组成，FET由各种半导体构成，目前硅是较常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。我们知道三极管全称为半导体三极管，也称双极型晶体...

二极管是电路中经常用的一种电子元器件看，它的英文名称是Diode,又称晶体二极管，是用P型和N型半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子元器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。二极管引脚是有正负极性区分的，A（Ano...

三极管的分类：a.按材质分: 硅管、锗管。b.按结构分: NPN 、 PNP。c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。d. 按功率分：小功率管、中等功率管、大功率管。e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管。f.按结构工艺分：合金管、平面管。g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管。三极管是一种重要的电子元器件，它应用非常普遍，...

场效应管注意事项：（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，较大漏源电压、较大栅源电压和较大电流等参数的极限值。（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。（3）MOS场效应管由于输...

以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当...

二极管的英文是diode。二极管的正.负二个端子,一端称为阳极,一端称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。二极管是由半导体组成的器件。半导体无论哪个方向都能流动电流。二极管（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当...

二极管的分类：一、按半导体材料分类，二极管按其使用的材料可分为锗（Ge）二极管、硅（Si）二极管、砷化镓（GaAs）二极管、磷化镓（GaP）二极管等。二、按封装形式分类，二极管按其封装形式可分为塑料二极管、玻璃二极管、金属二极管、片状二极管、无引线圆柱形二极管。三、按结构分类，半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触...

场效应管注意事项：（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，较大漏源电压、较大栅源电压和较大电流等参数的极限值。（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。（3）MOS场效应管由于输...

高稳定场效应管在金融交易系统中的价值：金融交易系统对稳定性与准确性的要求近乎苛刻，高稳定场效应管在其中具有不可替代的价值。在高频交易服务器中，每秒钟要处理海量的交易数据，交易指令的响应速度和准确性直接关系到交易的成败和金融市场的稳定。高稳定场效应管确保电路在长时间高负载运行下，信号处理始终稳定，不会出现数据丢失或错误。在毫秒级的交易响应时...

当NPN三极管b极输入一个正电压UB，NP之间正偏，由于电场力作用，e极N区负电子（自由电子）被b极P区正电子（空穴）吸引出来涌向到基极P区，因为基极P区做的很薄，所以只有一部分负电子（自由电子）与正电子（空穴）复合产生基极电流IB（基极电流方向与负电子移动方向相反）。而另一部分负电子（自由电子）则在集电结附近聚集，由于电场作用聚集在集电...

PIN二极管（P-intrinsic-N Diode），PN之间一层高电阻的半导体层，使少数载流子的积蓄效果增加，逆回复时间也较长。利用正向偏置时高频率信号较容易通过的性质，用于天线的频带切换以及高频率开关。耿效应二极管，应用于低功率微波振荡器。二极真空管，气体放电管整流器，针状电极和平板电极相向接近顶端放电。若把针状电极当做负极，比较低...

二极管的正向特性，当外加正向电压时，随着电压U的逐渐增加，电流I也增加。但在开始的一段，由于外加电压很低。外电场不能克服PN结的内电场，半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层，所以这时的正向电流极小（该段所对应的电压称为死区电压，硅管的死区电压约为0～0.5伏，锗管的死区电压约为0～0.2伏）。当外加电压超过死区电压以后，外电场强于PN结...