首页 > 新闻中心

07-28 2024
SPHE8202R-D
SPHE8202R-D

奥斯汀工厂约占三星芯片总产能的28%。其发言人称,三星将尽快**生产,不过必须等待电力供应**。[9]图片据悉,此前德州约有380万名居民被断电。为了尽快解决这一问题,德州周四发布了天然气对外销售禁令,要求天然气生产商将天然气卖给本州电厂。德州电网运营商Ercot的高管DanWoodfin在...

07-28 2024
TJA1051T/3
TJA1051T/3

公司工程技术力量强大,可为客户设计指导方案开发。这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了,而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。掺加杂质将晶圆中植入离子,生成相应的P、N类半导体。具体工艺是从硅片上暴露的区域开始,放入化学离子混合液中。这一工艺...

07-28 2024
88E6083-B0-LGR1C000
88E6083-B0-LGR1C000

主要的工艺技术可以分为以下几大类:黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。IC由很多重叠的层组成,每层由视频技术定义,通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层(成为扩散层),一些定义哪里额外的离子灌输(灌输层),一些定义导体(多晶硅或金属层),一些定义传导层之...

07-28 2024
A3938SLDTR-T
A3938SLDTR-T

A2982SLWT是一款高性能、低成本的双路H桥驱动芯片,适用于直流电机和步进电机的驱动控制。该芯片采用了高效的MOSFET输出级,能够提供高达3A的输出电流,并且具有低电压降和低静态电流的特点,从而能够实现高效的电机驱动。A2982SLWT芯片具有多种保护功能,包括过温保护、过电流保护、欠压保护和...

07-27 2024
MX25L1605DM1I-12G
MX25L1605DM1I-12G

IC由很多重叠的层组成,每层由视频技术定义,通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层(成为扩散层),一些定义哪里额外的离子灌输(灌输层),一些定义导体(多晶硅或金属层),一些定义传导层之间的连接(过孔或接触层)。所有的组件由这些层的特定组合构成。在一个自排列(CMOS)过...

07-27 2024
EEEFP1H221AP
EEEFP1H221AP

生产的成本越低,但对工艺就要求的越高。晶圆涂膜晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力,其材料为光阻的一种。晶圆光刻显影、蚀刻光刻工艺的基本流程如图1[2]所示。首先是在晶圆(或衬底)表面涂上一层光刻胶并烘干。烘干后的晶圆被传送到光刻机里面。光线透过一个掩模把掩模上的图形投影在晶圆表面的光刻胶上,实现...

07-27 2024
PCA82C250T/YM
PCA82C250T/YM

单从74来看看不出是什么公司的产品。不同公司会在74前面加前缀,例如SN74LS00等。相关拓展一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分:前缀(首标)-----很多可以推测是哪家公司产品。器件名称----一般可以推断产品的功能(memory可以得知其容量)。温度等级-----区分商业...

07-27 2024
TP2804HCD
TP2804HCD

力争在高科技领域不受制于人。[8]4、美国消费者新闻与商业频道网站8月10日报道指出,**计划到2020年将半导体自给率提高到40%,到2025年提高到70%。[4]瑞士米拉博证券公司技术、媒体和电信研究主管尼尔·坎普林在电子邮件中告诉消费者新闻与商业频道记者:“我认为,这场新的技术冷战正是...

07-27 2024
MC7805BDTRKG
MC7805BDTRKG

[1]制造过程芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、测试等几个环节,其中晶片制作过程尤为的复杂。首先是芯片设计,根据设计的需求,生成的“图样”芯片的原料晶圆晶圆的成分是硅,硅是由石英沙所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(),接着是将这些纯硅制成硅晶棒,成为制造集成电路的石英半导...

07-27 2024
PMS154C-S14
PMS154C-S14

这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了,而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。掺加杂质将晶圆中植入离子,生成相应的P、N类半导体。具体工艺是从硅片上暴露的区域开始,放入化学离子混合液中。这一工艺将改变搀杂区的导电方式,使每个晶体管可以通、断、...

07-27 2024
ACS71020KMABTR-090B3-I2C
ACS71020KMABTR-090B3-I2C

A3955SLB是一款高性能、低成本的双H桥驱动器芯片,主要用于直流电机控制应用。该芯片采用了双H桥结构,能够控制两个直流电机的转速和方向,同时还具有过流保护、欠压锁定、过温保护等多种保护功能。A3955SLB芯片的工作电压范围为4.5V至30V,输出电流为2A,能够满足大多数直流电机的控制需求。该...

07-27 2024
LMH0034MH
LMH0034MH

除了补洞更要拓展新的领地。华为和合作伙伴正在朝这个方向走去——华为的计划是做IDM,业内人士对投中网表示。[10]IDM,是芯片领域的一种设计生产模式,从芯片设计、制造、封装到测试,覆盖整个产业链。[10]一方面,华为正在从芯片设计向上游延伸。余承东曾表示,华为将扎根,突破物理学材料学的基础...

1 2 ... 9 10 11 12 13 14 15 ... 49 50
手机号
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责