双面对准光刻机采用底部对准（BSA）技术，能实现“双面对准，单面曝光”。该设备对准精度高，适用于大直径基片。在对准过程中，图形处理技术起到了至关重要的作用。其基本工作原理是将CCD摄像头采集得到的连续模拟图像信号经图像采集卡模块的D/A转换，变为数字图像信号，然后再由图像处理模块完成对数字图像信号的运算处理，这主要包括图像预处理、图像的分割、匹配等算法的实现。为有效提取对准标记的边缘，对获取的标记图像通常要进行预处理以便提取出图像中标记的边缘，这包括：减小和滤除图像中的噪声，增强图像的边缘等。光刻胶根据其感光树脂的化学结构也可以分为光交联性、光聚合型、光分解型和化学放大型。UV-LED 光源具有光强更高、稳定性更好的特点。云南微纳光刻
氧等离子去胶是利用氧气在微波或射频发生器的作用下产生氧等离子体，具有活性的氧等离子体与有机聚合物发生氧化反应，是的有机聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，从而达到去除光刻胶的目的，这个过程我们有时候也称之为灰化或者扫胶。氧等离子去胶相比于湿法去胶工艺更为简单、适应性更好。市面上常见氧等离子去胶机按照频率可分为微波等离子去胶机和射频等离子去胶机两种，微波等离子去胶机的工作频率更高，更高的频率决定了等离子体拥有更高的激子浓度、更小的自偏压，更高的激子浓度决定了去胶速度更快，效率更高；更低的自偏压决定了其对衬底的刻蚀效应更小，也意味着去胶过程中对衬底无损伤，而射频等离子去胶机其工作原理与刻蚀机相似，结构上更加简单。深圳硅片光刻光刻工艺中常见的对准技术——场像对准技术。
掩膜对准光刻及步进投影式光刻机中常用汞灯作为曝光光源，其发射光谱包括g-(波长435nm)、h-(波长405nm)和i-线(波长365nm)。一个配有350wHg灯的6英寸掩模对准器通常能获得大约光输出。15–30mw/cm2，i-线强度通常大约占全部三条线总光强的40%。LED作为近年来比较常见的UV光源在掩膜对准式光刻系统中比较常见，其相比于汞灯光源其优点是冷光源，不会对光刻胶产生辐照加热，避免光刻胶受热变形。除了Hg灯，具有合适波长的激光器也是光刻胶曝光的合适光源。由于光引发剂的光谱吸收带不会在某一特定波长突然终止，相应的适应剂量也会暴露在比数据表中所示范围高约10nm的波长处，但这延长了需要直写的时间。另外，在干涉光刻中也常常用的例如He-Cd（328nm）作为光源，其同样能对大部分i-线胶进行曝光。
在曝光这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。在接受光照后，正性光刻胶中的感光剂DQ会发生光化学反应，变为乙烯酮，并进一步水解为茚并羧酸，羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍，产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。曝光方法包括：接触式曝光—掩膜板直接与光刻胶层接触；接近式曝光—掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm；投影式曝光—在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光和步进式曝光。光刻技术的每一步进展都促进了信息时代的发展。
光刻对准技术是曝光前一个重要步骤作为光刻的三大主要技术之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高，对准精度要求也越来越高，例如针对45am线宽尺寸，对准精度要求在5am左右。受光刻分辨力提高的推动，对准技术也经历迅速而多样的发展。从对准原理上及标记结构分类，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式、干涉强度对准、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式。自动化光刻设备大幅提高了生产效率和精度。河北MEMS材料刻蚀
匀胶机的转速精度是一项重要的指标。云南微纳光刻
随着半导体工艺的不断进步，光刻机的光源类型也在不断发展。从传统的汞灯到现代的激光器、等离子体光源和极紫外光源，每种光源都有其独特的优点和适用场景。汞灯作为传统的光刻机光源，具有成本低、易于获取和使用等优点。然而，其光谱范围较窄，无法满足一些特定的制程要求。相比之下，激光器具有高亮度、可调谐等特点，能够满足更高要求的光刻制程。此外，等离子体光源则拥有宽波长范围、较高功率等特性，可以提供更大的光刻能量。极紫外光源（EUV）作为新一代光刻技术，具有高分辨率、低能量消耗和低污染等优点。然而，EUV光源的制造和维护成本较高，且对工艺环境要求苛刻。因此，在选择光源类型时，需要根据具体的工艺需求和成本预算进行权衡！云南微纳光刻
