重庆至盛ACM8625M

    至盛 ACM 芯片针对不同应用场景推出了定制化方案，以更好地满足用户需求。对于户外应用场景，考虑到环境的复杂性与对续航的高要求，芯片在设计上进一步优化了抗干扰能力与低功耗性能。同时，增强了功率放大输出，使音响在户外嘈杂环境中也能提供足够响亮、清晰的声音。在车载应用场景中，芯片着重提升了与车载系统的兼容性，确保与汽车的蓝牙连接稳定可靠，并且优化了音频输出效果，以适应车内独特的声学环境，为驾驶者和乘客带来愉悦的驾乘音乐体验。而在智能家居应用场景中，芯片强化了智能语音交互功能与设备联动能力，能够与其他智能家居设备协同工作，如根据音乐节奏自动调节灯光亮度、控制窗帘开合等，通过定制化方案，至盛 ACM 芯片在不同应用场景中都能发挥出较佳性能。至盛半导体精心打造的 ACM 芯片，为功率器件提升整体性能。重庆至盛ACM8625M

   相较于部分国际有名品牌音频芯片，至盛 ACM 芯片在性价比方面优势明显。在音频处理性能上，如对高保真音频处理能力、音效算法丰富度等方面，与同类高级芯片相当，能提供清晰、饱满、富有层次感的音频输出。在功耗控制方面，通过新型架构与算法优化，ACM 芯片在保证音质前提下，有效降低功耗，优于部分传统芯片，可延长设备续航时间。在价格上，至盛凭借自身研发实力与成本控制能力，为市场提供更具价格竞争力的产品，让消费者以更低成本获得高性能音频体验，尤其在中低端音频设备市场，至盛 ACM 芯片市场份额逐步扩大。福建音响至盛ACM865高性能的至盛 ACM 芯片，在模拟功放里让声音更具影响力。

ACM5618的高效率和大电流特点使其在各种应用领域中都表现出色。特别是在音响系统、**、便携打印机和便携电机类产品等领域中，ACM5618能够***提升系统性能并扩大成本优势。通过优化电池播放时长和降低整体成本，ACM5618为客户提供了更加可靠和经济的升压解决方案。ACM5618是一款功能强大、性能***的DC-DC同步升压芯片，其高效率、大电流输出和全集成方案等特点使其在各种应用中都具有广泛的应用前景。ACM8623集成I2S数字音频接口，支持32位音频数据直接输入，避免模拟信号转换损耗。内置DSP模块包含15段EQ均衡器、3段DRC动态范围控制和1段Lookahead DRC预判算法，可针对小音量信号增强低频响应，提升人声清晰度。数字增益调节范围达-60dB至+12dB，通过I2C总线实现精确控制，简化系统调音流程。

ACM8815支持I2S和TDM两种数字音频接口：I2S接口：时钟信号：包括主时钟（MCLK，通常为256×Fs）、位时钟（BCLK，等于采样率×位宽×声道数）和帧时钟（LRCK，等于采样率）。例如，48kHz采样率、16bit位宽、立体声时，BCLK=48kHz×16×2=1.536MHz，LRCK=48kHz。数据格式：支持左对齐、右对齐和I2S标准格式。以I2S标准为例，数据在LRCK上升沿后1个BCLK周期开始传输，MSB优先。主从模式：ACM8815可配置为主模式（输出BCLK和LRCK）或从模式（接收外部BCLK和LRCK），通过寄存器0x01的BIT0设置。TDM接口：多通道支持：TDM模式下，ACM8815可接收**多8通道音频数据，通过寄存器0x02的BIT3-0配置通道数。时隙分配：每个通道占用固定时隙，时隙宽度由寄存器0x03的BIT7-0设置（典型值16bit）。同步信号：使用帧同步信号（FSYNC）标识数据帧起始，FSYNC频率等于采样率。ACM8623的供电电压范围在4.5V至15.5V之间，数字电源为3.3V，能够适应不同的电源环境。

    至盛 ACM 芯片在不同市场领域展现出了明显的竞争优势。在中高级蓝牙音响市场，其凭借优良的音频处理性能、强大的蓝牙连接稳定性以及丰富的音效增强技术，满足了追求品质高的音乐体验用户的需求，与国际有名品牌芯片展开有力竞争。在便携式蓝牙音响市场，芯片的低功耗设计、高集成度以及小巧的尺寸，使得产品能够实现更长的续航时间、更轻便的外观设计，深受消费者喜爱，在该细分市场占据一席之地。而在新兴的智能蓝牙音响市场，芯片前列的智能语音交互功能，能够快速响应市场对智能化产品的需求，为制造商提供了具有竞争力的解决方案，助力其在市场竞争中脱颖而出，通过在不同市场发挥独特优势，至盛 ACM 芯片不断扩大市场份额，提升品牌影响力。ACM8623支持I2S数字输入，可以直接与蓝牙芯片等数字信号源对接，减少信号转换损失，提高音质保真度。江门自主可控至盛ACM3129A

ACM8623的架构能有效防止POP音的产生，提升音质体验。重庆至盛ACM8625M

ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺，在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层，通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括：MOSFET结构：采用垂直双扩散结构（VDMOS），源极和漏极分别位于芯片两侧，沟道长度*0.3μm，实现低导通电阻（11mΩ@10V栅压）。栅极氧化层：使用ALD（原子层沉积）技术生长5nm厚Al2O3栅氧层，确保栅极漏电流<1nA，提高器件可靠性。金属互连：采用铜互连技术，线宽/线距达0.8μm/0.8μm，寄生电阻<5mΩ，寄生电感<1nH，减少信号延迟。封装方面，ACM8815采用QFN-40封装（尺寸7mm×7mm×1.2mm），底部暴露散热焊盘，通过金线键合实现芯片与引脚的电气连接。封装热阻（RθJC）*2℃/W，满足无散热器设计要求。重庆至盛ACM8625M