IC去除剥离液MSDS1.产品属性产品形式:混合溶液产品名称:ANS-908产品功能描述:用于COG重工,使IC与玻璃无损伤分离2.组成成份化学名称CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-DIMETHYLACETAMIDE127-19-510~58Other12~45SurfactantThickener3.危险识别可燃性液体和蒸汽警示标识外观:透明或微黄气味:类氨对人类和环境的危害:对眼睛和皮肤有刺激性吸入:会引起呼吸道受刺激,肝脏、肾受伤害,对系统有影响摄取:会引起呼吸道和消化道刺激长期接触:会引起皮肤伤害4.紧急处理吸入:移至空气新鲜处,呼吸困难时输氧、看医生摄取:迅速呕吐或者看医生皮肤接触:用大量水冲洗15分钟以上,更换衣服、鞋,或者看医生眼睛接触:用大量水冲洗15分钟以上,严重时看医生5.防火措施合适的灭火装置:水枪、泡沫灭火器、干粉灭火器、CO2灭火器特别防护措施:穿戴防护面罩闪点:>110℃自燃温度:>340℃6.意外泄漏注意事项人员:避免吸入,避免皮肤、眼睛、衣物的接触,雾状时戴防护面罩环境:迅速移除火源,避免吸入和接触清洁方法:大量泄漏应截流并泵入容器,用吸附材料吸掉残余物;少量泄漏用水冲洗7.存储和搬运搬运:远离火源、烟雾;不要吸入蒸汽。如何挑选一款适合自己公司的剥离液?东莞什么剥离液销售厂家
本发明涉及剥离液技术领域:,更具体的说是涉及一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液。背景技术::电子行业飞速发展,光刻胶应用也越来越。在半导体元器件制造过程中,经过涂敷-显影-蚀刻过程,在底层金属材料上蚀刻出所需线条之后,必须在除去残余光刻胶的同时不能损伤任何基材,才能再进行下道工序。因此,光刻胶的剥离质量也有直接影响着产品的质量。但是传统光刻胶剥离液虽然能剥离绝大部分光阻,但对于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板),传统剥离液亲水性不够,水置换能力较差,容易造成面板边缘光刻胶残留。技术实现要素:本发明的目的是提供一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液。为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:本申请公开了一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液,包括以下质量组分:酰胺:50-60%;醇醚:35-45%;环胺与链胺:3-7%;缓蚀剂:%%;润湿剂:%%。的技术方案中,所述的酰胺为n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一种或多种。的技术方案中,所述的醇醚为二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一种或多种。的技术方案中。江苏市面上哪家剥离液生产使用剥离液的方式有哪些;
可选择的,旋涂光刻胶厚度范围为1000埃~10000埃。s3,执行离子注入:可选择的,离子注入剂量范围为1×1013cm-2~1×1016cm-2。s4,采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀,对光刻胶进行干法剥离;如背景技术中所述,经过高剂量或大分子量的源种注入后,会在光刻胶的外层形成一层硬壳即为主要光刻胶层,主要光刻胶层包裹在第二光刻胶层外。使氮氢混合气体与光刻胶反应生成含氨挥发性化合物气体,反应速率平稳,等离子体氮氢混合气体与主要光刻胶层、第二光刻胶层的反应速率相等。等离子体氮氢混合气体先剥离去除主要光刻胶层,参考图8所示。再逐步剥离去除第二光刻胶层,参考图9和图10所示。可选的,等离子刻蚀气体是氮氢混合气体,氢氮混合比例范围为4:96~30:70。s5,对衬底表面进行清洗。可选择的,对硅片执行单片排序清洗。单片清洗时,清洗液喷淋到硅片正面,单片清洗工艺结束后残液被回收,下一面硅片清洗时再重新喷淋清洗液,清洗工艺结束后残液再被回收,如此重复。现有的多片硅片同时放置在一个清洗槽里清洗的批处理清洗工艺,在清洗过程中同批次不同硅片的反应残余物可能会污染其他硅片,或者上一批次硅片留在清洗槽的反应残余物可能会污染下一批次硅片。相比而言。
