吴江区常见光刻系统选择

EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。根据瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），这么短的波长可以提供极高的光刻分辨率。换个角度讲，使用193i与EUV光刻机曝同一个图形，EUV的工艺的k1因子要比193i大。k1越大对应的光刻工艺就越容易；k1的极限是0.25，小于0.25的光刻工艺是不可能的。从32nm半周期节点开始（对应20nm逻辑节点），即使使用1.35NA的193nm浸没式光刻机，k1因子也小于0.25。一次曝光无法分辨32nm半周期的图形，必须使用双重光刻技术。使用0.32NA的EUV光刻，即使是11nm半周期的图形，k1仍然可以大于0.25。激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。吴江区常见光刻系统选择

b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应，降低了分辨率。1970后适用，但是其最大分辨率*为2～4μm。c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。投影式曝光分类：张家港购买光刻系统五星服务缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。

涂底方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性旋转涂胶方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。

得指出的是，EUV光刻技术的研发始于20世纪80年代。**早希望在半周期为70nm的节点（对应逻辑器件130nm节点）就能用上EUV光刻机 [1]。可是，这一技术一直达不到晶圆厂量产光刻所需要的技术指标和产能要求。一拖再拖，直到2016年，EUV光刻机仍然没能投入量产。晶圆厂不得不使用193nm浸没式光刻机，依靠双重光刻的办法来实现32nm存储器件、20nm和14nm逻辑器件的生产。不断延误，对EUV技术来说，有利也有弊。一方面，它可以获得更多的时间来解决技术问题，提高性能参数；另一方面，下一个技术节点会对EUV提出更高的要求。无掩模激光直写系统利用激光直接在基材上成像，适用于柔性电子器件制造等领域 [5]。

英特尔高级研究员兼技术和制造部先进光刻技术总监YanBorodovsky在去年说过“针对未来的IC设计，我认为正确的方向是具有互补性的光刻技术。193纳米光刻是当前能力**强且**成熟的技术，能够满足精确度和成本要求，但缺点是分辨率低。利用一种新技术作为193纳米光刻的补充，可能是在成本、性能以及精确度方面的比较好解决方案。补充技术可以是EUV或电子束光刻。” [3]现阶段很多公司也在推动纳米压印、无掩膜光刻或一种被称为自组装的新兴技术。但是EUV光刻仍然被认为是下一代CPU的比较好工艺。方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；江苏购买光刻系统批量定制

EUV光刻系统的发展历经应用基础研究至量产四个阶段，其突破得益于多元主体协同创新和全产业链资源整合 [3]。吴江区常见光刻系统选择

1.气相成底模2.旋转烘胶3.软烘4.对准和曝光5.曝光后烘焙（PEB）6.显影7.坚膜烘焙8.显影检查光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。准分子光刻技术作为当前主流的光刻技术，主要包括：特征尺寸为0．1μm的248 nm KrF准分子激光技术；特征尺寸为90 nm的193 nm ArF准分子激光技术；特征尺寸为65 nm的193 nm ArF浸没式技术（Immersion，193i）。其中193 nm浸没式光刻技术是所有光刻技术中**为长寿且**富有竞争力的，也是如何进一步发挥其潜力的研究热点。传统光刻技术光刻胶与曝光镜头之间的介质是空气，而浸没 式技术则是将空气 换成液体介质。吴江区常见光刻系统选择

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