可能朋友们都有一个疑惑,集电结反向偏置了应该截止,怎么导通了?击穿了?这还要从二极管原理说起,上一篇介绍了二极管原理的文章提到了,当给PN结施加反向偏置电压的时候,内部电场强度增强,空间电荷区变宽,空间电荷区的自由电子被电场加速,穿过PN结形成反向饱和电流。当然这些自由电子属于少子,形成的反向电流也很小。如果人为把自由电子注入空间电荷区,...
查看详细 >>二极管,二极管的主要功能就是单向导电,也就是电流只能从二极管的一个方向通过,反向电流就不让过!在我们日常生活中也有类似功能的物品,比如我们小时候经常见到的鱼篓盖子,通过这个盖子只能放鱼进去,鱼却无法再跑出来!也许您会说我从小就在城市里长大,没看到过鱼篓,不知道长啥样。没有关系,我这就把鱼篓的图片发出来,保证你能看明白。鱼篓和鱼篓盖子,这个...
查看详细 >>当满足 MOS 管的导通条件时,MOS 管的 D 极和 S 极会导通,这个时候体二极管是截止状态。因为 MOS 管导通内阻很小,不足以使寄生二极管导通。MOS管的导通条件,PMOS增强型管:UG-US|UGSTH| , UGSTH是开启电压;NMOS增强型管:UG-US>0,且 |UG-US|>|UGSTH| ,UGSTH是开启电压;PM...
查看详细 >>场效应管与双极性晶体管的比较:1.场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,在信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。2.场效应管是多子导电,而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感,因此,对于环境变化较大的场合,采用场效应管比较合适。3.场效应管除了...
查看详细 >>面接触式二极管。面接触式PN结二极管是由一块半导体晶体制成的。不同的掺杂工艺可以使同一个半导体(如本征硅)的一端成为一个包含负极性载流子(电子)的区域,称作N型半导体;另一端成为一个包含正极性载流子(空穴)的区域,称作P型半导体。两种材料在一起时,电子会从N型一侧流向P型一侧。这一区域电子和空穴相互抵销,造成中间区域载流子不足,形成“耗尽...
查看详细 >>MOS场效应管,即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(较高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与...
查看详细 >>二极管的正向特性,当外加正向电压时,随着电压U的逐渐增加,电流I也增加。但在开始的一段,由于外加电压很低。外电场不能克服PN结的内电场,半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层,所以这时的正向电流极小(该段所对应的电压称为死区电压,硅管的死区电压约为0~0.5伏,锗管的死区电压约为0~0.2伏)。当外加电压超过死区电压以后,外电场强于PN结...
查看详细 >>发光二极管,施加正向偏置,可以发光的二极管。由发光种类与特性又有红外线二极管、各种颜色的可见光二极管、紫外线二极管等。激光二极管,当LED产生的光是带宽极窄的同调光(Coherent Light)时,则称为激光二极管。光电二极管,光线射入PN结,P区空穴、N区电子大量发生,产生电压(光电效应)。借由测量此电压或电流,可作为光感应器使用。有...
查看详细 >>场效应管的工作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。作用:1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3....
查看详细 >>三极管的应用:三极管可以用于放大电路和开关电路中。在放大电路中,它可以将微弱的信号放大到足以驱动扬声器或其他输出设备所需的水平。在开关电路中,它可以用来控制其他电路的开关状态,例如控制灯泡或电机的开关。除了以上应用之外,三极管还可以用于各种其他电子设备中,例如收音机、电视机、计算机、手机等等。三极管的优点和缺点,三极管具有以下几个优点:可...
查看详细 >>三极管一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极B上加一个微小的电流时,在集电极C上可以得到一个是基极电流β倍的电流,即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化,并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的放大作用。电流控制:NPN型三极管: 用基极B流向发射极E的电流IB,控制集电极C流向发射极E的电流IC...
查看详细 >>交流参数:a.交流电流放大系数β(或hFE)交流电流放大系数是指采用共发射极接法时,集电极输出电流的变化量ΔIC与基极输入电流的变化量ΔIB之比。b.截止频率fβ、fα晶体管的频率参数描述晶体管的电流放大系数对高频信号的适应能力。根据fβ的定义,所谓共射截止频率,并非说明此时晶体管已经完全失去放大作用,而只是共射电流放大系数的幅频特性下降...
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