企业商机
腐蚀基本参数
  • 品牌
  • 无锡欧驰
  • 型号
  • HSC-2000
  • 产地
  • 浙江-无锡
  • 可售卖地
  • 中国
  • 是否定制
  • 材质
  • 金属
  • 配送方式
  • 物流
腐蚀企业商机

电解抛光腐蚀仪利用电化学原理进行金相样品的制备,该设备工作电压、电流范围大,功能齐全,既可用于金相试样的抛光,也可用于金相试样的腐蚀,具备制样快、重复性好等优点,是钢铁,尤其是不锈钢及有色金属试样制备的理想设备,用户的计算机可直接读取所有历史数据,可对所有数据进行分析、存档、打印处理。电压、电流范围大,可同时满足各种材料的抛光和腐蚀,主要用于各大中院校、环保、科研、卫生、防疫、石油、治金、化工、医疗等设备,本仪器性能好,无噪声。电解抛光腐蚀,工作电压、电流可输入计算机,以便于进一步数据分析和研究。四川盐酸腐蚀制造厂商

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电解抛光腐蚀,显示钢的显微组织的电解浸蚀剂及电解抛光液表

浸蚀剂名称及成分

使用方法

适用范围

冰醋酸铬酸溶液:

冰醋酸      775亳升

铬酸酐       75

铬酸钠      150

10分钟以上,电压40~45伏,搅动溶液使其保持在30C以下。作用较慢,但较安全。

抛光铜和铁效果很好。

醋酸及冰醋酸溶液:

醋酐      765亳升

过氯酸(65%185亳升

          50亳升

用电解法溶入铝0.5%

使用电流密度4~6/厘米),使用电压50伏,浸蚀时间4~5分钟。溶液配制后放置24小时后方可使用,使用温度应低于30C,以免引起炸裂。

适用于抛光钢和铁以不含8%


四川盐酸腐蚀制造厂商电解抛光腐蚀,直流0~100V / 0~6A,电流/电压值可定制。

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电解抛光腐蚀参考资料

试验材料

电解液配比

电压

时间

备注

铜、铜一锌合金

                     100ml焦磷酸                  580g

1~2v

10

铜阴极

铜和铜基合金

蒸馏水:500ml,磷酸(85%250ml乙醇(95%            250ml

18V

1~5

青铜      Sn9%

                      450ml磷酸(85%            390ml

1.5~12V

1~5

0.1A/ cm2

青铜      Sn6%

水:330ml     硫酸      90ml磷酸(85%            580ml

铝和铝一硅(<2% 合金

蒸馏水:140ml,酒精(95%800ml高氯酸(60%           60ml

30~40v

15~60

铝一合金

甲醇(纯)              840ml甘油(丙三醇)          125ml

50~100v

5~60

甲醇(纯):950ml     硝酸(1.4015ml,高氯酸(60%50ml

30~60v

15~60

铝、银、镁

蒸馏水:200ml,磷酸(85%400ml酒精(95%           380ml

25~30v

4~6

铝阴极  100~1100F


晶间腐蚀操作主意事项,冷水机设置操作说明:温度设置:按set件会出现设置的温度值,按向上下键进行增加或减少就能设定运行的温度了,然后按ret键保存。不保存修改无效。温度下限设置:同时按住set和向上键,显示0;按向上键将0改为6,在按set键出现F0;在按向上键将F0改F9在按set键就会出现默认设置的最低温度;在按向上下键修改温度值;修改完成后按ret键保存即可,不保存无。重要提示:控制装置不得放置在通风柜内部,因为使用酸液和水雾可能导致敏感的电子设备受损。放在外部也得与酸蚀槽保持一定距离,避免操作时有酸液飞溅到控制器上。晶间腐蚀,是金属局部腐蚀的一种,沿着金属晶粒间的分界面向内部扩展的腐蚀。

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晶间腐蚀涌入,主要由于晶粒表面和内部间化学成分的差异以及晶界杂质或内应力的存在。晶间腐蚀破坏晶粒间的结合,降低金属的机械强度。而且腐蚀发生后金属和合金的表面仍保持一定的金属光泽,看不出被破坏的迹象,但晶粒间结合力明显减弱,力学性能恶化, 不能经受敲击,所以是一种很危险的腐蚀。通常出现于黄铜、硬铝合金和一些不锈钢、镍基合金中。不锈钢焊缝的晶间腐蚀是化学工业的一个重大问题。不锈钢在腐蚀介质作用下,在晶粒之间产生的一种腐蚀现象称为晶间腐蚀。电解抛光腐蚀,样品电流-电压的极化曲线。四川盐酸腐蚀制造厂商

晶间腐蚀,可连接循环冷凝水,不依赖外来水源,使冷凝水得到多次利用。四川盐酸腐蚀制造厂商

晶间腐蚀是什么?以晶间腐蚀为起源,在应力和介质的共同作用下,可使不锈钢、铝合金等诱发晶间应力腐蚀,所以晶间腐蚀有时是应力腐蚀的先导,在通常腐蚀条件下,钝化合金组织中的晶界活性不大,但当它具有晶间腐蚀的敏感性时,晶间活性很大,即晶格粒与晶界之间存在着一定的电位差,这主要是合金在受热不当时,组织发生改变而引起的。所以晶间腐蚀是一种由组织电化学不均匀性引起的局部腐蚀蚀。此外晶界存在杂质时,在一定介质也也会引起晶间腐蚀。四川盐酸腐蚀制造厂商

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晶间腐蚀,晶界能量较高:晶界是不同晶粒之间的交界,由于晶粒有着不同的位向,交界处原子的排列必须从一种位向逐步过渡到另一种位向,是 “面型” 不完整的结构缺陷。晶界上原子的平均能量因晶格畸变变大而高于晶粒内部原子的平均能量,处于不稳定状态,在腐蚀介质中的腐蚀速度比晶粒本体的腐蚀速度快。电化学不均匀性:晶粒和晶界的物理化学状态不同,如平衡电位不同,极化性能(包括阳极和阴极的)不同,在适宜的介质中形成腐蚀电池,晶界为阳极,晶粒为阴极,晶界产生选择性溶解。晶间腐蚀,有漏电和短路保护。辽宁盐酸腐蚀按钮操作 电解抛光腐蚀,不适用本方法:不能用塑料镶嵌试样,因为塑料不导电容易被电解液浸蚀:极易受电解液浸蚀...

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