三极管的两个PN结，类似于两个共阴或共阳的二极管。与晶闸管和MOS管相比，三极管的特点是具有放大功能，而晶闸管和MOS管则没有这种功能。三极管的工作原理。三极管的工作原理基于小电流控制大电流的原则，其工作机制像一个可控制的阀门。根据不同的工作状态和连接方式，三极管主要可以分为三种类型：共基极（CB）、共集电极（CC）和共发射极（CE）。共...

组成，FET由各种半导体构成，目前硅是较常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。我们知道三极管全称为半导体三极管，也称双极型晶体...

mos管，mos管是金属（metal）-氧化物（oxide）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体，MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认...

可能朋友们都有一个疑惑，集电结反向偏置了应该截止，怎么导通了？击穿了？这还要从二极管原理说起，上一篇介绍了二极管原理的文章提到了，当给PN结施加反向偏置电压的时候，内部电场强度增强，空间电荷区变宽，空间电荷区的自由电子被电场加速，穿过PN结形成反向饱和电流。当然这些自由电子属于少子，形成的反向电流也很小。如果人为把自由电子注入空间电荷区，...

瞬态抑制二极管(TVS管)，瞬态电压抑制二极管英文名称为Transient Voltage Suppressor，简称TVS，它是一种高效保护器件的一种二极管。当瞬态电压抑制二极的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一个预定值，有效地...

稳压二极管和普通二极管电性能区别，稳压二极管和普通二极管在电性能方面也存在明显差异。稳压二极管的电性能主要表现在稳定的工作电压、稳定的反向阻断电压和低动态电阻等方面。这使得稳压二极管在需要高精度控制电压的电路中表现出色，如通信设备、电源设备、工业自动化设备等。而普通二极管在正向导通时具有很低的电阻值，允许电流顺畅通过；在反向截止时则有较高...

什么是三极管？三极管全称是“晶体三极管”，也被称作“晶体管”，是一种具有放大功能的半导体器件。通常指本征半导体三极管，即BJT管。典型的三极管由三层半导体材料，有助于连接到外部电路并承载电流的端子组成。施加到晶体管的任何一对端子的电压或电流控制通过另一对端子的电流。三极管有哪三极？基极：用于触活晶体管。（名字的来源，较早的点接触晶体管有两...

在较初被发明的那个年代，二极管通常被称作“整流器”。在1919年四极管被人发明后，威廉·亨利·埃克尔斯创造了术语 Diode ，是从希腊语词根（ δί ，di，“二”）和（ ὁδός ，ode，“路径”）两者结合而来的。尽管二极管基本都有着“整流”作用，但是现在“整流器”一词通常在特定情况下才会被使用。如电源供应所需要的“半波整流”或“全...

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名，场效应管[2]是常见的电子元件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfel...

触发二极管，触发二极管又称双向触发二极管，英文名称为Diode AC switch,简写为DIAC，触发二极管实际上是一种电压控制元件，一般的它们都有一个触发电压，当两端电压低于这个触发电压的时候，二极管是开路状态，当电压达到触发电压的时候，二极管瞬间导通，将电压输出。双向二极管的正反两个方向都有稳压作用，就如同两个稳压二极管反向串连，它...

爱迪生效应，就是真空二极管的原型。爱迪生本人对这个发现并没有太大的兴趣，只是习惯性的注册了一个专业技术，就再也没有关注。后来经过无数科学家的努力发展了很多种类型的真空二极管，比如英国物理学家弗莱明发明的二极管，当时也称为电子管。电子管，当时，电子管技术促进了无线电技术的飞跃发展，但是在后来半导体二极管异军突起，慢慢的电子管退出了历史舞台。...

场效应管主要参数：1、漏源击穿电压。漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能接受的较大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。2、较大耗散功率。较大耗散功率PDSM也是—项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的较大漏源耗散功率。运用时场效应管实践功耗应小于PDSM并留有—定余量。...