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涂底方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性旋转涂胶方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。典型售后服务包括1年保修期、可延长保修期、现场技术咨询 [2]。工业园区耐用光刻系统五星服务

为把193i技术进一步推进到32和22nm的技术节点上，光刻**一直在寻找新的技术，在没有更好的新光刻技术出现前，两次曝光技术（或者叫两次成型技术，DPT）成为人们关 注 的 热 点。ArF浸没式两次曝光技术已被业界认为是32nm节点相当有竞争力的技术；在更低的22nm节点甚至16nm节点技术中，浸没式 光刻技术也 具 有相当大 的优势。01:23新哥聊芯片:13.光刻机的数值孔径浸没式光刻技术所面临的挑战主要有：如何解决曝光中产生的气泡和污染等缺陷的问题；研发和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻胶的问题；研发折射率较大的光学镜头材料和浸没液体材料；以 及 有 效 数 值 孔 径NA值 的 拓 展 等 问题。针 对 这 些 难 题 挑 战，国 内 外 学 者 以 及ASML，Nikon和IBM等公 司已 经 做 了 相 关 研 究并提出相应的对策。浸没式光刻机将朝着更高数值孔径发展，以满足更小光刻线宽的要求。吴江区购买光刻系统五星服务边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。

准分子光刻技术作为当前主流的光刻技术，主要包括：特征尺寸为0．1μm的248 nm KrF准分子激光技术；特征尺寸为90 nm的193 nm ArF准分子激光技术；特征尺寸为65 nm的193 nm ArF浸没式技术（Immersion，193i）。其中193 nm浸没式光刻技术是所有光刻技术中**为长寿且**富有竞争力的，也是目前如何进一步发挥其潜力的研究热点。传统光刻技术光刻胶与曝光镜头之间的介质是空气，而浸没 式技术则是将空气 换成液体介质。实际上，由于液体介质的折射率相比空气介质更接近曝光透镜镜片材料的折射率，等效地加大了透镜口径尺寸与数值孔径（NA），同时可以 ***提高焦深（DOF）和曝光工艺的宽容度（EL），浸没式光 刻 技 术 正 是 利 用 这 个 原 理 来 提 高 其 分 辨率。

浸没式光刻机是通过在物镜与晶圆之间注入超纯水，等效缩短光源波长并提升数值孔径，从而实现更高分辨率的半导体制造**设备。2024年9月工信部文件显示，国产氟化氩浸没式光刻机套刻精度已达到≤8nm水平。该技术研发涉及浸液系统、光学控制等多项复杂工艺，林本坚团队在浸液系统领域取得关键突破。目前国产ArF光刻机在成熟制程（如28nm）上有应用潜力，但与ASML同类产品仍存在代差 [1]。通过浸液系统在物镜和晶圆之间填充超纯水，将193nm的氟化氩激光等效缩短为134nm波长，同时将数值孔径提升至1.35以上，***增强光刻分辨率 [1]。该技术相比干式光刻机，可突破物理衍射极限。方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；

2019年荷兰阿斯麦公司推出新一代极紫外光刻系统，**了当今**的第五代光刻系统，可望将摩尔定律物理极限推向新的高度 [5]。中国工程院《Engineering》期刊于2021年组建跨学科评选委员会，通过全球**提名、公众问卷等多阶段评审，选定近五年内完成且具有全球影响力的**工程成就。极紫外光刻系统凭借三大**指标入选：原创性突破：开发新型等离子体光源与反射式光学系统系统创新：整合超精密机械、真空环境控制与实时检测技术产业效益：支撑全球90%以上**芯片制造需求 [1] [3-4] [7]。b、除去水蒸气，使基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性六甲基二硅胺烷）。姑苏区耐用光刻系统量大从优

光刻缺陷控片（PDM，Photo Defect Monitor）：光刻胶缺陷监控。工业园区耐用光刻系统五星服务

光致抗蚀剂，简称光刻胶或抗蚀剂，指光照后能改变抗蚀能力的高分子化合物。光蚀剂分为两大类。①正性光致抗蚀剂：受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。正性抗蚀剂具有分辨率高、对驻波效应不敏感、曝光容限大、***密度低和无毒性等优点，适合于高集成度器件的生产。②负性光致抗蚀剂：受光照部分产生交链反应而成为不溶物，非曝光部分被显影液溶解，获得的图形与掩模版图形互补。负性抗蚀剂的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严，适于低集成度的器件的生产。工业园区耐用光刻系统五星服务

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