真空镀膜：真空溅射法：真空溅射法是物理的气相沉积法中的后起之秀。随着高纯靶材料和高纯气体制备技术的发展，溅射镀膜技术飞速发展，在多元合金薄膜的制备方面显示出独到之处。其原理为：稀薄的空气在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材料表面进行轰击，把靶材料表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方法射向基体表面，在基体表面形成镀层。特点为：镀膜层与基材的结合力强；镀膜层致密、均匀；设备简单，操作方便，容易控制。主要的溅射方法有直流溅射、射频溅射、磁控溅射等。目前应用较多的是磁控溅射法。真空镀膜机光学镀膜主要有两种：一种是抗反射膜、另一种是加硬膜。绍兴小家电真空镀膜
真空镀膜：真空蒸镀基本工艺镀前处理：包括清洗镀件和预处理。具体清洗方法有清洗剂清洗、化学溶剂清洗、超声波清洗和离子轰击清洗等。具体预处理有除静电，涂底漆等。装炉：包括真空室清理及镀件挂具的清洗，蒸发源安装、调试、镀件褂卡。抽真空：一般先粗抽至6。6Pa以上，更早打开扩散泵的前级维持真空泵，加热扩散泵。待预热足够后，打开高阀，用扩散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。烘烤：将镀件烘烤加热到所需温度。离子轰击：真空度一般在10Pa～10-1Pa，离子轰击电压200V～1kV负高压，离击时间为5min～30min,预熔：调整电流使镀料预熔，除气1min～2min。蒸发沉积：根据要求调整蒸发电流，直到所需沉积时间结束。冷却：镀件在真空室内冷却到一定温度。出炉：取件后，关闭真空室，抽真空至1×10-1Pa，扩散泵冷却到允许温度，才可关闭维持泵和冷却水。后处理：涂面漆等。开封真空镀膜涂料广义的真空镀膜还包括在金属或非金属材料表面真空蒸镀聚合物等非金属功能性薄膜。
常用的薄膜制备方式主要有两种，其中一种是物理法气相沉积（PVD），PVD的方法有磁控溅射镀膜、电子束蒸发镀膜、热阻蒸发等。另一种是化学法气相沉积（CVD），主要有常压CVD、LPCVD（低压沉积法）、PECVD（等离子体增强沉积法）等方法。真空镀膜的工艺流程：真空镀膜的工艺流程一般依次为：前处理及化学清洗（材料进行有机清洗和无机清洗）→衬底真空中烘烤加热→等离子体清洗→金属离子轰击→镀金属过渡层→镀膜（通入反应气体）。
PECVD一般用到的气体有硅烷、笑气、氨气等其他。这些气体通过气管进入在反应腔体，在射频源的左右下，气体被电离成活性基团。活性基团进行化学反应，在低温（300摄氏度左右）生长氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半导体器件的绝缘层，可有效的进行绝缘。PECVD生长氧化硅薄膜是一个比较复杂的过程，薄膜的沉积速率主要受到反应气体比例、RF功率、反应室压力、基片生长温度等。在一定范围内，提高硅烷与笑气的比例，可提供氧化硅的沉积速率。在RF功率较低的时候，提升RF功率可提升薄膜的沉积速率，当RF增加到一定值后，沉积速率随RF增大而减少，然后趋于饱和。在一定的气体总量条件下，沉积速率随腔体压力增大而增大。PECVD在低温范围内（200-350℃），沉积速率会随着基片温度的升高而略微下降，但不是太明显。真空溅镀的镀层可通过调节电流大小和时间来垒加，但不能太厚，一般厚度在0.2~2um。
真空镀膜：物理的气相沉积技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术，物理的气相沉积是主要的表面处理技术之一。PVD(物理的气相沉积)镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。物理的气相沉积的主要方法有：真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜和分子束外延等。相应的真空镀膜设备包括真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间(或决定于装料量)，并与源和基片的距离有关。云浮真空镀膜涂料
只要镀上一层真空镀膜，就能使材料具有许多新的、良好的物理和化学性能。绍兴小家电真空镀膜
磁控溅射是物理沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率，可以在样品表面蒸镀致密的薄膜。绍兴小家电真空镀膜
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