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EUV光刻技术的发展能否赶得上集成电路制造技术的要求？这仍然是一个问题。当然，EUV光刻技术的进步也是巨大的。截止2016年，用于研发和小批量试产的EUV光刻机，已经被安装在晶圆厂，并投入使用 [1]。EUV光刻所能提供的高分辨率已经被实验所证实。光刻机供应商已经分别实现了20nm和14nm节点的SRAM的曝光，并与193i曝光的结果做了对比。显然，即使是使用研发机台，EUV曝光的分辨率也远好于193i。14nm节点图形的曝光聚焦深度能到达250nm以上。 [1]接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。淮安购买光刻系统选择

英特尔高级研究员兼技术和制造部先进光刻技术总监YanBorodovsky在去年说过“针对未来的IC设计，我认为正确的方向是具有互补性的光刻技术。193纳米光刻是当前能力**强且**成熟的技术，能够满足精确度和成本要求，但缺点是分辨率低。利用一种新技术作为193纳米光刻的补充，可能是在成本、性能以及精确度方面的比较好解决方案。补充技术可以是EUV或电子束光刻。” [3]现阶段很多公司也在推动纳米压印、无掩膜光刻或一种被称为自组装的新兴技术。但是EUV光刻仍然被认为是下一代CPU的比较好工艺。相城区购买光刻系统五星服务如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。

光刻技术是现代集成电路设计上一个比较大的瓶颈。现cpu使用的45nm、32nm工艺都是由193nm液浸式光刻系统来实现的，但是因受到波长的影响还在这个技术上有所突破是十分困难的，但是如采用EUV光刻技术就会很好的解决此问题，很可能会使该领域带来一次飞跃。但是涉及到生产成本问题，由于193纳米光刻是当前能力**强且**成熟的技术，能够满足精确度和成本要求，所以其工艺的延伸性非常强，很难被取代。因而在2011年国际固态电路会议(ISSCC2011)上也提到，在光刻技术方面，22/20nm节点主要几家芯片厂商也将继续使用基于193nm液浸式光刻系统的双重成像（doublepatterning）技术。 [2]

世界三 大光刻机 生产商ASML，Nikon和Cannon的*** 代 浸 没 式 光 刻 机 样 机 都 是 在 原 有193nm干式光刻机的基础上改进研制而成，**降低了研发成本和风险。因为浸没式光刻系统的原理清晰而且配合现有的光刻技术变动不大，目前193nm ArF准分子激光光刻技术在65nm以下节点半导体量产中已经广泛应用；ArF浸没式光刻 技 术 在45nm节 点 上 是 大 生 产 的 主 流 技 术。为把193i技术进一步推进到32和22nm的技术节点上，光刻**一直在寻找新的技术，在没有更好的新光刻技术出现前，两次曝光技术（或者叫两次成型技术，DPT）成为人们关 注 的 热 点。ArF浸没式两次曝光技术已被业界认为是32nm节点相当有竞争力的技术；在更低的22nm节点甚至16nm节点技术中，浸没式 光刻技术也 具 有相当大 的优势。光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。

两种工艺常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，**终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。①光复印工艺：经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。②刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。例如，大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递。在狭义上，光刻工艺*指光复印工艺,即从④到⑤或从③到⑤的工艺过程表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。相城区购买光刻系统五星服务

EUV光刻系统的发展历经应用基础研究至量产四个阶段，其突破得益于多元主体协同创新和全产业链资源整合 [3]。淮安购买光刻系统选择

涂底方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性旋转涂胶方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。淮安购买光刻系统选择

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