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MOSFET的导通电阻RDS(ON)及其正温度特性

什么是导通电阻？

RDS(ON)是MOSFET导通时漏极与源极之间的电阻值，是决定系统效率的“隐形心脏”。它看似微小，却直接影响设备发热、能耗甚至寿命。

导通电阻的组成部分

在MOSFET中，导通电阻RDS(ON)可以分为以下几个部分：

N-plus区电阻（R_(N+)）：位于源区下方，用于提供低阻抗路径。在高压功率MOSFET中可以忽略不计。

沟道电阻（R_CH）：当栅极电压超过阈值电压时形成的导电通道的电阻。

积累层电阻（R_A）：在沟道底部形成的一薄层高掺杂区域的电阻。

JFET区电阻（R_J）：N–Epi，P-bodies之间的区域称为JFET区域，因为P-bodies区域的作用类似于JFET的栅极区域。该区域的阻力是RJ。

漂移区电阻（R_D）：从P体正下方到衬底顶部的电阻称为RD为耐压设计的一部分，特别是在高压MOSFET中占比较大。

衬底电阻（R_S）：在高压MOSFET中可以忽略不计。但是在击穿电压低于50V的低压MOSFET中，它会对RDS(ON)产生很大影响。 适配不同应用场景，充分发挥产品效能。湖北工业变频MOSFET供应商大概价格多少

MOS管，又被称为场效应管、开关管，其英文名称“MOSFET”是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor的缩写，在实际应用中，人们常简称它为MOS管。从外观封装形式来看，MOS管主要分为插件类和贴片类。

众多的MOS管在外观上极为相似，常见的封装类型有TO-252、TO-251、TO-220、TO-247等，其中TO-220封装常用。由于型号繁多，依靠外观难以区分不同的MOS管。

按照导电方式来划分，MOS管可分为沟道增强型和耗尽型，每种类型又进一步分为N沟道和P沟道。在实际应用场景中，耗尽型MOS管相对较少，P沟道的使用频率也比不上N沟道。N沟道增强型MOS管凭借其出色的性能，成为了开关电源等领域的宠儿。它有三个引脚，当有丝印的一面朝向自己时，从左往右依次是栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。 湖北工业变频MOSFET供应商大概价格多少商甲半导体 SJ MOSFET，低阻高效，降低系统功耗，提升转换效率。

MOSFET的导通电阻RDS(ON)及其正温度特性

正温度系数

源/漏金属与N+半导体区域之间的非理想接触，以及用于将器件连接到封装的引线，都可能产生额外的电阻。RDS(ON)具有正温度系数，随着温度的升高而增加。这是因为空穴和电子的迁移率随着温度的升高而降低。P/N沟道功率MOSFET在给定温度下的RDS(ON)，可通过公式估算。

这是MOSFET并联稳定性重要特征。当MOSFET并联时RDS(ON)随温度升高，不需要任何外部电路的帮助即可获得良好的电流分流。

正温度系数的注意事项

尽管RDSON的正温度系数使得并联容易，在实际使用中还需要注意到以下问题：栅源阈值电压VTH及CGD、CGS如有不同会影响到动态均流。应尽可能使电路布局保持对称。同时防止寄生振荡，如在每个栅极上分别串联电阻。RDSON的正温度特性也说明了导通损耗会在高温时变得更大。故在损耗计算时应特别留意参数的选择。

随着半导体工艺的进步，MOS管的性能也在不断提升。新型MOS管的漏源导通内阻已能做到几毫欧，降低了导通损耗。同时，新材料如氮化镓MOS管的出现，进一步拓展了高频高压应用的可能。未来，随着量子技术和新型半导体材料的发展，MOS管还将迎来更多创新突破。

你是否想过，手机屏幕的每一次触控、电脑CPU的每秒数十亿次运算，背后都依赖于一种神奇的电子元件？它就是MOS管，这个看似微小的器件，却是现代电子技术的重要基石。从智能手机到航天器，从家用电器到工业控制系统，MOS管无处不在，默默发挥着关键作用。

MOS管全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，主要由栅极、源极、漏极和衬底组成。它的独特之处在于栅极与半导体衬底之间有一层极薄的绝缘氧化层，这使得栅极电流极小，输入阻抗极高。当我们在栅极施加电压时，会在衬底表面形成一个导电沟道，连接源极和漏极，电流得以流通。这个沟道的形成与消失，就是MOS管实现开关和放大功能的基础 送样活动开启，热稳定性好、能承载大电流，无锡商甲值得信赖。

开关器件的主要诉求：快、省、稳，MOS管刚好全满足

无论是开关电源还是电机驱动，对开关器件的要求都绕不开三个关键词：开关速度要快（否则高频转换效率上不去）、导通损耗要低（电流通过时的发热会降低效率）、控制要灵活（能准确响应电路中的电信号）。而MOS管的特性，恰好完美匹配了这些需求。

传统双极型晶体管（BJT）的开关过程依赖载流子的扩散与复合，就像让一群人挤过狭窄的门，速度受限于载流子的移动速度；而MOS管的开关靠的是栅极电压对沟道的控制——当栅极施加正电压时，半导体表面会快速形成导电沟道（电子从源极涌向漏极）；撤去电压时，沟道中的电子会被迅速"抽走"（或被氧化层中的电场排斥）。这种基于电场的控制方式，让MOS管的开关时间可以缩短到纳秒级（10⁻⁹秒），比BJT快几个数量级。在开关电源中，高频变压器的效率与开关频率直接相关，MOS管的快速开关能力，让电源能在MHz级频率下工作（比如常见的100kHz-1MHz），大幅缩小变压器体积，这正是手机快充电源、笔记本适配器能做得轻薄的关键。

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无锡商甲半导体有限公司成立于2023年8月3日，注册地位于无锡经济开发区太湖湾信息技术产业园1号楼908室。公司专注于功率半导体器件的研发设计与销售，采用Fabless模式开发TrenchMOSFET、IGBT等产品，截至2023年12月，公司已设立深圳分公司拓展华南市场，并获评2024年度科技型中小企业。无锡商甲半导体有限公司利用技术优势，以国内***技术代Trench/SGT产品作为***代产品；产品在FOM性能方面占据***优势，结合先进封装获得的更高电流密度；打造全系列N/P沟道车规级MOSFET，为日益增长的汽车需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封装；未来两年内做全硅基产品线并拓展至宽禁带领域；