500至1200V FRDMOSFET选型参数推荐型号

SOP封装标准涵盖了SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等多种规格，其中数字部分表示引脚数量。在MOSFET的封装中，SOP-8规格被***采用，且业界常将P*部分省略，简称为so（Small Out-Line）。

SO-8采用塑料封装，未配备散热底板，因此散热效果一般，主要适用于小功率MOSFET。

SO-8封装技术**初由PHILIP公司开发，随后逐渐演变为TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）以及TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。

在这些派生的封装规格中，TSOP和TSSOP这两种规格常被用于MOSFET的封装。同时，QFN-56封装也值得一提。

QFN（QuadFlatNon-leadedpackage）即四边无引线扁平封装，是一种新兴的表面贴装芯片封装技术。其特点在于焊盘尺寸小、体积紧凑，且采用塑料作为密封材料。如今，该技术常被称作LCC。 无锡商甲半导体有限公司的产品覆盖12V-1700V 功率芯片全系列，欢迎选购。500至1200V FRDMOSFET选型参数推荐型号

无锡商甲半导体MOSFET有多种封装，满足各类电源需求

TO-3P/247TO247是一种常见的小外形封装，属于表面贴封装类型，其中的“247”是封装标准的编号。值得注意的是，TO-247封装与TO-3P封装都采用3引脚输出，且内部的裸芯片（即电路图）可以完全相同，因此它们的功能和性能也基本一致，只是在散热和稳定性方面可能略有差异。TO247通常是非绝缘封装，这种封装的管子常用于大功率的POWFR中。作为开关管使用时，它能够承受较大的耐压和电流，因此是中高压大电流MOS管常用的封装形式。该产品特点包括耐压高、抗击穿能力强等，特别适用于中压大电流场合（电流10A以上，耐压值在100V以下），以及120A以上、耐压值200V以上的更高要求场合。 无锡MOSFET选型参数供应商商甲半导体产品矩阵完整，技术指标对标国际巨头，叠加政策支持与市场需求驱动，具备的国产化潜力。

Trench MOSFET（沟槽型MOSFET）是一种特别设计的功率MOSFET

结构优势与劣势

优势：

低导通电阻（Rds(on)）：垂直电流路径消除了平面MOSFET中的JFET电阻，单元密度提升（可达平面结构的2-3倍），***降低Rd。

劣势：

工艺复杂度高：深槽刻蚀和栅氧化层均匀性控制难度大，易导致栅氧局部击穿（如沟槽底部电场集中）。

耐压限制：传统Trench结构在高压（>200V）下漂移区电阻占比陡增。

可靠性挑战：沟槽底部的电场尖峰可能引发热载流子注入（HCI）退化。多晶硅栅极与硅衬底的热膨胀系数差异，高温循环下易产生机械应力裂纹。

SOT（Small Out-Line Transistor）封装，即“小外形晶体管封装”，是一种贴片型小功率晶体管封装方式。相较于传统的TO封装，其体积更为紧凑，特别适用于小功率MOSFET的封装需求。

SOP（SmallOut-LinePackage）封装同样是一种小外形封装方式。它以其紧凑的尺寸和便捷的贴片特性，在电子领域得到了广泛的应用。与SOT封装类似，SOP也特别适合用于小功率MOSFET的封装。

SOP（SmallOut-LinePackage）的中文释义为“小外形封装”它属于表面贴装型封装技术，其引脚设计呈海鸥翼状（L字形），从封装两侧引出。这种封装方式可使用塑料或陶瓷两种材料。此外，SOP也被称为SOL和DFP。 无论是车载充电系统还是充电桩，都离不开商甲半导体 MOSFET。

SGT技术：突破传统MOS的性能瓶颈

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是开关电源、逆变器、电机控制等应用的**开关器件。传统平面MOS和早期沟槽MOS在追求更低导通电阻 (Rds(on)) 和更快开关速度时，往往会面临开关损耗 (Qg, Qgd) 增大、抗冲击能力下降等矛盾。

商甲半导体采用的 SGT 结构技术，正是解决这一矛盾的关键：

屏蔽栅极结构： 在传统的栅极沟槽结构基础上，创新性地引入了额外的“屏蔽电极”（通常是源极电位）。这一结构能有效屏蔽栅极与漏极之间的米勒电容 (Cgd)，大幅降低栅极电荷 (Qg, 特别是 Qgd)。

**栅极电荷 (Qg)： 降低Qg意味着驱动电路更容易驱动MOS管，***减少开关过程中的导通和关断损耗，提升系统整体效率，尤其在需要高频开关的应用中优势明显。

优化导通电阻 (Rds(on))： SGT结构通过优化载流子分布和沟道设计，在同等芯片面积下，实现了比传统沟槽MOS更低的导通电阻，降低了导通状态下的功率损耗和发热。

优异的开关性能： 低Qg和优化的电容特性共同带来了更快的开关速度和更干净的开关波形，减少了电压/电流应力，提升了系统稳定性和EMI性能。

高可靠性： 精心设计的结构有助于改善器件的雪崩耐量 (Eas) 和抗闩锁能力，提高了系统在恶劣工况下的鲁棒性。 无锡商甲半导体有限公司的供应链布局及响应效率优于国内外厂商；绍兴12V至300V N MOSFETMOSFET选型参数

无锡商甲半导体，产品下游终端应用覆盖汽车电子、AI服务器、人形机器人、低空飞行器等重要领域。500至1200V FRDMOSFET选型参数推荐型号

商甲半导体经营产品：N沟道mosfet、P沟道mosfet、N+P沟道mosfet(Trench/SGT 工艺）、超结SJ mosfet等。

超结MOS的**特点

1、低导通电阻通过在纵向结构中引入多个P型和N型层的超结设计，极大地降低了功率器件的导通电阻，在高电压应用中尤为***。

2、高耐压性传统MOSFET在提高耐压的同时会增加导通电阻，而超结结构通过优化电场分布，使其在保持高耐压的同时仍能保持较低的导通电阻。

3、高效率超结MOS具有较快的开关速度和低损耗特性，适用于高频率、高效率的电力转换应用。

4、较低的功耗由于导通电阻和开关损耗的降低，超结MOS在工作时的能量损耗也***减少，有助于提高系统的整体能效。 500至1200V FRDMOSFET选型参数推荐型号

无锡商甲半导体有限公司在同行业领域中，一直处在一个不断锐意进取，不断制造创新的市场高度，多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准，在江苏省等地区的电子元器件中始终保持良好的商业口碑，成绩让我们喜悦，但不会让我们止步，残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志，无锡商甲半导体供应携手大家一起走向共同辉煌的未来，回首过去，我们不会因为取得了一点点成绩而沾沾自喜，相反的是面对竞争越来越激烈的市场氛围，我们做好迎接新挑战的准备，要不畏困难，激流勇进，以一个更崭新的精神面貌迎接大家，共同走向辉煌回来！