下面分别介绍每个性能参数的含义:1.失调误差:实际数模转换器和理想数模转换器输出存在固定的偏移,偏移量以LSB来表示,如图2,失调误差=0.3LSB 。2.增益误差:实际数模转换器和理想数模转换器的输出曲线存在增益误差,其定义为实际数模转换器最大电压减去理想数模转换器最大电压,单位为LSB,如图3的例子,增益误差=0.7LSB 。3.积分...
查看详细 >>D/A转换器的主要部件是电阻开关网络,通常是由输入的二进制数的各位控制一些开关,通过电阻网络,在运算放大器的输入端产生与二进制数各位的权成比例的电流,这些电流经过运算放大器相加和转换而成为与二进制数成比例的模拟电压。D/A转换的原理电路如概述图图5-1所示,是一个足 够精度的参考电压,运算放大器输入端的各支路对应待转换数据的第0位、第1位...
查看详细 >>D/A转换器的主要部件是电阻开关网络,通常是由输入的二进制数的各位控制一些开关,通过电阻网络,在运算放大器的输入端产生与二进制数各位的权成比例的电流,这些电流经过运算放大器相加和转换而成为与二进制数成比例的模拟电压。D/A转换的原理电路如概述图图5-1所示,是一个足 够精度的参考电压,运算放大器输入端的各支路对应待转换数据的第0位、第1位...
查看详细 >>即0111...111到1000 ...000之间的转换,此时所有电流单元开关都有开/关互换的动作。假设单个电流单元的标准偏差为σ(I),根据统计学原理,可以简单的求得**差DNL为(2N _1)1/2*σ(I)/IOo。 INL偏差和Unary数模转换器是一样的。分段组合由前面的分析可知Unary译码方式比二进制权重方式能够实现更高的精...
查看详细 >>由于实际使用的模拟数字转换器不能进行完全实时的转换,所以对输入信号进行一次转换的过程中必须通过一些外加方法使之保持恒定。常用的有采样-保持电路,在大多数的情况里,通过使用一个电容器可以存储输入的模拟电压,并通过开关或门电路来闭合、断开这个电容和输入信号的连接。许多模拟数字转换集成电路在内部就已经包含了这样的采样-保持子系统 [2]。1.*...
查看详细 >>在使用自动测试设备(ATE)包装前,每个设备都要进行测试。测试过程称为晶圆测试或晶圆探通。晶圆被切割成矩形块,每个被称为晶片(“die”)。每个好的die被焊在“pads”上的铝线或金线,连接到封装内,pads通常在die的边上。封装之后,设备在晶圆探通中使用的相同或相似的ATE上进行终检。测试成本可以达到低成本 产品的制造成本的25%,...
查看详细 >>2014年,《国家集成电路产业发展推进纲要》正式发布实施;“国家集成电路产业发展投资基金”(大基金)成立。2015年,长电科技以7.8亿美元收购星科金朋公司;中芯国际28纳米产品实现量产。2016年,大基金、紫光投资长江储存;***台全部采用国产处理器构建的超级计算机“神威太湖之光”获世界超算***。2017年,长江存储一期项目封顶;存储...
查看详细 >>实际上从数学关系来看,INL的微分结果即是DNL, DNL的积分结果即是INL 。5.单调性:单调性是指数模转换器输入在逐渐增加时,输出也是逐步增加的,若输入增加,输出却减小,此时即呈现非单调性,如图4左是单调性的,图4右是非单调性的,此时DNL会小于-1LSB6.信噪比(SNR:即信号功率比上噪声功率(dB),前面己经证实过,理想N位数...
查看详细 >>T型电阻网络图9-3为T型电阻网络4位D/A转换器的原理图。图9-3中电阻译码网络是由R和2R两种阻值的电阻组成T型电阻网络,运算放大器构成电压跟随器,图9-3中略去了数据锁存器,电子开关S3、S2、S1、S0在二进制数D相应位的控制下或者接参考电压VR(相应位为1)或者接地 (相应位为0)。当电子开关S3、S2、S1、S0全部接地时,从...
查看详细 >>数字量是用代码按数位组合起来表示的,对于有权码,每位代码都有一定的位权。为了将数字量转换成模拟量,必须将每1位的代码按其位权的大小转换成相应的模拟量,然后将这些模拟量相加,即可得到与数字量成正比的总模拟量,从而实现了数字—模拟转换。这就是组成D/A转换器的基本指导思想。图11.1.1表示了4位二进制数字量与经过D/A转换后输出的电压模拟量...
查看详细 >>一些早期的转换器的响应类型呈对数关系,由此来执行A-law算法或μ-law算法编码。误差模拟数字转换器的误差有若干种来源。量化错误和非线性误差(假设这个模拟数字转换器标称具有线性特征)是任何模拟数字转换中都存在的内在误差。也有一种被称作孔径错误(aperture error),它是由于时钟的不良振荡,且常常在对时域信号数字化的过程中出现。...
查看详细 >>1965-1978年 创业期1965年,***批国内研制的晶体管和数字电路在河北半导体研究所鉴定成功。1968年,上海无线电十四厂**制成PMOS(P型金属-氧化物-半导体)集成电路。1970年,北京878厂、上海无线电十九厂建成投产。 [17]1972年,**块PMOS型LSI电路在四川永川一四二四研究所制。1976年,中科院计算所采用...
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