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其主要成像原理是光波波长为10～14nm的极端远紫外光波经过周期性多层膜反射镜投射到反射式掩模版上，通过反射式掩模版反射出的极紫外光波再通过由多面反射镜组成的缩小投影系统，将反射式掩模版上的集成电路几何图形投影成像到硅片表面的光刻胶中，形成集成电路制造所需要的光刻图形。目 前EUV技 术 采 用 的 曝 光 波 长 为13．5nm，由于其具有如此短的波长，所有光刻中不需要再使用光学邻近效应校正（OPC）技术，因而它可以把光刻技术扩展到32nm以下技术节点。2009年9月Intel*** 次 向 世 人 展 示 了22 nm工艺晶圆，称继续使用193nm浸没式光刻技术，并规 划 与EUV及EBL曝 光 技 术 相 配 合，使193nm浸没式光刻技术延伸到15和11nm工艺节点。 [3]EUV光刻系统的发展历经应用基础研究至量产四个阶段，其突破得益于多元主体协同创新和全产业链资源整合 [3]。昆山购买光刻系统推荐货源

浸没式光刻技术所面临的挑战主要有：如何解决曝光中产生的气泡和污染等缺陷的问题；研发和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻胶的问题；研发折射率较大的光学镜头材料和浸没液体材料；以 及 有 效 数 值 孔 径NA值 的 拓 展 等 问题。针 对 这 些 难 题 挑 战，国 内 外 学 者 以 及ASML，Nikon和IBM等公 司已 经 做 了 相 关 研 究并提出相应的对策。浸没式光刻机将朝着更高数值孔径发展，以满足更小光刻线宽的要求。 [1]提高光刻技术分辨率的传统方法是增大镜头的NA或缩 短 波 长，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 缩 短 波长。昆山购买光刻系统推荐货源激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。

涂底方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性旋转涂胶方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。

介绍04:54新型DUV光刻机公布，套刻精度达8纳米！与全球前列设备差多少？直接分步重复曝光系统 (DSW)  超大规模集成电路需要有高分辨率、高套刻精度和大直径晶片加工。直接分步重复曝光系统是为适应这些相互制约的要求而发展起来的光学曝光系统。主要技术特点是：①采用像面分割原理，以覆盖比较大芯片面积的单次曝光区作为**小成像单元，从而为获得高分辨率的光学系统创造条件。②采用精密的定位控制技术和自动对准技术进行重复曝光，以组合方式实现大面积图像传递，从而满足晶片直径不断增大的实际要求。优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。

由于193nm沉浸式工艺的延伸性非常强，同时EUV技术耗资巨大进展缓慢。EUV（极紫外线光刻技术）是下一代光刻技术（<32nm节点的光刻技术）。它是采用波长为13.4nm的软x射线进行光刻的技术。EUV光刻的基本设备方面仍需开展大量开发工作以达到适于量产的成熟水平。当前存在以下挑战：（1）开发功率足够高的光源并使系统具有足够的透射率，以实现并保持高吞吐量。（2）掩模技术的成熟，包括以足够的平面度和良率制**射掩模衬底，反射掩模的光化学检测，以及因缺少掩模表面的保护膜而难以满足无缺陷操作要求。（3）开发高灵敏度且具有低线边缘粗糙度(LineEdgeRoughness,LER)的光刻胶。 [3]工作原理是通过光源、照明系统和投影物镜将掩模图案转移至硅片，实现纳米级曝光精度 [6-7]。常州供应光刻系统规格尺寸

无掩模激光直写系统利用激光直接在基材上成像，适用于柔性电子器件制造等领域 [5]。昆山购买光刻系统推荐货源

EUV光刻技术的发展能否赶得上集成电路制造技术的要求？这仍然是一个问题。当然，EUV光刻技术的进步也是巨大的。截止2016年，用于研发和小批量试产的EUV光刻机，已经被安装在晶圆厂，并投入使用 [1]。EUV光刻所能提供的高分辨率已经被实验所证实。光刻机供应商已经分别实现了20nm和14nm节点的SRAM的曝光，并与193i曝光的结果做了对比。显然，即使是使用研发机台，EUV曝光的分辨率也远好于193i。14nm节点图形的曝光聚焦深度能到达250nm以上。 [1]昆山购买光刻系统推荐货源

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