原子层沉积(atomiclayer deposition，ALD)技术，亦称原子层外延(atomiclayer epitaxy，ALE）技术，是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相薄膜沉积技术。原子层沉积技术起源于上世纪六七十年代，由前苏联科学家Aleskovskii和Koltsov报道，随后，基于电致发光薄膜平板显示器对高质量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬兰Suntalo博士发展并完善。然而，受限于其复杂的表面化学过程等因素，原子层沉积技术在开始并没有取得较大发展，直到上世纪九十年代，随着半导体工业的兴起，对各种元器件尺寸，集成度等方面的要求越来越高，原子层沉积技术才迎来发展的黄金阶段。进入21世纪，随着适应各种制备需求的商品化ALD仪器的研制成功，无论在基础研究还是实际应用方面，原子层沉积技术都受到人们越来越多的关注。真空镀膜是将装有基片的真空室抽成真空,然后加热被蒸发的镀料。UV光固化真空镀膜机
真空镀膜：电子束蒸发是真空蒸镀的一种方式，它是在钨丝蒸发的基础上发展起来的。电子束是一种高速的电子流。电子束蒸发是真空镀膜技术中一种成熟且主要的镀膜方法，它解决了电阻加热方式中膜料与蒸镀源材料直接接触容易互混的问题。电子束蒸发法是真空蒸发镀膜的一种，是在真空条件下利用电子束进行直接加热蒸发材料，使蒸发材料气化并向基板输运，在基底上凝结形成薄膜的方法。在电子束加热装置中，被加热的物质放置于水冷的坩埚中，可避免蒸发材料与坩埚壁发生反应影响薄膜的质量，因此，电子束蒸发沉积法可以制备高纯薄膜，同时在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚，实现同时或分别蒸发，沉积多种不同的物质。通过电子束蒸发，任何材料都可以被蒸发。UV光固化真空镀膜机源或靶的不断改进，扩大了真空镀膜材料的选用范围。
为了获得性能良好的半导体电极Al膜，我们通过优化工艺参数，制备了一系列性能优越的Al薄膜。通过理论计算和性能测试，分析比较了电子束蒸发与磁控溅射两种方法制备Al膜的特点。考虑Al膜的致密性就相当于考虑Al膜的晶粒的大小，密度以及能达到均匀化的程度，因为它也直接影响Al膜的其它性能，进而影响半导体哗啦的性能。气相沉积的多晶Al膜的晶粒尺寸随着沉积过程中吸附原子或原子团在基片表面迁移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小将取决环于基片温度、沉积速度、气相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光洁度和化学活性等因素。
真空镀膜：真空蒸镀基本工艺镀前处理：包括清洗镀件和预处理。具体清洗方法有清洗剂清洗、化学溶剂清洗、超声波清洗和离子轰击清洗等。具体预处理有除静电，涂底漆等。装炉：包括真空室清理及镀件挂具的清洗，蒸发源安装、调试、镀件褂卡。抽真空：一般先粗抽至6。6Pa以上，更早打开扩散泵的前级维持真空泵，加热扩散泵。待预热足够后，打开高阀，用扩散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。烘烤：将镀件烘烤加热到所需温度。离子轰击：真空度一般在10Pa～10-1Pa，离子轰击电压200V～1kV负高压，离击时间为5min～30min,预熔：调整电流使镀料预熔，除气1min～2min。蒸发沉积：根据要求调整蒸发电流，直到所需沉积时间结束。冷却：镀件在真空室内冷却到一定温度。出炉：取件后，关闭真空室，抽真空至1×10-1Pa，扩散泵冷却到允许温度，才可关闭维持泵和冷却水。后处理：涂面漆等。真空镀膜技术首先用于生产光学镜片。
磁控溅射技术比蒸发技术的粒子能量更高，膜基结合力更好，“磁控溅射离子镀膜技术”就是在普通磁控溅射技术的基础上，在被镀工件表面加偏压，金属离子在偏压电场的作用力下，沉积在工件表面，膜层质量和膜基结合力又远远好于普通的磁控溅射镀膜技术。根据靶材的形状，磁控溅射靶可分为圆形磁控溅射靶、平面磁控溅射靶和柱状磁控溅射靶。圆形靶主要用于科研和少量的工业应用，平面靶和柱状靶在工业上大量使用，特别是柱状靶，凭借超高的靶材利用率和稳定的工作状态，越来越多的被使用。真空镀膜机的优点:对印刷、复合等后加工具有良好的适应性。镇江来料真空镀膜
真空镀膜镀料离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞以及高压电场后，高速冲向工件。UV光固化真空镀膜机
真空镀膜：物理的气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术普遍应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。随着高科技及新兴工业发展，物理的气相沉积技术出现了不少新的先进的亮点，如多弧离子镀与磁控溅射兼容技术，大型矩形长弧靶和溅射靶，非平衡磁控溅射靶，孪生靶技术，带状泡沫多弧沉积卷绕镀层技术，条状纤维织物卷绕镀层技术等，使用的镀层成套设备，向计算机全自动，大型化工业规模方向发展。UV光固化真空镀膜机
