深圳电池管理系统功率器件MOS产品选型技术指导

功率场效应晶体管及其特性一、 功率场效应晶体管是电压控制器件，在功率场效应晶体管中较多采用的是V沟槽工艺，这种工艺生产地管称为VMOS场效应晶体管，它的栅极做成V型，有沟道短、耐压能力强、跨导线性好、开关速度快等优点，故在功率应用领域有着广泛的应用，出现一种更好的叫TMOS管，它是在VMOS管基础上改进而成的，没有V形槽，只形成了很短的导通沟槽。二、 功率场效应晶体管的基本参数及符号1.极限参数和符号（1） 漏源极间短路时，栅漏极间的耐压VGDS（2） 漏源极间开路时，栅漏极间的耐压VGSO（3） 栅源极在规定的偏压下，漏源极间耐压VDSX（4） 击穿电压BVDS（5） 栅极电流IG（6） 比较大漏电极耗散功率PD（7） 沟道温度TGH，存储温度TSTG2.电气特性参数和符号（1） 栅极漏电电流IGSS（2） 漏极电流IDSS（3） 夹断电压VP（4） 栅源极门槛极电压VGS（th）（5） 导通时的漏极电流ID（on）（6） 输入电容Ciss（7） 反向传输电容Crss（8） 导通时的漏源极间电阻RDS（on）（9） 导通延时时间td（on）（10）上升时间tr（11）截止延时时间td（off）（12）下降时间tf这些参数反映了功率场效应晶体管在开关工作状态下的瞬间响应特性，在功率场效应晶体管用于电机控制等用途时特别有用。TO-252（DPAK） 表面贴装型，底部焊盘散热，安世LFPAK衍生技术（如汽车电子）。深圳电池管理系统功率器件MOS产品选型技术指导

超结MOS也是为了解决额定电压提高而导通电阻增加的问题，超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构，其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。超级结的存在突破了硅的理论极限，而且额定电压越高，导通电阻的下降越明显。以下图为例，超结在S端和D端增加了长长的柱子，形成垂直的PN结，交替排列。N层和P层在漂移层中设置垂直沟槽，当施加电压时耗尽层水平扩展，很快合并形成与沟槽深度相等的耗尽层。耗尽层扩展至沟槽间距的一半，因此形成厚度等于沟槽深度的耗尽层。耗尽层的膨胀小且良好，允许漂移层杂质浓度增加约5倍，从而可以降低RDS(ON)。南通新能源功率器件MOS产品选型技术‌新能源领域‌：光伏逆变器、风力发电变流器、储能系统；

无锡商甲半导体提供专业选型服务

封装选择关键因素

功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。

中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。

**功率（信号级）：SOT-23、SC-70。

散热条件

需要强制散热或大面积PCB铜箔散热时，优先选带散热片的封装（如TO-247、D2PAK）。

自然散热场景可选SO-8或QFN（需优化PCB散热设计）。

空间限制

紧凑型设备（如手机、穿戴设备）：QFN、SOT-23。

工业设备或电源模块：TO系列或D2PAK。

高频性能

高频应用（>1MHz）：QFN、DirectFET、SO-8（低寄生电感/电容）。

低频应用（如开关电源）：TO系列或DPAK。

安装方式

插件焊接（THT）：TO-220、TO-247。

贴片焊接（SMT）：DPAK、SO-8、QFN（适合自动化生产）。

成本与量产

低成本需求：TO-220、SOT-23。

高性能需求：DirectFET、QFN（成本较高，但性能优）。

80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。

80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管，以及各种组合器件，综合了晶闸管、 MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点，在性能上又有新的发展。例如隔离栅晶体管,既具有MOS功率场效应晶体管的栅控特性，又具有双极型功率晶体管的电流传导性能，它容许的电流密度比双极型功率晶体管高几倍。静电感应晶闸管保存了晶闸管导通压降低的优点，结构上避免了一般晶闸管在门极触发时必须在门极周围先导通然后逐步横向扩展的过程，所以比一般晶闸管有更高的开关速度，而且容许的结温升也比普通晶闸管高。这些新器件，在更高的频率范围内满足了电力电子技术的要求。

功率集成电路其制造工艺既概括了***代功率电子器件向大电流、高电压发展过程中所积累起来的各种经验，又综合了大规模集成电路的工艺特点。这种器件很大程度地缩小了器件及其控制电路的体积，能够有效地减少当器件处于高频工作状态时寄生参数的影响，对提高电路工作频率和抑制外界干扰十分重要。 作功率MOSFET，其优点表现在 具有较高的开关速度。

关于选择功率mosfet管的步骤:

1、找出应用的所有参数，例如最大电压、最大电流和工作温度。

2、找出电路的总负载。

3、计算 MOSFET 所需的峰值电流和峰值负载。

4、找出系统的效率。

5、计算有损耗的负载。

6、增加安全系数（视操作温度而定）。

7、检查设备是否将作为双向设备运行。

关于MOSFET管的选型参数，这里只是简单的带过一下，如果想要了解更为详细的参数，欢迎联系我们无锡商甲半导体有限公司，有专业人员为您提供专业选型服务及送样。 MOS管封装技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。杭州推荐功率器件MOS产品选型近期价格

SOT-89 带散热片的表面贴装，适用于较高功率的小信号MOSFET。深圳电池管理系统功率器件MOS产品选型技术指导

MOSFET管封装概述

在完成MOS管芯片的制作后，为保护芯片并确保其稳定工作，需要为其加上一个封装外壳。这一过程即为MOS管封装，它不仅提供支撑和保护，还能有效冷却芯片，同时为电气连接和隔离创造条件，从而构成完整的电路。值得注意的是，不同的封装设计和规格尺寸会影响MOS管的电性参数及其在电路中的应用。封装的选择也是电路设计中不可或缺的一环。

无锡商甲半导体提供个性化参数调控，量身定制，***为客户解决匹配难题。选对封装让设计事半功倍。 深圳电池管理系统功率器件MOS产品选型技术指导