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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
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三极管




三极管在电路中通常用于信号的放大、开关等。在数据手册上通常标有三个反向击穿电压数值:


(1)Vceo:在集极开路的情况下,集电极和发射极之间的击穿电压;


(2)Vcbo:  在发射极开路的情况下,集电极和基极之间的击穿电压;


(3)Vebo: 在集电极开路的情况下,发射极与基极之间的击穿电压;


三极管的三个反向击穿电压


虽然在形式上,三极管看似为两个反向的二极管串联,但在工艺上,三极管的发射集区、基极区、集电极区半导体性质和掺杂浓度不同,使得上面三个反向击穿电压不同,通常情况下它们之间的关系为:


Vcbo>Vceo>>Vebo


其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属绝缘体半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。气体管哪种好

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半导体二极管


1、英文缩写:D (Diode),电路符号是



2、半导体二极管的分类


分类:a 按材质分:硅二极管和锗二极管;


b按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管。


3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的半导体二极管。


4、半导体二极管的导通电压是:


a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.


B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.


5、半导体二极管主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。


6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。


三极管制造商塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。

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三极管各区的工作条件:


1.放大区:发射结正偏,集电结反偏:


2.饱和区:发射结正偏,集电结正偏;


3.截止区:发射结反偏,集电结反偏。


11、半导体三极管的好坏检测


a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位


b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:


红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.


c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:


(四)发光二极管的检测


 1.性能好坏的判断


  用万用表R×10k档,测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔接正极时)约为10~20kΩ,反向电阻值为250kΩ~∞(无穷大)。较高灵敏度的发光二极管,在测量正向电阻值时,管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值,则会发现其正、反向电阻值均接近∞(无穷大),这是因为发光二极管的正向压降大于(高于万用表R×1k档内电池的电压值)的缘故。


  用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电(黑表笔接电容器正极,红表笔接电容器负极),再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极,若发光二极管有很亮的闪光,则说明该发光二极管完好。


  也可用3V直流电源,在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极,将电源的负极接发光二极管的负极(见图4-74),正常的发光二极管应发光。或将1节电池串接在万用表的黑表笔(将万用表置于R×10或R×100档,黑表笔接电池负极,等于与表内的电池串联),将电池的正极接发光二极管的正极,红表笔接发光二极管的负极,正常的发光二极管应发光。



变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被***地用于参量放大器.

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MOS管


现在用于高电压、大电流下基本上都使用MOS管。由于工艺和材料的差异,N沟道的MOS管可以做到耐压高、导通电流大。


IXFK38N80是一款大功率MOS管,称为HiPerFET Power MOSFETS。数据手册给定的参数为:击穿电压Vds = 800V,工作电流:38A。



下图是测量该MOS管击穿电压与电流曲线,它的击穿电压与手册规定的数值基本一致。


IXFK38N80击穿电压电流曲线


通常情况下,MOS管耐压越高,导通电阻就越大,使得MOS的功耗增加。将MOS管与双极性三极管符合,就形成IGBT功率管,它可以在高耐压和低导通电阻两方面做到兼容。


G40N60是手边的一款IGBT,手册给出的击穿电压为。600V 。下图给出的击穿电压电流曲线显示实际的击穿电压在750V左右。


G40N60击穿电压电流曲线


IGBT中由于存在双极性三极管,它是利用少数载流子完成电流导通,所以IGBT的截止时间较长,无法工作在高频电路中。


近年来逐步推广的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的频率低的问题,在高电压、低电阻、高频率各方面都具有优势。


C2M008012是一款碳化硅MOS管,在《碳化硅MOS管》介绍过它的原理和特性。


C2M008012碳化硅MOS管



但是在前面推文中对它的击穿电压电流曲线测量存在问题,主要是当时所使用的高压电源功率太小造成的。



快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压。江苏三极管

若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。气体管哪种好


肖特基二极管SBD (Schottky Barrier Diode)        它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响*为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。


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深圳市凯轩业科技有限公司位于广东省深圳市,创立于2015-10-12。公司自成立以来,以质量为发展,让匠心弥散在每个细节,公司旗下[ "二三极管", "晶体管", "保险丝", "电阻电容" ]深受客户的喜爱。公司将不断增强企业核心竞争力,努力学习行业先进知识,遵守行业规范,植根于电子元器件行业的发展。在社会各界的鼎力支持下,经过公司所有人员的努力,公司自2015-10-12成立以来,年营业额达到200-300万元。

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