本申请实施例还提供一种剥离液机台的工作方法,请参阅图5,图5为本申请实施例提供的剥离液机台的工作方法的流程示意图,该方法包括:步骤110、将多级腔室顺序排列,按照处于剥离制程的剥离基板的传送方向逐级向剥离基板提供剥离液;步骤120、将来自于当前级腔室经历剥离制程的剥离液收集和存储于当前级腔室相应的存储箱中,所述剥离液中夹杂有薄膜碎屑;步骤130、使用当前级腔室相应的过滤器过滤来自当前级腔室的剥离液并将过滤后的剥离液传输至下一级腔室;步骤140、若所述过滤器被所述薄膜碎屑阻塞,则关闭连接被阻塞的所述过滤器的管道上的阀门开关;步骤150、取出被阻塞的所述过滤器。若过滤器包括多个并列排布的子过滤器,则可以关闭被阻塞的子过滤器的阀门,因此,步骤140还可以包括:若所述过滤器包括多个并列排布的子过滤器,则关闭连接被阻塞的所述子过滤器的管道上的阀门开关。在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。 剥离液有水性和溶剂型两种不同的区分。
高世代面板)表面上,或透入其表面,而把固体物料润湿,剥离液亲水性良好,能快速高效地剥离溶解光刻胶。因此,本申请中的高世代面板铜制程光刻胶剥离液由酰胺、醇醚、环胺与链胺、缓蚀剂、润湿剂组成。其中,酰胺可以为n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一种或多种,酰胺是用于溶解光刻胶;n-甲基甲酰胺下面简称″nmf″醇醚为二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一种或多种,醇醚是用于润湿、膨润、溶解光刻胶的;二乙二醇丁醚下面简称″bdg″。环胺与链胺,用于渗透、断开光刻胶分子间弱结合力;链胺:分子量的大小决定瞬间溶解力,分子量过大瞬间溶解力小,光刻胶未被完全溶解;分子量过小,对金属的腐蚀性增强,影响产品质量。分子量一般在50g/mol-200g/mol,链胺为乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一种或多种;环胺:溶解光刻胶中环状结构的树脂,包括氨乙基哌嗪、羟乙基哌嗪、氨乙基吗啉中的任意一种或多种;上述链胺与环胺的比例在4∶1-1∶4之间。缓蚀剂,用于降低对金属的腐蚀速度,缓蚀剂为三唑类物质,具体为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一种。润湿剂。高效剥离液,让光刻胶去除更轻松、更彻底。池州京东方用的蚀刻液剥离液订做价格
剥离液可适用不同制程光刻胶的剥离;东莞什么剥离液销售厂家
在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的剥离液机台的种结构示意图。图2为本申请实施例提供的剥离液机台的第二种结构示意图。图3为本申请实施例提供的剥离液机台的第三种结构示意图。图4为本申请实施例提供的剥离液机台的第四种结构示意图。图5为本申请实施例提供的剥离液机台的工作方法的流程示意图。具体实施方式目前剥离液机台在工作时,如果过滤剥离光阻时产生的薄膜碎屑的过滤器被阻塞,则需要剥离液机台内的所有工作单元,待被阻塞的过滤器被清理后,才能重新进行剥离制程,使得机台需频繁停线以更换过滤器,极大的降低了生产效率。请参阅图1,图1为本申请实施例提供的过滤液机台100的种结构示意图。本申请实施例提供一种剥离液机台100,包括:依次顺序排列的多级腔室10、每一级所述腔室10对应连接一存储箱20;过滤器30,所述过滤器30的一端设置通过管道40与当前级腔室101对应的存储箱20连接,所述过滤器30的另一端通过第二管道50与下一级腔室102连接;其中,至少在管道40或所述第二管道50上设置有阀门开关60。 东莞什么剥离液销售厂家