ICP刻蚀GaN是物料溅射和化学反应相结合的复杂过程。刻蚀GaN主要使用到氯气和三氯化硼，刻蚀过程中材料表面表面的Ga-N键在离子轰击下破裂，此为物理溅射，产生活性的Ga和N原子，氮原子相互结合容易析出氮气，Ga原子和Cl离子生成容易挥发的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一种图形转移的方法，在微纳加工当中不可或缺的技术。光刻是一个比较大的概念，其实它是有多步工序所组成的。1.清洗：清洗衬底表面的有机物。2.旋涂：将光刻胶旋涂在衬底表面。3.曝光。将光刻版与衬底对准，在紫外光下曝光一定的时间。4.显影：将曝光后的衬底在显影液下显影一定的时间，受过紫外线曝光的地方会溶解在显影液当中。5.后烘。将显影后的衬底放置热板上后烘，以增强光刻胶与衬底之前的粘附力。应用于MEMS制作的衬底可以说是各种各样的，如硅晶圆、玻璃晶圆、塑料、还其他的材料。蚌埠微纳加工应用
微纳加工工艺基本分为表面加工体加工两大块，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉积系绳层材料；第二步：光刻定义系绳层图形；第三步：刻蚀完成系绳层图形转移；第四步：沉积结构材料；第五步：光刻定义结构层图形；第六步：刻蚀完成结构层图形转移；第七步：释放去除系绳层，保留结构层，完成微结构制作；体加工基本流程如下：起先：沉积保护层材料；第二步：光刻定义保护图形；第三步：刻蚀完成保护层图形转移；第四步：腐蚀硅衬底，在制作三维立体腔结构；第五步：去除保护层材料。鞍山全套微纳加工微纳加工涉及领域广、多学科交叉融合，其较主要的发展方向是微纳器件与系统（MEMS）。
微纳加工是一种利用微纳技术对材料进行加工和制造的方法，其发展趋势主要包括以下几个方面：1.多功能集成：微纳加工技术可以实现多种功能的集成，例如在微纳器件中集成传感器、执行器、电子元件等，从而实现更高级别的功能。未来的发展趋势是将更多的功能集成到微纳器件中，实现更复杂的功能。2.高精度加工：微纳加工技术可以实现高精度的加工和制造，例如在微纳器件中制造纳米级的结构和器件。未来的发展趋势是进一步提高加工的精度和制造的精度，以满足更高要求的应用需求。
微纳加工氧化工艺是在高温下，衬底的硅直接与O2发生反应从而生成SiO2，后续O2通过SiO2层扩散到Si/SiO2界面，继续与Si发生反应增加SiO2薄膜的厚度，生成1个单位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445单位厚度的Si衬底；相对CVD工艺而言，氧化工艺可以制作更加致密的SiO2薄膜，有利于与其他材料制作更加牢固可靠的结构层，提高MEMS器件的可靠性。同时致密的SiO2薄膜有利于提高与其它材料的湿法刻蚀选择比，提高刻蚀加工精度，制作更加精密的MEMS器件。同时氧化工艺一般采用传统的炉管设备来制作，成本低，产量大，一次作业100片以上，SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以内。微纳加工可以制造出非常美观和时尚的器件和结构，这使得电子产品可以具有更高的美观性和时尚性。
微纳加工具有许多优势，以下是其中的一些：低成本：微纳加工技术可以实现高效、自动化的制造过程，从而降低起制造成本。相比传统的制造技术，微纳加工可以减少人工操作和材料浪费，提高生产效率和产品质量，降低其制造成本。此外，微纳加工技术还可以实现批量制造，进一步降低成本。环境友好：微纳加工技术可以减少对环境的污染和资源的消耗。相比传统的制造技术，微纳加工可以减少废料的产生和能源的消耗，降低对环境的负面影响。此外，微纳加工技术还可以实现材料的高效利用和循环利用，提高资源的利用效率和可持续发展能力。微纳加工的产品具有极高的精度和一致性，使得生产出的产品具有极高的品质和可靠性。宣城电子微纳加工
未来几年微纳制造系统和平台的发展前景包括的方面：智能的、可升级的和适应性强的微纳制造系统！蚌埠微纳加工应用
微纳制造包括微制造和纳制造两个方面。(1)微制造有两种不同的微制造工艺方式，一种是基础于半导体制造工艺的光刻技术、LIGA技术、键合技术、封装技术等，这些工艺技术方法较为成熟，但普遍存在加工材料单一、加工设备昂贵等问题，且只能加工结构简单的二维或准三维微机械零件，无法进行复杂的三维微机械零件的加工；另一种是机械微加工，是指采用机械加工、特种加工及其他成形技术等传统加工技术形成的微加工技术，可进行三维复杂曲面零件的加工，加工材料不受限制，包括微细磨削、微细车削、微细铣削、微细钻削、微冲压、微成形等。(2)纳制造纳制造是指具有特定功能的纳米尺度的结构、器件和系统的制造技术，包括纳米压印技术、刻划技术、原子操纵技术等。蚌埠微纳加工应用
