ICP刻蚀GaN是物料溅射和化学反应相结合的复杂过程。刻蚀GaN主要使用到氯气和三氯化硼，刻蚀过程中材料表面表面的Ga-N键在离子轰击下破裂，此为物理溅射，产生活性的Ga和N原子，氮原子相互结合容易析出氮气，Ga原子和Cl离子生成容易挥发的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一种图形转移的方法，在微纳加工当中不可或缺的技术。光刻是一个比较大的概念，其实它是有多步工序所组成的。1.清洗：清洗衬底表面的有机物。2.旋涂：将光刻胶旋涂在衬底表面。3.曝光。将光刻版与衬底对准，在紫外光下曝光一定的时间。4.显影：将曝光后的衬底在显影液下显影一定的时间，受过紫外线曝光的地方会溶解在显影液当中。5.后烘。将显影后的衬底放置热板上后烘，以增强光刻胶与衬底之前的粘附力。微纳加工的产品具有极高的精度和一致性，使得生产出的产品具有极高的品质和可靠性。厦门激光微纳加工
微纳加工当中，GaN材料的刻蚀一般采用光刻胶来做掩膜，但是刻蚀GaN和光刻胶，选择比接近1:1，如果需要刻蚀深度超过3微米以上的都需要采用厚胶来做掩膜。对于刻蚀更深的GaN,那就需要采用氧化硅来做刻蚀的掩模，刻蚀GaN的气体对于刻蚀氧化硅刻蚀比例可以达到8:1。应用于MEMS制作的衬底可以说是各种各样的，如硅晶圆、玻璃晶圆、塑料、还其他的材料。硅晶圆包括氧化硅片、SOI硅片、高阻硅片等，硅片晶圆包括单晶石英玻璃、高硼硅玻璃、光学玻璃、光敏玻璃等。塑料材料包括PMMA、PS、光学树脂等材料。其他材料包括陶瓷、AlN材料、金属等材料。南通微纳加工设备微纳加工的特点在于其精细度和精度，这使得制造出来的产品具有极高的性能和可靠性。
在微纳加工过程中，薄膜的组成方法主要为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。蒸发沉积（热蒸发、电子束蒸发）和溅射沉积是典型的物理方法，主要用于沉积金属单质薄膜、合金薄膜、化合物等。热蒸发是在高真空下，利用电阻加热至材料的熔化温度，使其蒸发至基底表面形成薄膜，而电子束蒸发为使用电子束加热；磁控溅射在高真空，在电场的作用下，Ar气被电离为Ar离子高能量轰击靶材，使靶材发生溅射并沉积于基底；磁控溅射方法沉积的薄膜纯度高、致密性好，热蒸发主要用于沉积低熔点金属薄膜或者厚膜；化学气相沉积（CVD）是典型的化学方法而等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是物理与化学相结合的混合方法，CVD和PECVD主要用于生长氮化硅、氧化硅等介质膜。
微纳加工与传统的加工技术是两种不同的加工方法，它们在加工尺寸、加工精度、加工速度、加工成本等方面存在着明显的区别。下面将从这几个方面详细介绍微纳加工与传统加工技术的区别。1.加工尺寸：微纳加工是指在微米（μm）和纳米（nm）级别下进行加工的技术，而传统加工技术则是在毫米（mm）和厘米（cm）级别下进行加工的技术。微纳加工技术可以制造出微米级别的微结构和纳米级别的纳米结构，而传统加工技术只能制造出毫米级别的结构。2.加工精度：微纳加工技术具有非常高的加工精度，可以实现亚微米甚至纳米级别的加工精度。而传统加工技术的加工精度相对较低，一般在几十微米到几百微米之间。微纳加工技术可以制造出非常精细的结构，如微米级别的微通道、微阀门、微透镜等。在我国，微纳制造技术同样是重点发展方向之一。
微纳加工工艺基本分为表面加工体加工两大块，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉积系绳层材料；第二步：光刻定义系绳层图形；第三步：刻蚀完成系绳层图形转移；第四步：沉积结构材料；第五步：光刻定义结构层图形；第六步：刻蚀完成结构层图形转移；第七步：释放去除系绳层，保留结构层，完成微结构制作；体加工基本流程如下：起先：沉积保护层材料；第二步：光刻定义保护图形；第三步：刻蚀完成保护层图形转移；第四步：腐蚀硅衬底，在制作三维立体腔结构；第五步：去除保护层材料。微纳加工可以制造出非常精密的器件和结构，这使得电子产品可以具有更高的精度和可靠性。德州镀膜微纳加工
微纳加工可以制造出非常小的器件和结构，这使得电子产品可以更加紧凑，从而可以降低成本并提高效率。厦门激光微纳加工
微纳加工的发展趋势：自组装加工：微纳加工将向自组装加工的方向发展，即通过自组装技术实现加工过程的自动化和高通量化。这将需要开发自组装加工设备和工艺，以提高加工效率和降低加工成本。微纳加工作为一种高精度、高效率的加工技术，已经在微电子、光电子、生物医学、纳米材料等领域得到广泛应用。虽然在实际应用中还存在一些技术挑战，但是随着科技的进步和需求的增加，微纳加工将不断发展，向更小尺度、多功能、集成化和自组装化的方向发展。厦门激光微纳加工
