江门中性功率电子清洗剂方案

功率电子清洗剂的挥发性因类型不同差异较大，清洗后是否留残也与之直接相关，需结合具体配方判断：主流溶剂型清洗剂（如醇醚类、异丙醇复配型）挥发性较强，常压下沸点多在 80-150℃，清洗后通过自然晾干（室温 25℃约 5-10 分钟）或短时间热风烘干（50-60℃），溶剂可完全挥发，不易留下残留物，这类清洗剂成分单一且纯度高（杂质含量≤0.1%），适合对洁净度要求高的场景（如 IGBT 芯片、LED 封装）。半水基清洗剂（溶剂 + 水 + 表面活性剂）挥发性中等，需通过纯水漂洗 + 烘干工序，若自然晾干，表面活性剂（如非离子醚类）可能在器件表面形成微量薄膜残留（需通过接触角测试仪检测，接触角＞85° 即判定有残留）。低挥发性溶剂型清洗剂（如高沸点酯类）虽安全性高，但挥发速度慢（室温下需 30 分钟以上），若清洗后未充分烘干，易残留溶剂痕迹，需搭配热风循环烘干设备（温度 70-80℃，时间 15-20 分钟）。此外，清洗剂纯度（如工业级 vs 电子级）也影响留残，电子级清洗剂（金属离子含量≤10ppm）残留风险远低于工业级，实际使用中需根据器件材质与工艺选择对应类型，并通过显微镜观察 + 离子色谱检测确认无残留。对复杂电路系统有良好兼容性，清洗更放心。江门中性功率电子清洗剂方案

功率电子模块清洗剂能有效去除SiC芯片表面的焊膏残留，但需根据焊膏成分和芯片特性选择合适类型及工艺。SiC芯片表面的焊膏残留多为无铅焊膏（如SnAgCu）的助焊剂（松香基或水溶性）与焊锡颗粒，其去除难点在于芯片边缘、键合区等细微缝隙的残留附着。溶剂型清洗剂（如改性醇醚、碳氢溶剂）对松香基助焊剂溶解力强，可快速渗透至SiC芯片与基板的间隙，配合超声波（30-40kHz）能剥离焊锡颗粒，适合重度残留。水基清洗剂含表面活性剂与螯合剂，对水溶性助焊剂及焊锡氧化物的去除效果更优，且对SiC芯片的陶瓷层无腐蚀风险，适合轻中度残留。需注意：SiC芯片的金属化层（如Ti/Ni/Ag）若暴露，需避免强酸性清洗剂（pH＜5），以防腐蚀；清洗后需经去离子水漂洗（电导率≤10μS/cm）并真空干燥（80-100℃），防止残留影响键合可靠性。合格清洗剂在优化工艺下，可将焊膏残留控制在IPC标准的5μg/cm²以下，满足SiC模块的精密装配要求。江门中性功率电子清洗剂方案适配自动化清洗设备，微米级颗粒污垢一次去除。

去除功率LED芯片表面助焊剂飞溅且不损伤镀银层，需兼顾清洗效率与银层保护，重要在于选择温和介质与精细工艺控制。助焊剂飞溅多为松香基树脂、有机酸及活化剂残留，呈半固态附着，银层（厚度通常1-3μm）易被酸性物质腐蚀（生成Ag₂S）或碱性物质氧化（形成AgO）。需采用弱碱性中性清洗剂（pH7.5-8.5），含非离子表面活性剂（如C12-14脂肪醇醚）与有机胺螯合剂（如三乙醇胺），既能乳化松香树脂，又可络合有机酸，且对银层腐蚀率＜0.01μm/h。清洗工艺采用“低压喷淋+低频超声”组合：先用0.1-0.2MPa去离子水喷淋，冲掉表面松散飞溅；再投入清洗剂中，以28kHz超声波（功率20-30W/L）作用3-5分钟，利用空化效应剥离缝隙残留；然后经3次去离子水（电导率≤10μS/cm）漂洗，避免清洗剂残留。干燥采用60-70℃热风循环（风速＜1m/s），防止银层高温变色。清洗后通过X射线荧光测厚仪检测，银层厚度变化≤0.05μm，光学显微镜下无腐蚀点，可满足LED封装的键合可靠性要求。

