膏焊点保护烧结银胶价目表

高导热银胶在电子设备散热方面具有有效优势。随着电子设备的功率不断提升，散热问题成为制约其性能和可靠性的关键因素。高导热银胶凭借其出色的导热性能，能够快速将电子元件产生的热量传导出去，有效降低芯片结温。在智能手机中，高导热银胶可以将处理器芯片产生的热量迅速传递到手机外壳，实现高效散热，避免因过热导致的性能下降和电池寿命缩短。与传统散热材料相比，高导热银胶的优势明显。传统的散热材料如普通硅胶，其导热率较低，一般在1-3W/mK之间，无法满足现代电子设备对高效散热的需求。半烧结银胶，工艺简单性能佳。膏焊点保护烧结银胶价目表

在功率器件封装中，即使经过多次热循环和机械振动，TS-9853G依然能够保持良好的连接性能，减少因EBO问题导致的产品失效，为功率器件的稳定运行提供了有力保障。在导热性能方面，TS-9853G的导热率达到130W/mK，处于半烧结银胶的较高水平。这使得它在需要高效散热的应用中能够发挥出色的作用，能够快速将电子元件产生的热量传导出去，降低芯片温度，提高电子设备的性能和稳定性。它在固化过程中能够形成更加均匀和稳定的连接结构，增强了银胶与电子元件之间的结合力，从而提高了产品的长期可靠性。提供印刷解决方案烧结银胶订制价格烧结银胶，打造坚固连接结构。

高导热银胶是一种以银粉为主要导电填料，有机树脂为基体，通过特定配方和工艺制备而成的具有高导热性能的胶粘剂。根据银粉的形态和粒径，可分为微米级银粉高导热银胶和纳米级银粉高导热银胶。微米级银粉高导热银胶具有成本较低、制备工艺相对简单的优点，广泛应用于对成本敏感的消费电子领域，如手机、平板电脑等的芯片封装。纳米级银粉高导热银胶由于银粉粒径小，比表面积大，与有机树脂的结合更加紧密，能够形成更高效的导热通路，导热性能更为优异，常用于对散热要求极高的品牌电子设备，如高性能服务器、人工智能芯片等的封装 。

烧结银胶是指通过高温烧结工艺，使银粉之间发生原子扩散和融合，形成致密的银连接层的材料。根据烧结工艺的不同，可分为无压烧结银胶和有压烧结银胶。无压烧结银胶在烧结过程中无需施加外部压力，工艺简单，成本较低，适用于大面积的电子封装，如 LED 照明灯具的基板与芯片连接。有压烧结银胶在烧结时需要施加一定的压力，能够使银粉之间的结合更加紧密，提高烧结体的致密度和性能，常用于对连接强度和性能要求极高的航空航天电子设备封装，如卫星通信模块的芯片封装 。不同银胶导电，性能各有千秋。

高导热银胶导热率在 10W - 80W/mK，满足一般电子设备散热需求，其导电性和可靠性也能满足常规电子元件的电气连接和稳定工作要求 。半烧结银胶导热率处于 80W - 200W/mK 之间，在具备较高导热性能的同时，对 EBO 进行了优化，如 TS - 9853G 半烧结银胶符合欧盟 PFAS 要求，为其在环保要求较高的市场应用提供了优势 。烧结银胶导热率可达 200W/mK 以上，具有高可靠性和在高温下的稳定性，像 TS - 985A - G6DG 高导热烧结银胶在航空航天等极端环境应用中表现优异 。不同导热率银胶，散热效果各异。膏焊点保护烧结银胶价目表

高导热银胶，构建高效导热通路。膏焊点保护烧结银胶价目表

功率器件如绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属 - 氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等在电力电子、新能源汽车、工业自动化等领域有着广泛的应用。这些功率器件在工作时会消耗大量的电能，并产生大量的热量，因此对散热性能要求极高。高导热银胶能够满足功率器件的散热需求，将器件产生的热量快速传递出去，保证其在高功率、高频率的工作条件下稳定运行。在新能源汽车的逆变器中，IGBT 模块是重要部件之一，高导热银胶用于 IGBT 芯片与基板之间的连接，能够有效提高逆变器的效率和可靠性，降低能耗，延长使用寿命。膏焊点保护烧结银胶价目表