嘉兴无刷直流电机功率器件MOS产品选型技术

平面结构晶体管的缺点是如果提高额定电压，漂移层会变厚，因此导通电阻会增加。MOSFET的额定电压取决于垂直方向的漂移区的宽度和掺杂参数。为了提高额定电压等级，通常增加漂移区的宽度同时降低掺杂的浓度，但会造成MOSFET的导通电阻大幅增加。同时，也是为了克服平面MOSFET的局限性，超结MOSFET应运而生。超结MOSFET利用了一种创新的结构设计，明显降低了导通电阻，同时维持了高击穿电压。那么，接下来要重点讨论超结MOSFET（super junction mosfet）。

超结MOS（Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor，简称SJ-MOS）是电力电子领域中广泛应用的一类功率器件，其主要特征是在传统MOSFET基础上引入了超结结构，使其在高电压、大电流条件下具备更优越的性能。超结MOS器件相较于传统的MOSFET有着更低的导通电阻和更高的耐压性能，广泛应用于高效能电力转换领域，如开关电源、逆变器、电动汽车、光伏发电等。 功率半导体器件主要包括三大类：功率模组、功率集成电路（即PowerIC，简称PIC，也称功率IC）以及分立器件。嘉兴无刷直流电机功率器件MOS产品选型技术

晶体管外形封装（TO）

TO封装作为早期的封装规格，涵盖诸如TO-3P、TO-247等多种设计。这种封装形式以其高耐压和强抗击穿能力著称，适用于中高压、大电流的MOS管。在现代应用中，TO封装逐渐向表面贴装式发展。

双列直插式封装（DIP）

DIP封装以其两排引脚设计而闻名，被设计为插入到具有相应DIP结构的芯片插座中。DIP封装还有其紧缩版——SDIP（Shrink DIP）。DIP封装类型多样，包括多层陶瓷双列直插式DIP等，其优势在于与主板的兼容性较好。然而，DIP封装由于其较大的封装面积和厚度，可靠性相对较低。

外形晶体管封装（SOT）

SOT是一种贴片型小功率晶体管封装，其常见类型包括SOT23、SOT89等。这种封装以小巧体积和良好可焊性见称，广泛应用于低功率场效应管中。

小外形封装（SOP）

SOP（Small Out-Line Package）是一种表面贴装型封装方式，其引脚以L字形从封装两侧引出。SOP封装常用于MOSFET的封装，其以塑料材质轻便简洁的封装形式赢得广泛应用。为了适应更高性能要求，又发展了诸如TSOP等新型封装。

四边无引线扁平封装（QFN）

QFN是一种四边配置有电极接点的封装方式，其特点是无引线和具备优异的热性能。其应用主要集中在微处理器等领域，提供更优的散热能力。 深圳新型功率器件MOS产品选型供应商TO-252（DPAK） 表面贴装型，底部焊盘散热，安世LFPAK衍生技术（如汽车电子）。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它*靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。

超结MOSFET的优势

1、导通电阻大幅降低超结结构***降低了高电压应用中的导通电阻，减少了功率损耗，提高了能效。

2、耐压性能优异通过优化电场分布，超结MOS在提高耐压的同时避免了导通电阻的急剧增加，使其在高电压应用中更具优势。

3、高频开关性能优越得益于超结结构的设计，超结MOS具备出色的开关速度，适用于高频开关电源和逆变器等应用。

4、工艺成熟，生产成本逐步降低随着工艺的不断成熟和批量生产能力的提升，超结MOS的生产成本逐步降低，推动了其在更多领域的广泛应用。超结MOS的工艺虽然复杂，但其***的性能提升使其在电力电子领域成为不可或缺的器件，特别是在需要高效率、高功率密度和低能耗的应用场景中。 TO-263（D2PAK） 多引脚表面贴装，扩大散热面积，用于中高压大电流场景（如工业设备）。

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封装选择关键因素

功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。

中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。

**功率（信号级）：SOT-23、SC-70。

散热条件

需要强制散热或大面积PCB铜箔散热时，优先选带散热片的封装（如TO-247、D2PAK）。

自然散热场景可选SO-8或QFN（需优化PCB散热设计）。

空间限制

紧凑型设备（如手机、穿戴设备）：QFN、SOT-23。

工业设备或电源模块：TO系列或D2PAK。

高频性能

高频应用（>1MHz）：QFN、DirectFET、SO-8（低寄生电感/电容）。

低频应用（如开关电源）：TO系列或DPAK。

安装方式

插件焊接（THT）：TO-220、TO-247。

贴片焊接（SMT）：DPAK、SO-8、QFN（适合自动化生产）。

成本与量产

低成本需求：TO-220、SOT-23。

高性能需求：DirectFET、QFN（成本较高，但性能优）。 功率MOSFET具有较强的过载能力。短时过载能力通常额定值的4倍。中国台湾推荐功率器件MOS产品选型技术

晶体管‌：含双极结型晶体管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具开关与控制功能；嘉兴无刷直流电机功率器件MOS产品选型技术

无锡商甲半导体有想公司的MOS管封装可按其在PCB板上的安装方式分为两大类：插入式和表面贴装式。插入式封装中，MOSFET的管脚会穿过PCB板的安装孔并与板上的焊点焊接，实现芯片与电路的连接。常见的插入式封装类型包括双列直插式封装（DIP）、晶体管外形封装（TO）以及插针网格阵列封装（PGA）等。

插入式封装插入式封装中，MOSFET的管脚通过PCB板的安装孔实现连接，常见的形式包括DIP、TO等。这种封装方式常见于传统设计，与表面贴装式相对。其以可靠性见长，并允许不同的安装方式，但因插入式封装需要在PCB板上钻孔，增加了制造成本。

表面贴装式封装在表面贴装技术中，MOSFET的管脚及散热法兰直接焊接在PCB板表面的特定焊盘上，从而实现了芯片与电路的紧密连接。这种封装形式包括D-PAK、SOT等，正成为主流，支持小型化和高散热性能。随着科技的进步，表面贴装式封装以其优势逐渐取代传统的插入式封装。 嘉兴无刷直流电机功率器件MOS产品选型技术

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