湿电子化学品位于电子信息产业偏中上游的材料领域。湿电子化学品上游是基 础化工产品,下游是电子信息产业(信息通讯、消费电子、家用电器、汽车电子、 LED、平板显示、太阳能电池、**等领域)。湿电子化学品的生产工艺主要采用物 理的提纯技术及混配技术,将工业级的化工原料提纯为超净高纯化学试剂,并按照 特定的配方混配为具有特定功能性的化学试剂。湿电子化学品行业是精细化工和电 子信息行业交叉的领域,其行业特色充分融入了两大行业的自身特点,具有品种多、 质量要求高、对环境洁净度要求苛刻、产品更新换代快、产品附加值高、资金投入 量大等特点,是化工领域相当有发展前景的领域之一。哪家的剥离液价格比较低?铜陵天马用的蚀刻液剥离液主要作用
使用当前级腔室相应的过滤器过滤来自当前级腔室的剥离液并将过滤后的剥离液传输至下一级腔室;若所述过滤器被所述薄膜碎屑阻塞,则关闭连接被阻塞的所述过滤器的管道上的阀门开关;取出被阻塞的所述过滤器。在一些实施例中,所述若所述过滤器被所述薄膜碎屑阻塞,则关闭连接被阻塞的所述过滤器的管道上的阀门开关包括:若所述过滤器包括多个并列排布的子过滤器,则关闭连接被阻塞的所述子过滤器的管道上的阀门开关。本申请实施例还提供一种剥离液机台,包括:依次顺序排列的多级腔室、每一级所述腔室对应连接一存储箱;过滤器,所述过滤器的一端设置通过管道与当前级腔室对应的存储箱连接,所述过滤器的另一端通过第二管道与下一级腔室连接;其中,至少在所述管道或所述第二管道上设置有阀门开关开关。通过阀门开关控制连接每一级腔室的过滤器相互独立,从而在过滤器被阻塞时通过阀门开关将被堵塞的过滤器取下并不影响整体的剥离进程,提高生产效率。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图**是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲。 铜陵配方剥离液主要作用哪家剥离液质量比较好一点?
本发明涉及剥离液技术领域:,更具体的说是涉及一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液。背景技术::电子行业飞速发展,光刻胶应用也越来越。在半导体元器件制造过程中,经过涂敷-显影-蚀刻过程,在底层金属材料上蚀刻出所需线条之后,必须在除去残余光刻胶的同时不能损伤任何基材,才能再进行下道工序。因此,光刻胶的剥离质量也有直接影响着产品的质量。但是传统光刻胶剥离液虽然能剥离绝大部分光阻,但对于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板),传统剥离液亲水性不够,水置换能力较差,容易造成面板边缘光刻胶残留。技术实现要素:本发明的目的是提供一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液。为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:本申请公开了一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液,包括以下质量组分:酰胺:50-60%;醇醚:35-45%;环胺与链胺:3-7%;缓蚀剂:%%;润湿剂:%%。的技术方案中,所述的酰胺为n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一种或多种。的技术方案中,所述的醇醚为二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一种或多种。的技术方案中。
本技术通过以下技术方案来实现上述目的:一种印刷品胶面印刷剥离复合装置,包括主支撑架、横向支架、伺服变频电机、电机减速箱、印刷品放置箱、表面印刷结构、胶面剥离结构,所述主支撑架上方设置有所述横向支架,所述横向支架上方设置有所述伺服变频电机,所述伺服变频电机上方设置有所述电机减速箱,所述电机减速箱上方安装有印刷品传送带,所述印刷品传送带一侧安装有所述印刷品放置箱,所述印刷品放置箱一侧安装有所述表面印刷结构,所述表面印刷结构上方设置有油墨放置箱,所述油墨放置箱下方安装有油墨加压器,所述油墨加压器下方安装有高压喷头,所述高压喷头一侧安装有防溅射挡板。剥离液的的性价比、质量哪家比较好?
光刻胶又称光致抗蚀剂,主要由感光树脂、增感剂和溶剂三种成分组成。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经曝光、显影、刻蚀、扩散、离子注入、金属沉积等工艺将所需的微细图形从掩模版转移至加工的基板上、***通过去胶剥离液将未曝光部分余下的光刻胶清洗掉,从而完成整个图形转移过程。在液晶面板和amoled生产中***使用。现有的剥离液主要有两种,分别是水性剥离液和有机剥离液,由于有机剥离液只能用于具有mo/al/mo结构的制程中,无法用于ito/ag/ito;且乙醇胺的含量高达60%以上,有很强的腐蚀性,因此,常用的剥离液是水性剥离液,现有的水性剥离液主要成分为有机胺化合物、极性有机溶剂以及水,但现有的水性剥离液大都存在腐蚀金属配线、光刻胶残留、环境污染大、影响操作人员的安全性、剥离效果差等问题。 ITO剥离液的配方是什么?广州显示面板用剥离液厂家现货
友达光电用的哪家的剥离液?铜陵天马用的蚀刻液剥离液主要作用
本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种用于包括但不限于半导体生产工艺中光刻胶去除步骤的光刻胶剥离去除方法。背景技术:光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的也称为光致抗蚀剂、光阻等,其作用是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶广泛应用于集成电路(ic)、封装(packaging)、微机电系统(mems)、光电子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板显示其(led、lcd、oled)和太阳能光伏(solarpv)等领域。在半导体制造领域,离子注入层光刻胶(参考图2)在经过高剂量或大分子量的源种注入后(参考图3),会在光刻胶的外层形成一层硬壳(参考图4)本发明命名为主要光刻胶层。现有的离子注入层光刻胶在经过氧气灰化干法剥离时,由于等离子氧与光刻胶反应速率很高,会有一部分等离子氧先穿透主要光刻胶层到达第二光刻胶层,在与第二光刻胶层反应后在内部产生大量气体,第二层光刻胶膨胀(参考图5),主要光刻胶层终因承受不住内层巨大的气压而爆裂,爆裂的光刻胶有一定的概率掉落在临近的光刻胶上(参考图6),导致此交叠的光刻胶不能法剥离干净。在经过后续批作业的湿法剥离后会产生残余物。铜陵天马用的蚀刻液剥离液主要作用