东莞电池管理系统功率器件MOS产品选型工艺

超结MOS的工艺原理在传统的高压MOSFET中，导通电阻随着器件耐压的增加呈现出立方关系增长，这意味着在高压下，器件的导通电阻非常高，影响效率。而超结MOS通过在漂移区内构建纵向的P型和N型层，使得电场在纵向方向上得到优化。这种结构可以在保持高耐压的同时，大幅降低导通电阻。具体的工艺流程可分为以下几个步骤：

1、掺杂与离子注入在超结MOS的漂移区，**重要的部分是形成交替的P型和N型掺杂区。这个过程需要精细的掺杂控制：

（1）离子注入通过离子注入工艺，分别在器件的漂移区进行P型和N型杂质的注入。离子注入的深度和浓度需要非常精确的控制，确保后续的超结结构能够均匀分布。

（2）多次掺杂与注入通常需要多次重复掺杂和注入过程，以在漂移区形成多个交替的P型和N型区域。 TO封装作为早期的封装规格，这种封装形式以其高耐压和强抗击穿能力著称，适用于中高压、大电流的MOS管。东莞电池管理系统功率器件MOS产品选型工艺

晶体管外形封装（TO）

TO封装作为早期的封装规格，涵盖诸如TO-3P、TO-247等多种设计。这种封装形式以其高耐压和强抗击穿能力著称，适用于中高压、大电流的MOS管。在现代应用中，TO封装逐渐向表面贴装式发展。

双列直插式封装（DIP）

DIP封装以其两排引脚设计而闻名，被设计为插入到具有相应DIP结构的芯片插座中。DIP封装还有其紧缩版——SDIP（Shrink DIP）。DIP封装类型多样，包括多层陶瓷双列直插式DIP等，其优势在于与主板的兼容性较好。然而，DIP封装由于其较大的封装面积和厚度，可靠性相对较低。

外形晶体管封装（SOT）

SOT是一种贴片型小功率晶体管封装，其常见类型包括SOT23、SOT89等。这种封装以小巧体积和良好可焊性见称，广泛应用于低功率场效应管中。

小外形封装（SOP）

SOP（Small Out-Line Package）是一种表面贴装型封装方式，其引脚以L字形从封装两侧引出。SOP封装常用于MOSFET的封装，其以塑料材质轻便简洁的封装形式赢得广泛应用。为了适应更高性能要求，又发展了诸如TSOP等新型封装。

四边无引线扁平封装（QFN）

QFN是一种四边配置有电极接点的封装方式，其特点是无引线和具备优异的热性能。其应用主要集中在微处理器等领域，提供更优的散热能力。 南通封装技术功率器件MOS产品选型参数由于这些明显的优点，功率场效应晶体管在电机调速，开关电源等各种领域应用的非常多。

选择mos管的重要参数

选择MOS时至关重要的2个参数是导通电阻Rds(on) 和栅极电荷 Qg。决定 MOSFET 性能的其他一些重要参数是击穿电压、BVDSS 和体漏极二极管，当器件用作功率二极管时必须考虑这些参数，例如在同步续流操作模式下，以及可能影响开关时间和电压尖峰的固有电容。

1、导通电阻，RDS(on)表示 MOS管 处于导通状态时漏极和源极端子之间的电阻。传导损耗取决于它，RDS(on) 的值越低，传导损耗越低。

2、总栅极电荷，QG表示栅极驱动器打开/关闭器件所需的电荷。

3、品质因数，FoM是 RDS(on) 和 QG 的乘积，说明了 MOSFET 的传导损耗和开关损耗。因此，MOS管 的效率取决于 RDS(on) 和 QG。

4、击穿电压，BVDSS

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它*靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。采购MOSFET请选择无锡商甲半导体有限公司.

20世纪50年代，电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。60年代发展起来的晶闸管，因其工作可靠、寿命长、体积小、开关速度快，而在电力电子电路中得到广泛应用。70年代初期，已逐步取代了汞弧闸流管。80年代，普通晶闸管的开关电流已达数千安，能承受的正、反向工作电压达数千伏。在此基础上，为适应电力电子技术发展的需要，又开发出门极可关断晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管等一系列派生器件，以及单极型MOS功率场效应晶体管、双极型功率晶体管、静电感应晶闸管、功能组合模块和功率集成电路等新型电力电子器件。功率器件几乎用于所有的电子制造业。东莞制造功率器件MOS产品选型联系方式

TO-247 大功率表面贴装封装，3/4引脚设计，适配高功率MOSFET/IGBT（如电动汽车OBC）。东莞电池管理系统功率器件MOS产品选型工艺

MOSFET的原理

MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）,简称功率MOSFET（PowerMOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（StaticInductionTransistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 东莞电池管理系统功率器件MOS产品选型工艺