MOSFET的作用如下：1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3.可以用作可变电阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作电子开关。6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作...

绝缘栅场效应管：1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管为例)它是利用UGS来控...

三极管饱和情况，像图1因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么较大电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这...

二极管的反向性，外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。击穿，外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二...

MOSFET的特性和作用：MOS管导作用，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于SiO2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认...

二极管特性及参数：1、二极管伏安特性，导通后分电压值约为 0.7 V（硅管）或0.3V（锗管）（LED 约为 1-2 V，电流 5-20 mA）。反向不导通，但如果达到反向击穿电压，那将导通（超过反向较大电压可能烧坏）。正向电压很小时不导通（0.5 V 以上时才导通）。2、主要参数：较大整流电流 I_FIF： 表示长期运行允许的较大正向平...

二极管是由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。二极管的伏安特性，半导体二极管的主要是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极...

场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。作用：1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3....

三极管的应用：放大作用，三极管较主要的功能就是放大功能。通过控制输入信号的大小，三极管可以对电流进行放大，从而实现对信号的增强。其基于小电流控制大电流的原则，通过较小的基极电流IB来控制较大的集电极电流IC。当基极电流IB有微小的变化时，会引发集电极电流IC和发射极电流IE的大幅度变化。这种“放大”并非将基极电流IB放大，而是通过控制输入...

三极管的作用：模拟。用三极管够成的电路还可以模拟其它元器件。大功率可变电阻价贵难觅，用图9(g)电路可作模拟品，调节510电阻的阻值，即可调节三极管C、E两极之间的阻抗，此阻抗变化即可代替可变电阻使用。图9(h)为用三极管模拟的稳压管。其稳压原理是：当加到A、B两端的输入电压上升时，因三极管的B、E结压降基本不变，故R2两端压降上升，经过...

光敏（光电）三极管，光敏三极管的基区面积比普通三极管大，而发射区面积较小。光敏三极管具有对光电信号的放大作用，当光电信号从基极（大多数光窗口即为基极）输入时，激发了基区半导体，产生电子和空穴的运动，从而在发射区有空穴的积累，相等于在发射极施加了正向偏压，使光敏三极管有放大作用。通过光敏三极管就得到了随入射光变化而放大的电信号。使用于光探测...

雪崩失效的预防措施，雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理。1：合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取。2：合理的变压器反射电压。合理的RCD及TVS吸收电路设计。4：大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感...