光刻系统基本参数
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光刻系统企业商机

主要流程光复印工艺的主要流程如图2:曝光方式常用的曝光方式分类如下:接触式曝光和非接触式曝光的区别,在于曝光时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。接触式曝光具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产效率高等特点。但容易损伤和沾污掩模版和晶片上的感光胶涂层,影响成品率和掩模版寿命,对准精度的提高也受到较多的限制。一般认为,接触式曝光只适于分立元件和中、小规模集成电路的生产。非接触式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系统中,掩膜图形经光学系统成像在感光层上,掩模与晶片上的感光胶层不接触,不会引起损伤和沾污,成品率较高,对准精度也高,能满足高集成度器件和电路生产的要求。但投影曝光设备复杂,技术难度高,因而不适于低档产品的生产。现代应用**广的是 1:1倍的全反射扫描曝光系统和x:1倍的在硅片上直接分步重复曝光系统。 [2]方法:真空热板,85~120C,30~60秒;工业园区直销光刻系统规格尺寸

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光刻系统SUSS是一种应用于半导体制造领域的工艺试验仪器,其比较大基片尺寸为6英寸,可实现0.5μm的分辨率和1μm的**小线宽 [1]。该系统通过精密光学曝光技术完成微电子器件的图形转移,为集成电路研发和生产提供关键工艺支持。比较大基片处理能力:支持直径6英寸的基片加工(截至2021年1月) [1]图形分辨率:系统的光学成像系统可实现0.5μm的分辨率 [1]线宽控制:在标准工艺条件下能够稳定实现1μm的**小线宽加工 [1]该系统采用接触式/接近式曝光原理,通过紫外光源实现掩模图形向基片光刻胶的精确转移。其精密对准机构可保证多次曝光时的套刻精度,适用于半导体器件研发阶段的工艺验证和小批量试制。江苏耐用光刻系统批量定制国内上海微电子装备股份有限公司研制的紫外光刻机占据中端市场 [7]。

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两种工艺常规光刻技术是采用波长为2000~4500埃的紫外光作为图像信息载体,以光致抗蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,**终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上,它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。①光复印工艺:经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置,精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。②刻蚀工艺:利用化学或物理方法,将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去,从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的,因而光刻工艺总是多次反复进行。例如,大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递。在狭义上,光刻工艺*指光复印工艺,即从④到⑤或从③到⑤的工艺过程

后烘方法:热板,110~130C,1分钟。目的:a、减少驻波效应;b、激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。显影方法:a、整盒硅片浸没式显影(Batch Development)。缺点:显影液消耗很大;显影的均匀性差;b、连续喷雾显影(Continuous Spray Development)/自动旋转显影(Auto-rotation Development)。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面,同时硅片低速旋转(100~500rpm)。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。全球光刻系统主要由ASML、Nikon等企业主导,国内厂商如上海微电子在中端设备领域取得突破 [7]。

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由于193nm沉浸式工艺的延伸性非常强,同时EUV技术耗资巨大进展缓慢。EUV(极紫外线光刻技术)是下一代光刻技术(<32nm节点的光刻技术)。它是采用波长为13.4nm的软x射线进行光刻的技术。EUV光刻的基本设备方面仍需开展大量开发工作以达到适于量产的成熟水平。当前存在以下挑战:(1)开发功率足够高的光源并使系统具有足够的透射率,以实现并保持高吞吐量。(2)掩模技术的成熟,包括以足够的平面度和良率制**射掩模衬底,反射掩模的光化学检测,以及因缺少掩模表面的保护膜而难以满足无缺陷操作要求。(3)开发高灵敏度且具有低线边缘粗糙度(LineEdgeRoughness,LER)的光刻胶。 [3]颗粒控片(Particle MC):用于芯片上微小颗粒的监控,使用前其颗粒数应小于10颗;相城区比较好的光刻系统多少钱

EUV光刻系统的发展历经应用基础研究至量产四个阶段,其突破得益于多元主体协同创新和全产业链资源整合 [3]。工业园区直销光刻系统规格尺寸

e、光刻胶厚度控片(PhotoResist Thickness MC):光刻胶厚度测量;f、光刻缺陷控片(PDM,Photo Defect Monitor):光刻胶缺陷监控。举例:0.18μm的CMOS扫描步进光刻工艺。光源:KrF氟化氪DUV光源(248nm);数值孔径NA:0.6~0.7;焦深DOF:0.7μm;分辨率Resolution:0.18~0.25μm(一般采用了偏轴照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技术PSM_Phase Shift Mask增强);套刻精度Overlay:65nm;产能Throughput:30~60wafers/hour(200mm);视场尺寸Field Size:25×32mm;工业园区直销光刻系统规格尺寸

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  • b、坚膜,以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力;c、进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性;d、进一步减少驻波效应(Standing Wave Effect)。常见问题:a、烘烤不足(Underbake)。减弱光刻胶的强度(抗刻蚀能力和离子注入中的阻挡能力);降低***填充能力(Gapfi...
  • 显影中的常见问题:a、显影不完全(Incomplete Development)。表面还残留有光刻胶。显影液不足造成;b、显影不够(Under Development)。显影的侧壁不垂直,由显影时间不足造成;c、过度显影(Over Development)。靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解,形成台阶...
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