以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当...
查看详细 >>沟道增强型MOSFET场效应管的工作原理:vGS对iD及沟道的控制作用① vGS=0 的情况,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时,即使加上漏——源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。② vGS>0 的情况,若v...
查看详细 >>导电沟道的形成:当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏——源极之间仍无导电沟道出现,如图1(b)所示。vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某一数值时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,在漏——源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反,故又称为反型层,如图1(c)所示。v...
查看详细 >>稳压二极管和普通二极管结构区别,稳压二极管和普通二极管在结构上也有所不同。稳压二极管一般由三层不同类型的半导体材料组成,即P型半导体、N型半导体和Intrinsic型半导体。这种特殊结构使得稳压二极管在反向电压超过其工作电压时,能够迅速将反向电流增大,同时保持电压恒定。这种特性使得稳压二极管能够在电路中发挥稳定的电压支撑作用。而普通二极管...
查看详细 >>三极管的 3 种工作状态,分别是截止状态、放大状态、饱和状态。接下给大家讲一下这三种状态情况:1、截止状态,三极管的截止状态,这应该是比较好理解的,当三极管的发射结反偏,集电结反偏时,三极管就会进入截止状态。这就相当于一个关紧了的水龙头,水龙头里的水是流不出来的。三极管工作原理-截止状态,截止状态下,三极管各电极的电流几乎为0,集电极和发...
查看详细 >>极限参数:a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时,虽然不致使管子损坏,但β值明显下降,影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时,集电结的反向击穿电压。c.发...
查看详细 >>三极管的应用:放大作用,三极管较主要的功能就是放大功能。通过控制输入信号的大小,三极管可以对电流进行放大,从而实现对信号的增强。其基于小电流控制大电流的原则,通过较小的基极电流IB来控制较大的集电极电流IC。当基极电流IB有微小的变化时,会引发集电极电流IC和发射极电流IE的大幅度变化。这种“放大”并非将基极电流IB放大,而是通过控制输入...
查看详细 >>场效应管应用场景:电路主电源开关,完全切断,低功耗省电。大功率负载供电开关,如:电机,太阳能电池充电\放电,电动车电池充电逆变器SPWM波升压部分功率电路;功放,音响的功率线性放大电路;数字电路中用于电平信号转换;开关电源中,高频大功率状态;用于LED灯的恒流驱动电路;汽车、电力、通信、工业控制、家用电器等。MOS管G、S、D区分以及电流...
查看详细 >>二极管工作原理:二极管=PN结+马甲儿,在半导体性能被发现后,二极管成为了世界上头一种半导体器件,目前较常见的结构是,在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管,甚至可以说二极管实际上就是由一个PN结构成的,因此二极管工作原理约等于PN的工作原理,小编从源头讲讲二极管(PN结)到底是怎么来的?二极管工作原理:二极管PN节的好哥俩:P型半导...
查看详细 >>SOA失效的预防措施:1:确保在较差条件下,MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。2:将OCP功能一定要做精确细致。在进行OCP点设计时,一般可能会取1.1-1.5倍电流余量的工程师居多,然后就根据IC的保护电压比如0.7V开始调试RSENSE电阻。有些有经验的人会将检测延迟时间、CISS对OCP实际的影响考虑在内。但是此时...
查看详细 >>场效应管应用场景:电路主电源开关,完全切断,低功耗省电。大功率负载供电开关,如:电机,太阳能电池充电\放电,电动车电池充电逆变器SPWM波升压部分功率电路;功放,音响的功率线性放大电路;数字电路中用于电平信号转换;开关电源中,高频大功率状态;用于LED灯的恒流驱动电路;汽车、电力、通信、工业控制、家用电器等。MOS管G、S、D区分以及电流...
查看详细 >>电压和电流的选择。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOSFET不 会失效。就选择MOSFET而言,必须确定漏极至源极间可能承受的较大电压,即较大VDS。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机 或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不...
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