腔室10及过滤器30可以采用与现有技术相同的设计。处于剥离制程中的玻璃基板,按照玻璃基板传送方向从当前腔室101开始逐级由各腔室10向玻璃基板供给剥离液以进行剥离制程。剥离液从当前腔室101进入相应的存储箱20,在剥离液的水平面超过预设高度后流入过滤器30,再经过过滤器30的过滤将过滤后的剥离液传送至下一级腔室102内。其中,薄膜碎屑70一般为金属碎屑或ito碎屑。其中,如图2所示,图2为本申请实施例提供的剥离液机台100的第二种结构示意图。阀门开关60设置在***管道40及第二管道50上。在过滤器30被阻塞时,关闭位于过滤器30两侧的***管道40及第二管道50上的阀门开关60,可以保证当前级腔室101对应的存储箱20内剥离液不会流出,同时下一级腔室102内的剥离液也不会流出。在一些实施例中,请参阅图3,图3为本申请实施例提供的剥离液机台100的第三种结构示意图。过滤器30包括多个并列排布的子过滤器301,所述***管道40包括多个***子管道401,每一所述***子管道401与一子过滤器301连通,且所述多个***子管道401与当前级腔室101对应的存储箱20连通。在一些实施例中,第二管道50包括公共子管道501及多个第二子管道502,每一所述第二子管道502与一子过滤器301连通。ITO剥离液的配方是什么?苏州天马用的蚀刻液剥离液生产
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所述胶面剥离结构8上方安装有收卷调速器801,所述收卷调速器801一侧安装有收卷驱动电机802,所述收卷驱动电机802一侧安装有辊固定架803,所述辊固定架803一侧安装有胶水盛放箱804,所述胶水盛放箱804下方安装有点胶头805,所述点胶头805下方安装有卷边辊806,所述卷边辊806一侧安装有胶面收卷辊807,所述胶面剥离结构8一侧安装有电加热箱9,所述电加热箱9下方安装有热风喷头10,所述热风喷头10下方安装有干燥度感应器11,所述干燥度感应器11下方安装有电气控制箱12,所述电气控制箱12上方安装有液晶操作面板13。本实施例中,所述主支撑架1与所述横向支架2通过螺栓连接,所述伺服变频电机3与所述电机减速箱4通过导线连接。本实施例中,所述印刷品传送带5与所述印刷品放置箱6通过皮带连接,所述电加热箱9与所述胶面剥离结构8通过导线连接。本实施例中,所述油墨放置箱701与所述油墨加压器702通过管道连接,所述油墨加压器702与所述高压喷头703通过管道连接,所述印刷辊705共有两个,对称设置,所述防溅射挡板704与所述油墨放置箱701焊接。本实施例中,所述收卷调速器801与所述收卷驱动电机802通过导线连接,所述辊固定架803与所述胶面收卷辊807通过轴连接。
光刻胶又称光致抗蚀剂,主要由感光树脂、增感剂和溶剂三种成分组成。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经曝光、显影、刻蚀、扩散、离子注入、金属沉积等工艺将所需的微细图形从掩模版转移至加工的基板上、***通过去胶剥离液将未曝光部分余下的光刻胶清洗掉,从而完成整个图形转移过程。在液晶面板和amoled生产中***使用。现有的剥离液主要有两种,分别是水性剥离液和有机剥离液,由于有机剥离液只能用于具有mo/al/mo结构的制程中,无法用于ito/ag/ito;且乙醇胺的含量高达60%以上,有很强的腐蚀性,因此,常用的剥离液是水性剥离液,现有的水性剥离液主要成分为有机胺化合物、极性有机溶剂以及水,但现有的水性剥离液大都存在腐蚀金属配线、光刻胶残留、环境污染大、影响操作人员的安全性、剥离效果差等问题。苏州口碑好的剥离液公司。
本发明涉及能够从施加有抗蚀剂的基材剥离抗蚀剂的抗蚀剂的剥离液。背景技术::印刷布线板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蚀剂等抗蚀剂的剥离液中,伴随微细布线化而使用胺系的剥离液。然而,以往的胺系的抗蚀剂的剥离液有废液处理性难、海外的法规制度的问题,而避免其使用。近年来,为了避免胺系的抗蚀剂的剥离液的问题点,还报道了一种含有氢氧化钠和溶纤剂的剥离液(专利文献1),由于剥离时的抗蚀剂没有微细地粉碎,因此存在近年的微细的布线间的抗蚀剂难以除去的问题点。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2002-323776号公报技术实现要素:发明要解决的问题因此,本发明的课题在于,提供容易除去微细的布线间的抗蚀剂的技术。用于解决问题的手段本发明人等为了解决上述课题而深入研究的结果发现,含有钾盐和溶纤剂的溶液与专利文献1那样的含有氢氧化钠和溶纤剂的溶液相比,即使是非常微细的布线间的抗蚀剂也能细小地粉碎,从而完成本发明。即,本发明涉及一种抗蚀剂的剥离液,其特征在于,含有钾盐和溶纤剂。另外,本发明涉及一种抗蚀剂的除去方法,其特征在于,用上述抗蚀剂的剥离液处理施加有抗蚀剂的基材。此外,本发明涉及一种抗蚀剂的剥离液套件。华星光电用的哪家的剥离液?嘉兴配方剥离液价格
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随着电子元器件制作要求的提高,相关行业应用对湿电子化学品纯度的要求也 不断提高。为了适应电子信息产业微处理工艺技术水平不断提高的趋势,并规范世 界超净高纯试剂的标准,国际半导体设备与材料组织(SEMI)将湿电子化学品按金 属杂质、控制粒径、颗粒个数和应用范围等指标制定国际等级分类标准。湿电子化 学品在各应用领域的产品标准有所不同,光伏太阳能电池领域一般只需要 G1 级水平;平板显示和 LED 领域对湿电子化学品的等级要求为 G2、G3 水平;半导体领域中, 集成电路用湿电子化学品的纯度要求较高,基本集中在 G3、G4 水平,分立器件对 湿电子化学品纯度的要求低于集成电路,基本集中在 G2 级水平。一般认为,产生集 成电路断丝、短路等物理性故障的杂质分子大小为**小线宽的 1/10。因此随着集成 电路电线宽的尺寸减少,对工艺中所需的湿电子化学品纯度的要求也不断提高。从 技术趋势上看,满足纳米级集成电路加工需求是超净高纯试剂今后发展方向之一。苏州天马用的蚀刻液剥离液生产
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