企业商机
剥离液基本参数
  • 品牌
  • 博洋化学
  • 纯度级别
  • 超纯/高纯
  • 类型
  • 醇,醚
  • 产品性状
  • 液态
剥离液企业商机

本发明涉及剥离液技术领域:,更具体的说是涉及一种光刻胶剥离液再生方法。背景技术::电子行业飞速发展,光刻胶应用也越来越***。在半导体元器件制造过程中,经过涂敷-显影-蚀刻过程,在底层金属材料上蚀刻出所需线条之后,必须在除去残余光刻胶的同时不能损伤任何基材,才能再进行下道工序。因此,光刻胶的剥离质量也有直接影响着产品的质量。而随着电子行业的发展以及高世代面板的面世,光刻胶剥离液的使用越来越多。剥离液废液中含有光刻胶树脂、水和某些金属杂质,而剥离液废液的处理主要是通过焚烧或者低水平回收,其大量的使用但不能够有效地回收,对环境、资源等都造成了比较大的影响。有鉴于此,申请人研发出以下的对使用后的光刻胶剥离液回收及再生方法。技术实现要素:本发明的目的是提供一种光刻胶剥离液再生方法。为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:本申请公开了一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液,包括以下质量组分:光刻胶剥离液再生方法,包括以下步骤:s1:回收剥离液新液使用后的剥离液废液,将剥离液废液经过蒸馏、加压工序,得出剥离液废液的纯化液体;纯化液体中含有酰胺化合物、醇醚化合物以及胺化合物;s2:制备添加剂。天马微电子用哪家剥离液更多?安徽哪家剥离液批量定制

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所述的链胺为乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一种或多种。技术方案中,所述的环胺为氨乙基哌嗪、羟乙基哌嗪、氨乙基吗啉中的任意一种或多种。技术方案中,所述的缓蚀剂为三唑类物质。的技术方案中,所述的缓蚀剂为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一种。技术方案中,所述的润湿剂含有羟基。技术方案中,所述的润湿剂为聚乙二醇、甘油中的任意一种。经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:本发明中加入环胺与链胺,能够渗透、断开光刻胶分子间弱结合力,能够快速、有效地溶解光刻胶,而配方中加入润湿剂,能够有效地减少接触角,增强亲水性,使得剥离液亲水性良好,能快速高效地剥离溶解光刻胶。附图说明:图1为配方一和配方二的剥离液滴落在平面时两者的接触角对比图。图2为配方一和配方二的剥离液应用是光刻胶的残留量对比图。具体实施方式现有技术中的剥离液其水置换能力较差,容易造成面板边缘光刻胶残留,本申请经过大量的试验,创造性的发现,在剥离液中加入润湿剂,能够使固体物料(高世代面板)更易被水浸湿的物质,通过降低其表面张力或界面张力,使水能展开在固体物料。广东铜钛蚀刻液剥离液推荐厂家京东方用的哪家的剥离液?

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本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种用于包括但不限于半导体生产工艺中光刻胶去除步骤的光刻胶剥离去除方法。背景技术:光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的也称为光致抗蚀剂、光阻等,其作用是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶广泛应用于集成电路(ic)、封装(packaging)、微机电系统(mems)、光电子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板显示其(led、lcd、oled)和太阳能光伏(solarpv)等领域。在半导体制造领域,离子注入层光刻胶(参考图2)在经过高剂量或大分子量的源种注入后(参考图3),会在光刻胶的外层形成一层硬壳(参考图4)本发明命名为主要光刻胶层。现有的离子注入层光刻胶在经过氧气灰化干法剥离时,由于等离子氧与光刻胶反应速率很高,会有一部分等离子氧先穿透主要光刻胶层到达第二光刻胶层,在与第二光刻胶层反应后在内部产生大量气体,第二层光刻胶膨胀(参考图5),主要光刻胶层终因承受不住内层巨大的气压而爆裂,爆裂的光刻胶有一定的概率掉落在临近的光刻胶上(参考图6),导致此交叠的光刻胶不能法剥离干净。在经过后续批作业的湿法剥离后会产生残余物。

光电行业的大力发展,致使剥离液被国内外研究人员所关注及研究,虽然在**网及技术网上对剥离液的阐述较少,但当前国内与国外均在剥离液废液如何利用及处置方面有了一定的成果,。美国专利US7273560公布了包含单乙醇胺与二乙二醇单丁醚组合的光刻胶剥离液废液中含有、77%的二乙二醇单丁醚、3%的光刻胶和。现有技术***采用的光刻胶剥离液废液回收方法通常是通过薄膜蒸发器回收大部分的有机成分,回收得到的有机组分或再经脱色脱水等处理后可再次作为光刻胶剥离液应用。这种方法虽然流程简便,但在使用薄膜蒸发器蒸发溶剂过程中,光刻胶浓度达到一定程度后其传热传质效率快速下降,使溶剂回收效率大为降低,处理能耗***升高。且除去溶剂后残留的光刻胶等物质需要定期将其***干净,进而影响工艺操作效率。另外,美国专利US公布了在蚀刻产线上设置过滤回收装置,通过粗孔和细孔过滤器的两步组合过滤法除去光刻胶,将光刻胶剥离液在产线上循环使用。剥离液的成分分类有哪几种;

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如遇水,图案则随着背胶的脱落而脱落。这种印刷方法是通过滚筒式胶质印模把沾在胶面上的油墨转印到纸面上。由于胶面是平的,没有凹下的花纹,所以印出的纸面上的图案和花纹也是平的,没有立体感,防伪性较差。胶版印刷所需的油墨较少,模具的制造成本也比凹版低。目前我国汽车尾气直接排入空气中,并未进行回收处理,对空气造成了巨大污染,同时会对人体造成伤害。技术实现思路本**技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种印刷品胶面印刷剥离复合装置。哪家的剥离液性价比比较高?广东中芯国际用剥离液产品介绍

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参考图7),这种残余物在覆盖一系列栅极堆栈薄膜之后会被增强呈现,传递到栅极成型工序时会对栅极图形产生严重的影响,即在栅极曝光图形成型之后形成埋层缺陷,在栅极刻蚀图形成型之后造成栅极断开或桥接,直接降低了产品良率。另外,在氧气灰化阶段,由于等离子氧可以穿透衬底表面上的氧化层到达衬底硅区,直接与硅反应产生二氧化硅,增加了硅损失,会影响器件阈值电压及漏电流,也会影响产品良率。技术实现要素:在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本发明要解决的技术问题是提供一种用于包括但不限于半导体生产工艺中,能降低光刻胶去除残留物的光刻胶剥离去除方法。为解决上述技术问题,本发明提供的光刻胶剥离去除方法,包括以下步骤:s1,在半导体衬底上淀积介质层;可选择的,淀积介质层为二氧化硅薄膜。可选的,进一步改进,淀积二氧化硅薄膜厚度范围为5埃~60埃。s2,旋涂光刻胶并曝光显影,形成光刻图形阻挡层。安徽哪家剥离液批量定制

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