三极管放大信号，三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流入发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。关于三极管β值：硅三极管β值常用范围为：3...

二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管较普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压）...

三极管的饱和状态，当三极管发射结正偏，集电结正偏时，三极管工作在饱和状态。在饱和状态下，三极管集电极电流ic的大小已经不受基极电流ib的控制，ic与ib不再成比例关系。饱和状态下的三极管基极电流ib变大时，集电极电流ic也不会变大了，这就相当于水龙头的开关已经开得比较大了，开关再开大时，流出的水流也不会再变大了。NPN型三极管是指由两块N...

接面电压，当二极管的P-N结处于正向偏置时，必须有相当的电压被用来贯通耗尽区，导致形成一反向的电压源，此电压源的电压就称为障壁电压，硅二极管的障壁电压约0.6V～0.7V，锗二极管的障壁电压约0.3～0.4V。种类：依照材料及发展年代分类：二极真空管；锗二极管；硒二极管；硅二极管；砷化镓二极管。依照应用及特性分类：PN结二极管（PN Di...

二极管应用：1.整流，整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管都是面结型，因此结电容较大，使其工作频率较低，一般为3kHZ以下。2.开关，二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。...

三极管的作用：1、用作开关，三极管的作用之二就是用作开关。三极管在饱和导通时，其CE极间电压很小，低于PN结导通电压，CE极间相当于短路，“开关”呈现开的状态;三极管在截止状态时，其CE极间电流很小，相当于断路，“开关”呈现关的状态。因此可完成开关的功能，且其开关速度极快，控制灵敏，且不产生电火花。2、扩流，三极管的作用之三就是扩流作用，...

在较初被发明的那个年代，二极管通常被称作“整流器”。在1919年四极管被人发明后，威廉·亨利·埃克尔斯创造了术语 Diode ，是从希腊语词根（ δί ，di，“二”）和（ ὁδός ，ode，“路径”）两者结合而来的。尽管二极管基本都有着“整流”作用，但是现在“整流器”一词通常在特定情况下才会被使用。如电源供应所需要的“半波整流”或“全...

三极管的原理，三极管可以看做一个小阀门控制大阀门的元件，基极和发射极原理为一个二极管，当给基极一个电压，基极和发射极就会导通，基极也就有了电流，这个时候集电极和发射极也会导通，当基极电压越大集电极流向发射极的电流也会越大，也就是阀门打开的越大，微弱的基极电流和大量的集电极电流都汇聚到发射极流出，当基极电流为0，集电极电流也就为0，这个时候...

MOSFET的作用如下：1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3.可以用作可变电阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作电子开关。6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作...

瞬态抑制二极管(TVS管)，瞬态电压抑制二极管英文名称为Transient Voltage Suppressor，简称TVS，它是一种高效保护器件的一种二极管。当瞬态电压抑制二极的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一个预定值，有效地...

高、低频小功率管，高频小功率三极管一般指特征频率大于3MHz，功率小于1W的晶体三极管。主要使用于工作频率比较高，功率不高于1W的放大电路，高频振荡电路。比如在晶体管收录机、收音机、电视机的高频电路中，可选用高频小功率管。如3CG3A—E，3DG6A－D。低频小功率三极管一般指功率小于1W，特征频率小于3MHz的三极管。主要用于电子设备的...

二极管的参数是正确使用二极管的依据，一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时，应特别注意不要超过较大整流电流和较高反向工作电压，否则将容易损坏管子。用数字表示同类型器件的不同型号用字母表示器件的类型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge.B表示P型Ge，C表示N型Si，D表示P型Si 2表示二极管，3表示三极管。普通...