企业商机
腐蚀基本参数
  • 品牌
  • 无锡欧驰
  • 型号
  • HSC-2000
  • 产地
  • 浙江-无锡
  • 可售卖地
  • 中国
  • 是否定制
  • 材质
  • 金属
  • 配送方式
  • 物流
腐蚀企业商机

晶间腐蚀试验方法,各标准对试验细节均有详细规定。

试验方法

试验标准

试验周期

备注

不锈钢晶间腐蚀A


ASTM A262-2010

4

草酸法

不锈钢晶间腐蚀B

7

硫酸-硫酸铁 120h

不锈钢晶间腐蚀C

13-15

硝酸法 5*48h

不锈钢晶间腐蚀D

4

硝酸-氢氟酸 2*2h

不锈钢晶间腐蚀E

4

硫酸-硫酸铜 16h

镍基合金晶间腐蚀A

GB/T 15260-1994

7

硫酸-硫酸铁 120h

镍基合金晶间腐蚀B

3(5)

-硫酸铜-硫酸 24h72h

镍基合金晶间腐蚀C

10-12

盐酸法 168h

镍基合金晶间腐蚀D

13-15

硝酸法 5*48h

电解抛光腐蚀,电压电流调节、显示精度小数点后两位。北京低倍组织热酸蚀腐蚀制造厂商

北京低倍组织热酸蚀腐蚀制造厂商,腐蚀

电解抛光腐蚀缺点,电解抛光由于没有机械力的作用,所以没有变形层产生,也没有金属扰动层,能够显示试样材质的真实组织。由于抛光时试样是浸泡在电解液中,电解液对试样有浸蚀作用,有些试样抛光后就可直接观察组织,不必再进行组织显示。电解抛光特别适合于容易产生塑性变形而引起加工硬化的金属材料和硬度较低的单相合金,比如高锰钢、有色金属、易剥落硬质点的合金和奥氏体不锈钢等。尽管电解抛光有如上优点,但它仍不能完全代替机械抛光,因为电解抛光对金属材料化学成分的不均匀性、显微偏析特别敏感,所以具有偏析的金属材料基本上不能进行电解抛光。北京低倍组织热酸蚀腐蚀制造厂商低倍组织热酸蚀腐蚀采用三层样品隔离放置方式,样品取放方便且增加了工作空间,改善腐蚀性。

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电解抛光腐蚀,电源前面板设有“设定电流”、“设定电压”、“工作”三个状态的“功能选择”开关a.“设定电压”:设定输出电压到需要值(此时未接通负载)先将“电流调节”顺时针调到最大值,然后调节“电压调节”至需要的电压值;“设定电流”:设定输出电流到需要值(此时未接通负载);将“电压调节”顺时针调到最大值;将“电流调节”逆时针调到接近零值;将“功能选择”开关拨至“设定电流”位置,即可调节“电流调节”,使电流达到所需要的电流值。

晶间腐蚀,国内外相关标准:GB/T4334.(1~5)-2000不锈钢晶间腐蚀敏感性试验方法标准(根据不同材料敏感性选择相应标准)GB/T15260-1994《镍合金晶间腐蚀敏感性试验方法标准》GB/T21433-2008《不锈钢压力容器晶间腐蚀敏感性检验》CB/T3949-2001《船用不锈钢焊接接头晶间腐蚀试验方法》ASTMG28-02(2008)StandardTestMethodsforDetectingSusceptibilitytoIntergranularCorrosioninWrought,NickelRich,ChromiumBearingAlloys(中文名称:《锻造高镍铬轴承合金晶间腐蚀敏感性的检查用标准试验方法》GB/T7998-2005《铝合金晶间腐蚀测定方法》HG/T3173-2002《尿素级很低碳铬镍钥奥氏体不锈钢晶间腐蚀倾向试验》低倍组织热酸蚀腐蚀根据《GB/T226-91钢的低倍组织及缺陷酸蚀检验法)对钢材进行低倍组织热酸蚀。

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电解抛光腐蚀安全规程:使用含高氯酸电解液时,必须通循环水冷却,配制温度低于15。C,使用温度应低于200C注意安全,防止燃烧;使用电压超过60V时,要注意安全,应先放好试样,再调电压到所需值,后进行电解抛光,结束后将电压调到零位再取试样;当电源接通后,直流档无论有无负载,要严防短路,尤其使用外电解浸蚀时更应注意;接通负载后(即抛光或腐蚀进行时),严禁转换电压调整器。每次抛光后,应关闭电源防止过热;抛光结束后,将电解液倒入其它容器中,用水清洗电解槽及冷却循环系统。低倍加热腐蚀根据《GB/T226-91钢的低倍组织及缺陷酸蚀检验法)对钢材进行低倍组织热酸蚀。北京低倍组织热酸蚀腐蚀制造厂商

低倍组织热酸蚀腐蚀酸蚀槽采用特殊材料制作,耐酸耐高温。北京低倍组织热酸蚀腐蚀制造厂商

晶间腐蚀,操作方法:从腐蚀机台上取下烧瓶,根据不同制样将配制好的溶液取一定量加入瓶中。将样品用镊子夹住缓慢放入烧瓶,注意不能高空放入,避免损坏烧瓶。擦干烧瓶底部水或者溶液,保证烧瓶表面干燥。烧瓶放入加热台上方中间,将带有锥口的冷凝器装入烧瓶口,确保连接可靠不漏气。固定好烧瓶夹,将烧瓶和冷凝器固定好。装入温度传感器至烧瓶测口,并且调整好线的长度,使传感器探头完全浸入溶液中,比较好是溶液中部,不与烧瓶壁接触。北京低倍组织热酸蚀腐蚀制造厂商

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晶间腐蚀,晶界能量较高:晶界是不同晶粒之间的交界,由于晶粒有着不同的位向,交界处原子的排列必须从一种位向逐步过渡到另一种位向,是 “面型” 不完整的结构缺陷。晶界上原子的平均能量因晶格畸变变大而高于晶粒内部原子的平均能量,处于不稳定状态,在腐蚀介质中的腐蚀速度比晶粒本体的腐蚀速度快。电化学不均匀性:晶粒和晶界的物理化学状态不同,如平衡电位不同,极化性能(包括阳极和阴极的)不同,在适宜的介质中形成腐蚀电池,晶界为阳极,晶粒为阴极,晶界产生选择性溶解。晶间腐蚀,有漏电和短路保护。辽宁盐酸腐蚀按钮操作 电解抛光腐蚀,不适用本方法:不能用塑料镶嵌试样,因为塑料不导电容易被电解液浸蚀:极易受电解液浸蚀...

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