国产刻蚀设备在成熟制程领域已实现突破并进入主流生产线,国产化率已提升至约20%,以中微公司、北方华创为**的国内厂商市场份额合计约2.36%,但在**制程(如5纳米及以下)的部分关键步骤仍一定程度依赖进口设备 [14] [20] [25]。中微公司在等离子体刻蚀技术领域持续突破,其ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®实现了... 【查看详情】
1958年,集成电路问世。1959年,赝势概念的提出,使得固体能带的计算大为简化。利用价电子态与原子**态正交的性质,用一个赝势代替真实的原子势,得到一个固体中价电子态满足的方程。用赝势方法得到了几乎所有半导体的比较精确的能带结构。1962年,半导体激光器发明。 [21]1968年,硅MOS(金属-氧化物-半导体)器件发明及大规模集成电路... 【查看详情】
作为第二代半导体,砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。2001年7月31日,中国科学家宣布已掌握一种生产这种材料的新技术,使中国成为继日本、德国之后掌握这一技术的又一国家。 北京有色金属研究总院宣布,国内成功拉制出了***根直径4英寸的VCZ半绝缘砷化镓单晶。砷化镓可在一块芯片上同时处理光电数据,因而被广泛应用于遥控、手机、D... 【查看详情】
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到**个部分,其各部分的符号意义如下:***部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具... 【查看详情】
半导体参数分析仪通常配备图形化操作软件以简化测试流程。吉时利4200A-SCS使用Clarius软件,内含数百种用户可修改的应用程序测试模板,支持自动实时参数提取、数据绘图和分析函数 [2]。概伦电子FS-Pro内置LabExpress测试软件,配备丰富的内置测试算法库,支持扩展测试功能和定制测试流程 [9]。是德科技B1500A配有直观... 【查看详情】
霍尔效应霍尔效应是电磁效应的一种。半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种现象称为霍尔效应,该电动势称为霍尔电势。 [36]磁阻特性磁阻特性指的是其阻值R随磁感应强度B变化的特性。磁阻温度系数是指温度每变化1℃,磁敏电阻的相对变化量。磁阻元件一般都是用半导体... 【查看详情】
第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-**通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示**半导体器件的登记序号。第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:1、稳压二极管型号的后缀。其后... 【查看详情】
2020年12月 [1]:1.宽泛量程:支持1500安培大电流与10千伏高压测量2.复合测试能力:可在1200伏高偏置电压下稳定输出500毫安电流微欧姆级电阻量测精度达μΩ级别次微微安培级电流检测达sub-pA量级3.功率输出特性:高电流工作模组峰值功率达22.5千瓦高电压工作模组功率输出为900瓦在测量精度方面,高性能源测量单元(SMU... 【查看详情】
IV族半导体Si、Ge、Ⅲ-V族化合物中的AlAs和GaP等都是间接带结构半导体,在这类半导中发生的光学跃迁为间接跃迁,这种跃迁一般需要声子的参与,才能满足动量守恒。与直接光学跃迁相比,间接跃迁的概率要低得多,声子辅助的间接跃迁,其跃迁概率比直接跃迁低3~4个量级。 [33]热电特性热电效应是指物体中的电子或空穴在温度梯度的驱使下,由高温... 【查看详情】
纳米技术有很多种,基本上可以分成两类,一类是由下而上的方式或称为自组装的方式,另一类是由上而下所谓的微缩方式。前者以各种材料、化工等技术为主,后者以半导体技术为主。以前我们都称 IC 技术是「微电子」技术,那是因为晶体管的大小是在微米(10-6米)等级。但是半导体技术发展得非常快,每隔两年就会进步一个世代,尺寸会缩小成原来的一半,这就是有... 【查看详情】
纳米技术有很多种,基本上可以分成两类,一类是由下而上的方式或称为自组装的方式,另一类是由上而下所谓的微缩方式。前者以各种材料、化工等技术为主,后者以半导体技术为主。以前我们都称 IC 技术是「微电子」技术,那是因为晶体管的大小是在微米(10-6米)等级。但是半导体技术发展得非常快,每隔两年就会进步一个世代,尺寸会缩小成原来的一半,这就是有... 【查看详情】
半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,其导电性可通过外部条件(如温度、光照、电场或掺杂)进行调节,是现代电子技术的**材料。**特性导电性可控:纯净的半导体(如硅、锗)导电性较弱,但通过掺入杂质(如磷、硼)可***改变其导电性。掺入施主杂质(如磷)形成N型半导体,导电载流子为电子;掺入受主杂质(如硼)形成P型半导体,导电载流子为空穴... 【查看详情】