三极管的起源，1947年12月23日，巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应，这个器件就叫晶体管。三极管的发展沿革，在晶体管电子流出端的衬底外，沉积一层对应材料，当电子流过时，需要从衬底吸入热量，这就为晶体管主要散热提供一个很好的途径，因为带...

二极管的参数是正确使用二极管的依据，一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时，应特别注意不要超过较大整流电流和较高反向工作电压，否则将容易损坏管子。用数字表示同类型器件的不同型号用字母表示器件的类型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge.B表示P型Ge，C表示N型Si，D表示P型Si 2表示二极管，3表示三极管。普通...

VMOS场效应管，VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不只继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（较高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～...

三极管的种类：1）低频小功率三极管，特征频率在3MHz以下，功率小于1W，一般作为小信号放大用；2）高频小功率三极管，特征频率大于3MHz，功率小于1W，主要用于高频振荡、放大电路；3）低频大功率三极管，特征频率小于3MHz，功率大于1W，低频大功率三极管品种较多，主要用于电子音响设备的低频功率放大电路，在各种大电流输出稳压电源中作为调整...

开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压，用VT表示。上面讨论的N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。vDS对iD的影响：当vGS>VT...

三极管具有放大信号、开关电路和稳压等多种功能，对电子设备的正常运行起着至关重要的作用。放大信号，三极管可以将微弱的输入信号放大成较大的输出信号。它通过调节输入电流或电压的变化，使输出信号得以放大。这种放大作用在无线电、音频设备和通信系统中起着关键作用。在无线电通信中，三极管可以将微弱的无线电信号放大，使其能够传输到远处。在音频设备中，三极...

三极管的开关功能，三极管的集电极电流在一定范围内随基极电流呈线性变化，这就是放大特性。当基极电流高过此范围时，三极管集电极电流会达到饱和值 （导通），基极电流低于此范围时，三极管会进入截止状态（断路）， 这种导通或截止的特性在电路中还可起到开关作用。三极管的其他功能作用，三极管配合其他元件可以构成振荡器，把一只小功率可控硅和一只大功率三极...

二极管的参数是正确使用二极管的依据，一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时，应特别注意不要超过较大整流电流和较高反向工作电压，否则将容易损坏管子。用数字表示同类型器件的不同型号用字母表示器件的类型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge.B表示P型Ge，C表示N型Si，D表示P型Si 2表示二极管，3表示三极管。普通...

工作原理：晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电...

二极管的诞生得益于半导体技术，从原理上讲它涉及到微观电子学，所以它的底层原理是比较复杂的，但我们实际运用时主要在于根据我们电路的特点选择合适的二极管型号，所以底层原理这里没有说明，之后在实际电子设计中再将进一步了解。你是否还记得，很多时候你妈妈兴冲冲的走到你面前，眉飞色舞的要和你说点啥，可是话到嘴边却给忘了！然后她会拍拍脑袋尴尬的说：我这...

工作原理：晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电...

场效应管是一种电压控制器件，其工作原理是通过改变栅极（Gate）与源极（Source）之间的电压来控制漏极（Drain）与源极之间的电流。与传统的双极型晶体管（BJT）相比，FET只利用单一类型的载流子（电子或空穴）进行导电，因此也被称为单极型晶体管。分类：结型场效应管（JFET）：基于PN结形成的通道，分为N沟道JFET和P沟道JFET...