深圳半导体封装烧结纳米银膏

聚峰纳米烧结银膏烧结后银层与基材结合强度高，耐冷热冲击、抗振动脱落，通过多项严苛可靠性验证。在高低温冲击、高温高湿、温度循环等测试中，银层结构稳定，无开裂、无氧化、无失效，满足车规级与工业级器件认证标准。其优异的结合力可应对车辆行驶、工业设备运行中的振动与冲击，保证连接不失效。针对极端应用环境，配方可进一步定制优化，提升耐候性与稳定性。无论是车载功率模块、工业控制器还是航空电子设备，聚峰烧结银膏均能提供可靠的封装互连，让设备在复杂工况下长期稳定工作。烧结银膏采用无铅无卤素配方，符合 RoHS 标准，是绿色电子制造优先选择材料。深圳半导体封装烧结纳米银膏

聚峰烧结纳米银膏采用无铅、无卤、无重金属的配方，完全符合 RoHS、REACH 等标准，从材料源头规避传统含铅焊料的问题。针对 SiC、GaN 宽禁带半导体的封装特性，产品优化了银粉粒径与烧结活性，适配宽禁带芯片的高温工作需求，解决了传统锡膏、锡膏在 200℃以上易软化、蠕变、失效的痛点。相比传统焊料，该银膏烧结后形成的纯银互连层，化学稳定性更强，耐氧化、耐腐蚀，在高温、高湿、强振动的复杂工况下，仍能保持稳定的互连性能，为宽禁带半导体器件的长期可靠运行提供关键材料，推动第三代半导体封装向绿色、高可靠方向发展。四川半导体封装烧结银膏烧结纳米银膏烧结后电阻率低至 10⁻⁸Ω・m 量级，导电性能远超传统锡基焊料。

聚峰烧结银膏作为第三代半导体封装的关键材料，正助力新能源汽车、光伏储能、工业等领域的技术升级。相比传统锡基焊料，该银膏在提升器件功率密度、散热效率、可靠性的同时，可降低封装制程成本 30% 以上，推动第三代半导体器件从实验室走向规模化量产。在新能源汽车领域，助力 SiC 功率模块实现轻量化，提升续航里程；在光伏储能领域，适配光伏逆变器、储能变流器的高功率封装，提升能源转换效率；在工业领域，保证工业电源、伺服驱动的长期稳定运行。聚峰烧结银膏以高性能、低成本的优势，成为第三代半导体封装产业化的关键推手，加速电子制造领域的技术迭代与产业升级。

聚峰烧结银膏能够同时适配铜基板与AMB陶瓷基板的异质界面互连需求。铜基板具有较好的导电和导热性能，但表面易氧化生成疏松的氧化铜层。AMB陶瓷基板表面通常覆有铜箔，通过活性金属钎焊工艺与氮化硅或氮化铝陶瓷结合。两种基板的热膨胀系数差异较大，铜约为17ppm/K，而氮化铝陶瓷约为4.5ppm/K。聚峰烧结银膏的烧结层具备一定的塑性变形能力，可以吸收热循环产生的剪切应变。在互连工艺中，银膏首先通过丝网印刷或点胶方式涂覆在两种基板表面，然后进行预干燥去除低沸点溶剂。贴装芯片后进行分段升温烧结，银膏在两种材料界面形成均匀过渡层。聚峰烧结银膏对不同表面处理状态的基板表现出良好的润湿性，无论是裸铜还是化学镀镍钯金表面均可直接使用。这为混合封装结构提供了简洁的材料体系。烧结银膏在新能源汽车电控、航天电子、大功率 LED 等领域，是高可靠互连的关键材料。

聚峰烧结银膏针对 AI 芯片、服务器电源等算力设备的封装需求，完成了专项性能优化。AI 芯片、服务器电源工作时功率密度高、发热量极大，传统焊料无法满足其散热与可靠性需求。聚峰烧结银膏烧结后形成的纯银互连层，热阻极低、散热快，可速度导出芯片热量，将器件工作温度降低 15-20℃，避免高温导致的算力衰减。同时，银层优异的导电性能，可承载大电流传输，满足服务器电源、AI 加速卡的高功率需求。此外，产品抗热疲劳、抗电迁移性能突出，在 7×24 小时不间断运行的服务器场景中，可保护器件 10 年以上的稳定运行，为算力基础设施的可靠运行提供关键材料支撑。纳米烧结银膏适配 SiC、GaN 宽禁带器件，是第三代半导体封装优先选择互连材料。四川半导体封装烧结银膏

纳米烧结银膏连接层热膨胀匹配性优，减少热应力，延长碳化硅、氮化镓功率模块寿命。深圳半导体封装烧结纳米银膏

聚峰烧结银膏通过优化粘结剂与表面处理技术，具备优异的基材适配性与附着力，可牢固附着于陶瓷、硅片、氧化铝、氮化铝等多种电子封装常用基材表面。烧结后银层与基材界面结合紧密，无分层、剥离现象，能适应不同基材的热膨胀系数差异，在温度变化时依旧保持连接稳定。从陶瓷基功率模块到硅基芯片封装，从高频通信基板到工业电子组件，聚峰烧结银膏凭借基材适配能力，覆盖多场景电子封装需求，为不同类型器件的组装提供灵活可靠的导电连接方案。深圳半导体封装烧结纳米银膏