晶体管：晶体管是用于放大和开关的关键器件，分为双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。BJT通过电流控制电流，而FET则通过电压控制电流。晶体管广泛应用于放大器、开关电源和数字电路中。场效应管（FET）：FET是一种利用电场控制导电通道的器件，具有高输入阻抗和低功耗的特点。常见的FET包括MOSFET和JFET，广泛应用于开关电源... 【查看详情】

光电探测器光电探测器的功能是把微弱的光信号转换成电信号，然后经过放大器将电信号放大，从而达到检测光信号的目的。光敏电阻是**早发展的一种光电探测器。它利用了半导体受光照后电阻变小的效应。此外，光电二极管、光电池都可以用作光电探测元件。十分微弱的光信号，可以用雪崩光电二极管来探测。它是把一个PN结偏置在接近雪崩的偏压下，微弱光信号所激发的少... 【查看详情】

集成无源器件（IPD）技术可以集成多种电子功能，具有小型化和提高系统性能的优势，以取代体积庞大的分立无源元件 [15]。IPD能够实现精确匹配，元件紧密放置，寄生参数小，鲁棒性好，并减少ESD风险 [14]。该技术已成为系统级封装（SiP）的一个重要实现方式，并对PCB技术发展产生影响 [15]。自卷曲技术通过利用多层平面薄膜的内应力实现... 【查看详情】

光纤连接器具有抗电磁干扰、体积小、重量轻、容量大等特点，在航空领域备受关注。目前，我国航空光纤连接器主要使用J599系列圆形光纤连接器，并已拓展应用到地面、舰载、电子、雷达等各种光通信系统中。与耐辐照光缆结合制成的耐辐照光纤连接器组件已逐步应用于航天领域，以满足空间站等任务需求 [3]。***通讯连接器的发展趋势总体表现为向“三高”（高密... 【查看详情】

功率器件：MOSFET、IGBT等电压控制型器件占据主流，其驱动功率小、开关速度快的特点，使其成为新能源汽车、光伏逆变器的**元件。例如，IGBT模块可集成多个单元，实现大电流、高电压环境下的高效电力转换。小信号器件：额定电流低于1A的器件，通过与电阻、电容组合，构建检波、限幅、钳位等精密电路，广泛应用于手机、电脑等消费电子的电源管理模块... 【查看详情】

分光比定义为光分路器各输出端口的输出功率比值，在系统应用中，分光比的确定是根据实际系统光节点所需的光功率的多少，确定合适的分光比（平均分配的除外），光分路器的分光比与传输光的波长有关，例如一个光分路在传输1.31微米的光时两个输出端的分光比为50：50；在传输1.5μm的光时，则变为70：30（之所以出现这种情况，是因为光分路器都有一定的... 【查看详情】

光电池当光线投射到一个PN结上时，由光激发的电子空穴对受到PN结附近的内在电场的作用而向相反方向分离，因此在PN结两端产生一个电动势，这就成为一个光电池。把日光转换成电能的日光电池很受人们重视。较早应用的日光电池都是用硅单晶制造的，成本太高，不能大量推广使用。国际上都在寻找成本低的日光电池，用的材料有多晶硅和无定形硅等。其它利用半导体的其... 【查看详情】

第一阶段为仿苏阶段（建国初期至上世纪六十年代），主要为“两弹一星”等工程配套，仿制苏联三、四十年代产品，**产品有P系列、PR系列、Y2系列、Y4系列等***代低密度标准型圆形电连接器，特点是重量重、体积大，插合分离速度慢 [2]。第二阶段为由仿苏向仿美转移阶段（上世纪六十年代至九十年代），以第二代中密度小型圆形焊接/压接型电连接器为**... 【查看详情】

随着SiC基等新材料应用，行业向小型化、集成化发展，片式贴装器件成为主流。国内企业通过技术升级提升功率器件国产化率，但**产品仍依赖进口。2020年产销趋于平衡，预计2026年市场规模超3700亿元 [3]。济南槐荫区构建覆盖“材料-装备-设计-封测-应用”的半导体全产业链条，汇聚上下游企业50余家。山东力冠研发的12英寸立式炉设备实现国... 【查看详情】

特点1.镀金接触界面，用于保证更高的耐磨性和良好的电特性；2.冗余的接触界面，保证高可靠性；3.可选择气密性连接或PCB焊接；4.壳体外部特征要便于插入时导正和导向；5.用不同的插针高度保证信号和接地的先后连接顺序；6.大功率电源要用特殊的端子，和信号的接触端子要有所区别；7.要保证EMI特性和机箱接地。应用无线通信系统中所采用的电源连接... 【查看详情】

集成无源器件（IPD）技术可以集成多种电子功能，具有小型化和提高系统性能的优势，以取代体积庞大的分立无源元件 [15]。IPD能够实现精确匹配，元件紧密放置，寄生参数小，鲁棒性好，并减少ESD风险 [14]。该技术已成为系统级封装（SiP）的一个重要实现方式，并对PCB技术发展产生影响 [15]。自卷曲技术通过利用多层平面薄膜的内应力实现... 【查看详情】

节能照明LED驱动电路中的整流、恒流控制，推动全球半导体照明市场爆发式增长。三、技术趋势材料创新宽禁带半导体：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）材料的应用，提升器件耐高温、高压、高频性能，降低损耗。硅基改进：超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET等技术优化硅基器件性能。集成化与小型化片式贴装器件（SMD）成为主流，适应电子产品轻薄化... 【查看详情】