功率电子清洗剂的离子残留量对绝缘性能影响重大。一般消费类电子产品，要求相对宽松，离子残留量控制在NaCl当量＜1.56μg/cm²，能基本保障绝缘性能，维持产品正常功能。对于工业控制、通信设备等，因使用环境复杂，对可靠性要求更高，离子残留量需控制在NaCl当量＜1.0μg/cm²，以降低离子在电场、湿度等条件下引发电迁移，造成绝缘性能下降、短路故障的风险。在医疗设备、航空航天等高精尖、高可靠性领域，功率电子清洗剂的离子残留量必须控制在NaCl当量＜0.75μg/cm²，确保设备在极端环境、长期使用下，绝缘性能稳定，保障设备安全运行，避免因离子残留干扰信号传输、破坏绝缘结构，引发严重事故。高效低耗，用量精确控制，这款清洗剂让您花更少钱，享质优清洁服务。

清洗IGBT模块的高铅锡膏残留，溶剂型清洗剂更适合。高铅锡膏含铅锡合金粉末（熔点约183℃）和助焊剂（以松香、有机酸为主），其残留具有脂溶性强、易附着于陶瓷基板与金属引脚缝隙的特点。溶剂型清洗剂（如改性醇醚或碳氢溶剂）对松香类有机物溶解力强，能快速渗透至IGBT模块的栅极、源极引脚间隙，瓦解锡膏残留的黏性结构。且溶剂表面张力低（通常＜25mN/m），可深入0.1mm以下的细微缝隙，配合超声波清洗（30-40kHz）能彻底剥离残留，避免因清洗不净导致的电路短路风险。水基清洗剂虽环保，但对脂溶性助焊剂的溶解力较弱，且高铅锡膏中的铅氧化物遇水可能形成氢氧化物沉淀，反而造成二次污染。此外，IGBT模块的PCB板若防水性不足，水基清洗后易残留水分，影响电气性能。因此，针对高铅锡膏残留，溶剂型清洗剂更能满足IGBT模块的精密清洗需求。编辑分享能有效提升 IGBT 功率模块的整体可靠性与稳定性。佛山DCB功率电子清洗剂代加工

专为 LED 芯片封装胶设计，不损伤荧光粉层，保障发光稳定性。江门中性功率电子清洗剂方案

清洗 SiC 芯片时，清洗剂 pH 值超过 9 可能损伤表面金属化层，具体取决于金属化材料及暴露时间。SiC 芯片常用金属化层为钛（Ti）、镍（Ni）、金（Au）等多层结构，其中钛和镍在碱性条件下稳定性较差：pH>9 时，OH⁻会与钛反应生成可溶性钛酸盐（如 Na₂TiO₃），导致钛层溶解（腐蚀速率随 pH 升高而加快，pH=10 时溶解率是 pH=8 时的 5 倍以上）；镍则会发生氧化反应（Ni + 2OH⁻ → Ni (OH)₂ + 2e⁻），形成疏松的氢氧化镍膜，破坏金属化层连续性。金虽耐碱性较强，但高 pH 值（>11）会加速其底层钛 / 镍的腐蚀，导致金层剥离。实验显示：pH=9.5 的清洗剂处理 SiC 芯片 3 分钟后，钛层厚度减少 10%-15%，金属化层导电性下降 8%-12%；若延长至 10 分钟，可能出现局部露底（SiC 基底暴露）。因此，清洗 SiC 芯片的清洗剂 pH 值建议控制在 6.5-8.5，若需碱性条件，应限制 pH≤9 并缩短清洗时间（<2 分钟），同时添加金属缓蚀剂（如苯并三氮唑）降低腐蚀风险。江门中性功率电子清洗剂方案