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实际上,由于液体介质的折射率相比空气介质更接近曝光透镜镜片材料的折射率,等效地加大了透镜口径尺寸与数值孔径(NA),同时可以 ***提高焦深(DOF)和曝光工艺的宽容度(EL),浸没式光 刻 技 术 正 是 利 用 这 个 原 理 来 提 高 其 分 辨率。世界三 大光刻机 生产商ASML,Nikon和Cannon的*** 代 浸 没 式 光 刻 机 样 机 都 是 在 原 有193nm干式光刻机的基础上改进研制而成,**降低了研发成本和风险。因为浸没式光刻系统的原理清晰而且配合现有的光刻技术变动不大,193nm ArF准分子激光光刻技术在65nm以下节点半导体量产中已经广泛应用;ArF浸没式光刻 技 术 在45nm节 点 上 是 大 生 产 的 主 流 技 术。边缘的光刻胶一般涂布不均匀,不能得到很好的图形,而且容易发生剥离(Peeling)而影响其它部分的图形。吴江区购买光刻系统推荐货源
光致抗蚀剂,简称光刻胶或抗蚀剂,指光照后能改变抗蚀能力的高分子化合物。光蚀剂分为两大类。①正性光致抗蚀剂:受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。正性抗蚀剂具有分辨率高、对驻波效应不敏感、曝光容限大、***密度低和无毒性等优点,适合于高集成度器件的生产。②负性光致抗蚀剂:受光照部分产生交链反应而成为不溶物,非曝光部分被显影液溶解,获得的图形与掩模版图形互补。负性抗蚀剂的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严,适于低集成度的器件的生产。常熟购买光刻系统量大从优目的:除去溶剂(4~7%);增强黏附性;释放光刻胶膜内的应力;防止光刻胶玷污设备;
显影中的常见问题:a、显影不完全(Incomplete Development)。表面还残留有光刻胶。显影液不足造成;b、显影不够(Under Development)。显影的侧壁不垂直,由显影时间不足造成;c、过度显影(Over Development)。靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解,形成台阶。显影时间太长。硬烘方法:热板,100~130C(略高于玻璃化温度Tg),1~2分钟。目的:a、完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂(以免在污染后续的离子注入环境,例如DNQ酚醛树脂光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂);
b、坚膜,以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力;c、进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性;d、进一步减少驻波效应(Standing Wave Effect)。常见问题:a、烘烤不足(Underbake)。减弱光刻胶的强度(抗刻蚀能力和离子注入中的阻挡能力);降低***填充能力(Gapfill Capability for the needle hole);降低与基底的黏附能力。b、烘烤过度(Overbake)。引起光刻胶的流动,使图形精度降低,分辨率变差。另外还可以用深紫外线(DUV,Deep Ultra-Violet)坚膜。使正性光刻胶树脂发生交联形成一层薄的表面硬壳,增加光刻胶的热稳定性。在后面的等离子刻蚀和离子注入(125~200C)工艺中减少因光刻胶高温流动而引起分辨率的降低。其技术发展历经紫外(UV)、深紫外(DUV)到极紫外(EUV)阶段,推动集成电路制程不断进步 [3] [6]。
b、接近式曝光(Proximity Printing)。掩膜板与光刻胶层的略微分开,大约为10~50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应,降低了分辨率。1970后适用,但是其最大分辨率*为2~4μm。c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影响减小。投影式曝光分类:光刻胶涂覆后,在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。太仓销售光刻系统五星服务
一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面,同时硅片低速旋转(100~500rpm)。吴江区购买光刻系统推荐货源
制造掩模版,比较灵活。但由于其曝光效率低,主要用于实验室小样品纳米制造。而电子束曝光要适应大批量生产,如何进一步提高曝光速度是个难题。为了解决电子束光刻的效率问题,通常将其与其他光刻技术配合使用。例如为解决曝光效率问题,通常采用电子束光刻与光学光刻进行匹配与混合光刻的办法,即大部分曝光工艺仍然采用现有十分成熟的半导体光学光刻工艺制备,只有纳米尺度的图形或者工艺层由电子束光刻实现。在传统光学光刻技术逼近工艺极限的情况下,电子束光刻技术将有可能出现在与目前193i为**的光学曝光技术及EUV技术相匹配的混合光刻中,在实现10nm级光刻中起重要的作用。吴江区购买光刻系统推荐货源
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