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磁控溅射基本参数
  • 品牌
  • 芯辰实验室,微纳加工
  • 型号
  • 齐全
磁控溅射企业商机

磁控溅射的优点如下:1、沉积速度快、基材温升低、对膜层的损伤小;2、对于大部分材料,只要能制成靶材,就可以实现溅射;3、溅射所获得的薄膜与基片结合较好;4、溅射所获得的薄膜纯度高、致密度好、成膜均匀性好;5、溅射工艺可重复性好,可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜;6、能够控制镀层的厚度,同时可通过改变参数条件控制组成薄膜的颗粒大小;7、不同的金属、合金、氧化物能够进行混合,同时溅射于基材上;8、易于实现工业化。不同的金属、合金、氧化物能够进行混合,同时溅射于基材上。上海直流磁控溅射平台

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磁控溅射靶材的原理如下:在被溅射的靶极与阳极之间加一个正交磁场和电场,在高真空室中充入所需要的惰性气体,永久磁铁在靶材料表面形成250~350高斯的磁场,同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下,Ar气电离成正离子和电子,靶上加有一定的负高压,从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大,在阴极附近形成高密度的等离子体,Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面,以很高的速度轰击靶面,使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。磁控溅射一般分为二种:直流溅射和射频溅射,其中直流溅射设备原理简单,在溅射金属时,其速率也快。而射频溅射的使用范围更为普遍,除可溅射导电材料外,也可溅射非导电的材料,同时还可进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射频的频率提高后就成为微波等离子体溅射,如今,常用的有电子回旋共振型微波等离子体溅射。上海直流磁控溅射平台磁控溅射靶材的制备技术方法按生产工艺可分为熔融铸造法和粉末冶金法两大类。

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磁控溅射是在外加电场的两极之间引入一个磁场。这个磁场使得电子受到洛伦兹力的束缚作用,其运动路线受到控制,因此大幅度增加了电子与Ar分子(原子)碰撞的几率,提高了气体分子的电离程度,从而使溅射效率得到很大的提升。溅射现象自发现以来己被普遍应用在多种薄膜的制备中,如制备金属、半导体、合金、氧化物以及化合物半导体等。磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。磁控溅射在技术上可以分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射。

磁控溅射方法可用于制备多种材料,如金属、半导体、绝缘子等。它具有设备简单、易于控制、涂覆面积大、附着力强等优点。磁控溅射发展至今,除了上述一般溅射方法的优点外,还实现了高速、低温、低损伤。磁控溅射镀膜常见领域应用:1、各种功能薄膜。如具有吸收、透射、反射、折射、偏振等功能。例如,在低温下沉积氮化硅减反射膜以提高太阳能电池的光电转换效率。2、微电子。可作为非热镀膜技术,主要用于化学气相沉积。3、装饰领域的应用:如各种全反射膜和半透明膜;比如手机壳、鼠标等。磁控溅射是一种基于等离子体的沉积过程,其中高能离子向目标加速。离子撞击目标,原子从表面喷射。

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反应磁控溅射是以金属、合金、低价金属化合物或半导体材料作为靶阴极,在溅射过程中或在基片表面沉积成膜过程中与气体粒子反应生成化合物薄膜,这就是反应磁控溅射。反应磁控溅射普遍应用于化合物薄膜的大批量生产,这是因为:1、反应磁控溅射所用的靶材料和反应气体纯度很高,因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。2、通过调节反应磁控溅射中的工艺参数,可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜,通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性。3、反应磁控溅射沉积过程中基板升温较小,而且制膜过程中通常也不要求对基板进行高温加热,因此对基板材料的限制较少。4、反应磁控溅射适于制备大面积均匀薄膜,并能实现单机年产上百万平方米镀膜的工业化生产。反应磁控溅射所用的靶材料和反应气体纯度很高,因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。深圳反应磁控溅射方案

磁控溅射技术具有哪些优点?上海直流磁控溅射平台

交流磁控溅射和直流溅射的区别如下:交流磁控溅射和直流溅射相比交流磁控溅射采用交流电源代替直流电源,解决了靶面的异常放电现象。交流溅射时,靶对真空室壁不是恒定的负电压,而是周期一定的交流脉冲电压。设脉冲电压的周期为T,在负脉冲T—△T时间间隔内,靶面处于放电状态,这一阶段和直流磁控溅射相似;靶面上的绝缘层不断积累正电荷,绝缘层上的场强逐步增大;当场强增大至一定限度后靶电位骤降为零甚至反向,即靶电位处于正脉冲△T阶段。在△T时间内,放电等离子体中的负电荷─电子向靶面迁移并中和了绝缘层表面所带的正电荷,使绝缘层内场强恢复为零,从而消除了靶面异常放电的可能性。上海直流磁控溅射平台

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