企业商机
剥离液基本参数
  • 品牌
  • 博洋化学
  • 纯度级别
  • 超纯/高纯
  • 类型
  • 醇,醚
  • 产品性状
  • 液态
剥离液企业商机

具体实施方式现有技术中剥离液废液中含有光刻胶树脂、水和某些金属杂质,而剥离液废液的处理主要是通过焚烧或者低水平回收,其大量的使用但不能够有效地回收,或者回收后需要通过大量的时间分析其含量以及花大量时间进行再生处理,影响了剥离液废液的利用率。本发明对于已知的剥离液的含量以及比例有预先的了解,通过预先制定添加剂的方法,将添加剂以及某些原材料加入后重新制备剥离液新液。本发明中对于回收的剥离液废液的进一步处理加工,是采用现有技术中加压、蒸馏等方式,可以是采用阶段性变压精馏塔进行加压、蒸馏处理。表1:已知的剥离液新液的组分:表二:添加剂的组分组分比例:纯化液体的组分表四:制备剥离液新液在对纯化液体进行加工处理,重新制备剥离液新液的过程中,需要预先制备添加剂,该添加剂中不含有酰胺化合物,而通过表四中可以得出,制备过程中在纯化液体中加入添加剂以及nmf或bdg重新得出与表1组分相同的剥离液新液,该剥离液新液能够达到表1中剥离液新液相同的成分以及相同或大致相同的技术效果。对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的。质量好的剥离液的公司联系方式。广东ITO蚀刻液剥离液销售公司

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参考图7),这种残余物在覆盖一系列栅极堆栈薄膜之后会被增强呈现,传递到栅极成型工序时会对栅极图形产生严重的影响,即在栅极曝光图形成型之后形成埋层缺陷,在栅极刻蚀图形成型之后造成栅极断开或桥接,直接降低了产品良率。另外,在氧气灰化阶段,由于等离子氧可以穿透衬底表面上的氧化层到达衬底硅区,直接与硅反应产生二氧化硅,增加了硅损失,会影响器件阈值电压及漏电流,也会影响产品良率。技术实现要素:在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本发明要解决的技术问题是提供一种用于包括但不限于半导体生产工艺中,能降低光刻胶去除残留物的光刻胶剥离去除方法。为解决上述技术问题,本发明提供的光刻胶剥离去除方法,包括以下步骤:s1,在半导体衬底上淀积介质层;可选择的,淀积介质层为二氧化硅薄膜。可选的,进一步改进,淀积二氧化硅薄膜厚度范围为5埃~60埃。s2,旋涂光刻胶并曝光显影,形成光刻图形阻挡层。江苏剥离液联系方式平板显示用剥离液哪里可以买到;

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图3是一现有技术光刻胶剥离去除示意图二,其离子注入步骤。图4是一现有技术光刻胶剥离去除示意图三,其显示离子注入后光刻胶形成了主要光刻胶层和第二光刻胶层。图5是一现有技术光刻胶剥离去除示意图四,其显示光刻胶膨胀。图6是一现有技术光刻胶剥离去除示意图五,其显示光刻胶炸裂到临近光刻胶。图7是一现有技术光刻胶剥离去除示意图六,其显示光刻胶去除残留。图8是本发明光刻胶剥离去除示意图一,其显示首先剥离去除主要光刻胶层。图9是本发明光刻胶剥离去除示意图二,其显示逐步剥离去除第二光刻胶层的中间过程。图10是本发明光刻胶剥离去除示意图三,其显示完全去除光刻胶后的衬底。图11是采用现有技术剥离去除光刻胶残留缺陷示意图。图12是采用本发明剥离去除光刻胶残留缺陷示意图。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用,在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是,在不的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。

高世代面板)表面上,或透入其表面,而把固体物料润湿,剥离液亲水性良好,能快速高效地剥离溶解光刻胶。因此,本申请中的高世代面板铜制程光刻胶剥离液由酰胺、醇醚、环胺与链胺、缓蚀剂、润湿剂组成。其中,酰胺可以为n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一种或多种,酰胺是用于溶解光刻胶;n-甲基甲酰胺下面简称″nmf″醇醚为二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一种或多种,醇醚是用于润湿、膨润、溶解光刻胶的;二乙二醇丁醚下面简称″bdg″。环胺与链胺,用于渗透、断开光刻胶分子间弱结合力;链胺:分子量的大小决定瞬间溶解力,分子量过大瞬间溶解力小,光刻胶未被完全溶解;分子量过小,对金属的腐蚀性增强,影响产品质量。分子量一般在50g/mol-200g/mol,链胺为乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一种或多种;环胺:溶解光刻胶中环状结构的树脂,包括氨乙基哌嗪、羟乙基哌嗪、氨乙基吗啉中的任意一种或多种;上述链胺与环胺的比例在4∶1-1∶4之间。缓蚀剂,用于降低对金属的腐蚀速度,缓蚀剂为三唑类物质,具体为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一种。润湿剂。剥离液的作用和使用场景。

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本技术通过以下技术方案来实现上述目的:一种印刷品胶面印刷剥离复合装置,包括主支撑架、横向支架、伺服变频电机、电机减速箱、印刷品放置箱、表面印刷结构、胶面剥离结构,所述主支撑架上方设置有所述横向支架,所述横向支架上方设置有所述伺服变频电机,所述伺服变频电机上方设置有所述电机减速箱,所述电机减速箱上方安装有印刷品传送带,所述印刷品传送带一侧安装有所述印刷品放置箱,所述印刷品放置箱一侧安装有所述表面印刷结构,所述表面印刷结构上方设置有油墨放置箱,所述油墨放置箱下方安装有油墨加压器,所述油墨加压器下方安装有高压喷头,所述高压喷头一侧安装有防溅射挡板。剥离液,让您的加工过程更加高效。嘉兴配方剥离液销售厂家

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图2为本申请实施例提供的剥离液机台的第二种结构示意图。图3为本申请实施例提供的剥离液机台的第三种结构示意图。图4为本申请实施例提供的剥离液机台的第四种结构示意图。图5为本申请实施例提供的剥离液机台的工作方法的流程示意图。具体实施方式目前剥离液机台在工作时,如果过滤剥离光阻时产生的薄膜碎屑的过滤器被阻塞,则需要剥离液机台内的所有工作单元,待被阻塞的过滤器被清理后,才能重新进行剥离制程,使得机台需频繁停线以更换过滤器,极大的降低了生产效率。请参阅图1,图1为本申请实施例提供的过滤液机台100的种结构示意图。本申请实施例提供一种剥离液机台100,包括:依次顺序排列的多级腔室10、每一级所述腔室10对应连接一存储箱20;过滤器30,所述过滤器30的一端设置通过管道40与当前级腔室101对应的存储箱20连接,所述过滤器30的另一端通过第二管道50与下一级腔室102连接;其中,至少在管道40或所述第二管道50上设置有阀门开关60。具体的,图1所示出的是阀门开关60设置在管道40上的示例图。当当前级别腔室101对应的过滤器30被薄膜碎屑阻塞后,通过阀门开关60关闭当前级别腔室101对应的存储箱20与过滤器30之间的液体流通。广东ITO蚀刻液剥离液销售公司

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