功率器件如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属 - 氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等在电力电子、新能源汽车、工业自动化等领域有着广泛的应用。这些功率器件在工作时会消耗大量的电能,并产生大量的热量,因此对散热性能要求极高。高导热银胶能够满足功率器件的散热需求,将器件产生的热量快速传递出去,保证其在高功率、高频率的工作条件下稳定运行。在新能源汽车的逆变器中,IGBT 模块是重要部件之一,高导热银胶用于 IGBT 芯片与基板之间的连接,能够有效提高逆变器的效率和可靠性,降低能耗,延长使用寿命。银胶导热率高,芯片温度速降。倒装芯片工艺半烧结银胶注意事项
其次,TS - 9853G 对 EBO(环氧基有机硅化合物)有比较好的优化。EBO 在电子封装中常用于提高材料的柔韧性和耐化学腐蚀性,但它的加入可能会对银胶的某些性能产生影响。TS - 9853G 通过优化配方和工艺,有效地解决了这一问题,使得银胶在保持高导热性能的同时,还具备更好的柔韧性和耐化学腐蚀性。这一优化使得 TS - 9853G 在一些对材料柔韧性和耐化学腐蚀性要求较高的应用中表现出色,如在柔性电路板的封装中,它能够适应电路板的弯曲和折叠,同时抵御环境中的化学物质侵蚀,保证电子设备的长期稳定运行。倒装芯片工艺半烧结银胶注意事项微米银粉银胶,普及消费电子。
对于不同型号的银胶,其导热率对电子设备散热的影响也各不相同。以高导热银胶、半烧结银胶和烧结银胶为例,高导热银胶的导热率一般在 10W - 80W/mK 之间,适用于一般的电子设备散热需求,如普通的集成电路封装。半烧结银胶的导热率通常在 80W - 200W/mK 之间,在一些对散热要求较高,但又需要兼顾工艺和成本的应用中表现出色,如汽车电子的功率模块。烧结银胶的导热率则可达到 200W/mK 以上,主要应用于对散热性能要求极高的品牌电子设备,如航空航天领域的电子器件。
在新能源汽车领域,随着新能源汽车市场的快速发展,对电池模块、电机控制器和逆变器等关键部件的性能要求也在不断提高。高导热银胶、半烧结银胶和烧结银胶在这些部件中的应用将不断增加,以提高新能源汽车的性能和可靠性。在电池模块中,高导热银胶能够有效解决电芯散热问题,提高电池的充放电效率和使用寿命;在电机控制器和逆变器中,半烧结银胶和烧结银胶能够满足其对散热和可靠性的严格要求。在5G通信领域,5G技术的快速发展对通信设备的性能提出了更高的要求。半烧结银胶,平衡性能与成本。
除了高导热率,TS - 1855 还具有出色的附着力。它对各种模具尺寸的金属化表面都能保持良好的粘附能力,在 260℃、14MPa 的条件下,其 DSS(Die Shear Strength,芯片剪切强度)表现优异。这意味着在高温和高压的工作环境下,TS - 1855 能够可靠地将电子元件与基板连接在一起,确保电子设备在复杂工况下的稳定运行 。在射频功率设备中,即使设备在高频振动和温度变化的环境中工作,TS - 1855 凭借其强大的附着力,依然能够保证芯片与基板之间的紧密连接,维持设备的正常运行。TS - 985A - G6DG,烧结银胶导热王。倒装芯片工艺半烧结银胶注意事项
高导热银胶,提升设备整体效能。倒装芯片工艺半烧结银胶注意事项
半烧结银胶在电机控制器等部件中应用很广。电机控制器在工作时会产生大量热量,对散热和可靠性要求很高。半烧结银胶能够有效地将热量导出,同时保持良好的电气连接,确保电机控制器在复杂的工况下稳定运行 。在新能源汽车的高速行驶过程中,电机控制器需要频繁地进行功率调节,半烧结银胶能够在这种情况下可靠地工作,保障电机的正常运行 。烧结银胶则常用于对性能要求极高的关键部件,如逆变器中的功率芯片封装。逆变器是新能源汽车的重要部件之一,其性能直接影响汽车的动力性能和续航里程。倒装芯片工艺半烧结银胶注意事项