄膜材料开辟了材料研究的新领域。这类包含有大量表面或界面原子的新型功能材料具有许多独特的物理、化学和力学性能，被誉为21世纪**有前途的材料。 [21]2019年10月，一国际科研团队称与传统霍尔测量中*获得3个参数相比，新技术在每个测试光强度下**多可获得7个参数：包括电子和空穴的迁移率；在光下的载荷子密度、重组寿命、电子、空穴和双极性类型的扩散长度。 [4]静安区质量半导体耗材制定
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