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平面工艺MOS

定义和原理

平面工艺MOS是一种传统的MOSFET加工技术，其结构较为简单。在平面工艺中，源极、漏极和栅极均位于同一平面上，形成一个二维结构。

制造过程

沉积层：先在硅衬底上生长氧化层。

掺杂：使用掺杂技术在特定区域引入杂质，形成源、漏区。

蚀刻：利用光刻技术和蚀刻工艺形成沟道区域。

金属沉积：在栅极位置沉积金属，形成栅极电极。

特点

制作工艺相对简单和成本较低。

结构平面化，适用于小功率、低频应用。

但存在栅极控制能力差、漏电流大等缺点。 选 MOSFET 找商甲半导体，专业选型团队助力。工业变频MOSFET选型参数代理品牌

  MOSFET、IGBT 选商甲半导体，专业研发、生产与销售，与**晶圆代工厂紧密合作。

  超结MOSFET的应用超结MOSFET在多个领域中得到了广泛应用，尤其是在以下几个方面：

1、开关电源超结MOSFET的低导通电阻和高击穿电压使其非常适合用于开关电源中，能够提高转换效率，减少能量损失。

2、电动汽车（EV）超结MOSFET被广泛应用于电机驱动和电池管理系统中。它们的高效能和优异的热性能能够提升整车的性能和可靠性。

3、光伏逆变器光伏逆变器需要处理高电压和大电流，超结MOSFET的性能优势使其成为这些系统中的理想选择，能够提高能量转换效率，减少热量损耗。

4、工业自动化在工业自动化领域，超结MOSFET被用于各种电机驱动和电源管理应用中。它们的高效能和高可靠性能够确保设备的稳定运行。 领域MOSFET选型参数哪里有商甲半导体的产品在汽车、工业、移动等领域广泛应用。

商甲半导体的MOS管产品线展现出的综合优势：

高效： 低Rds(on)与低Qg的完美结合，使得器件在导通损耗和开关损耗上都达到优异水平，***提升系统效率，满足日益严苛的能效标准。

运行能力： 优异的开关特性使其非常适合于LLC谐振转换器、同步整流、高频DC-DC变换器等需要数百kHz甚至MHz级开关频率的应用场景，助力实现电源小型化、轻量化。

热性能： 低损耗直接转化为更低的温升，结合优化的封装热阻 (Rthja)，提升了功率密度和长期运行可靠性。

强大的鲁棒性： 良好的雪崩耐量 (Eas) 和抗冲击能力，确保器件在浪涌、短路等异常情况下具有更高的生存概率。国产供应链保障： 公司运营为Fabless模式，芯片自主设计并交由芯片代工企业进行代工生产，其后委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试，自主销售。商甲半导体提供稳定可靠的供货保障，助力客户降低供应链风险，推动功率元器件国产化进程。

SGT技术：突破传统MOS的性能瓶颈

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是开关电源、逆变器、电机控制等应用的**开关器件。传统平面MOS和早期沟槽MOS在追求更低导通电阻 (Rds(on)) 和更快开关速度时，往往会面临开关损耗 (Qg, Qgd) 增大、抗冲击能力下降等矛盾。

商甲半导体采用的 SGT 结构技术，正是解决这一矛盾的关键：

屏蔽栅极结构： 在传统的栅极沟槽结构基础上，创新性地引入了额外的“屏蔽电极”（通常是源极电位）。这一结构能有效屏蔽栅极与漏极之间的米勒电容 (Cgd)，大幅降低栅极电荷 (Qg, 特别是 Qgd)。

**栅极电荷 (Qg)： 降低Qg意味着驱动电路更容易驱动MOS管，***减少开关过程中的导通和关断损耗，提升系统整体效率，尤其在需要高频开关的应用中优势明显。

优化导通电阻 (Rds(on))： SGT结构通过优化载流子分布和沟道设计，在同等芯片面积下，实现了比传统沟槽MOS更低的导通电阻，降低了导通状态下的功率损耗和发热。

优异的开关性能： 低Qg和优化的电容特性共同带来了更快的开关速度和更干净的开关波形，减少了电压/电流应力，提升了系统稳定性和EMI性能。

高可靠性： 精心设计的结构有助于改善器件的雪崩耐量 (Eas) 和抗闩锁能力，提高了系统在恶劣工况下的鲁棒性。 商甲半导体提供无刷直流电机应用MOSFET选型。

SGT MOSFET，即屏蔽栅沟槽MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET），是一种半新型的功率半导体器件。它基于传统沟槽MOSFET技术，并通过结构上的改进来提升性能，特别是在降低导通电阻和开关损耗方面表现出色。接下来，我们将详细介绍SGT MOSFET的应用领域。

SGT MOS 选型场景

高频DC-DC（1-3MHz）：SGT MOS（如服务器VRM、无人机电调）。

高压工业电源（>600V）：超级结MOS（如光伏逆变器）。

低成本消费电子：平面MOS（如手机充电器）。

***说一下，在中低压领域，SGT MOSFET以低Rds(on)、低Qg、高开关速度的均衡性能，成为工业与汽车电子的主流选择。 无锡商甲半导体有限公司致力于自主知识产权的功率芯片可持续进步及传承。徐州650V至1200V IGBTMOSFET选型参数

商甲半导体：打破单一市场空间限制，多产品线精细化布局是国产功率半导体公司长线规划。工业变频MOSFET选型参数代理品牌

TO-92封装

TO-92封装主要适用于低压MOS管，其电流控制在10A以下，耐压值不超过60V。此外，高压1N60/65也采用了这种封装方式，旨在帮助降低产品成本。

TO-263封装

TO-263封装，作为TO-220封装的衍生品，旨在提升生产效率和散热性能。它能够支持极高的电流和电压，特别适用于中压大电流MOS管，其电流范围在150A以下，电压则超过30V。这种封装方式在电力电子领域有着广泛的应用。TO-252封装

TO-252封装，作为当前主流的封装方式之一，其适用范围***。在高压环境下，它能够承受7N以下的压力；而在中压环境中，其电流容量则限制在70A以下。这种封装方式因其优越的电气性能和稳定性，在多个领域中得到了广泛的应用。 工业变频MOSFET选型参数代理品牌

无锡商甲半导体有限公司成立于2023年8月3日，注册地位于无锡经济开发区太湖湾信息技术产业园1号楼908室。公司专注于功率半导体器件的研发设计与销售，采用Fabless模式开发Trench MOSFET、IGBT等产品，截至2023年12月，公司已设立深圳分公司拓展华南市场 ，并获评2024年度科技型中小企业。

无锡商甲半导体有限公司利用技术优势，以国内***技术代Trench/SGT产品作为***代产品；产品在FOM性能方面占据***优势，结合先进封装获得的更高电流密度；打造全系列N/P沟道车规级MOSFET，为日益增长的汽车需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封装；未来两年内做全硅基产品线并拓展至宽禁带领域；