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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
管企业商机

MOS管


MOS管是电压控制型器件,栅极(G)的电压控制源极(S)和漏极(D)之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。


NMOS管的原理图示如下


它们好像是一个受外界磁力控制的开关,当外面有红色磁体时,好像栅极(G)加压,内部的黄色阀门就开启,绿色的电子好像水流一样就会从源极(S)流到漏极(D)。


刚开始水流随着阀门的开启增大而增大,这就是线性工作区。当阀门开到一定程度,水流不会再增大了,因为管子满了。这就是饱和区工作状态。


在这里的电阻主要起到两个作用:一个是提供稳压二极管的工作电流,另一个是限制稳压二极管的比较大电流。S9013三极管哪个厂家质量好

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10、半导体二极管的伏安特性:二极管的基本特性是单向导电性(注:硅管的导通电压为0.6-0.8V;锗管的导通电压为0.2-0.3V),而工程分析时通常采用的是0.7V.


11、半导体二极管的伏安特性曲线:(通过二极管的电流I与其两端电压U的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。)见图三.



图三 硅和锗管的伏安特性曲线


12、半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。


可控硅管现货塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。

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在三极管be之间增加偏置电阻,测量Vce击穿电压




下图中给出了Rbe分别去2k,51k,100k的情况下,C、E的电压电流曲线。可以看到C、E的击穿电压位于Vceo与Vcbo之间。




所以在正常设计三极管电路的时候,需要根据等效的Rbe数值来对三极管的耐压余量进行选择。




在不同的Rbe的阻值下,Vce的击穿电压曲线




由于三极管的发射区掺杂浓度很高,B、E之间的反向击穿电压往往小于10V。




因此,在使用三极管的时候,如果错把集电极和发射极弄混,除了会引起电流放大倍数的下降之外,因为Vebo,Vceo的差异,电路中的三极管的也会被击穿。




和二极管一样,半导体器件的参数往往离散型很大。下面是两个不同批次的S8050的Vceb的耐压曲线。反向击穿电压相差30%左右。


两个不同批次的S8050Vceo的电压



稳压二极管与普通整流二极管的区分    *


  首先利用万用表R×1K挡,按把被测管的正、负电极判断出来。然后将万用表拨至R×10K挡上,黑表笔接被测管的负极,肖特基二极管接法,红表笔接被测管的正极,若此时测得的反向电阻值比用R×1K挡测量的反向电阻小很多,说明被测管为稳压管;反之,如果测得的反向电阻值仍很大,说明该管为整流二极管或检波二极管。


稳压二极管

   不重复大浪涌电流


  1N4007的定义:毫秒30A


  MDD95的定义:10毫秒2800A,毫秒3300A


  二者定义的电流都是有效值。从MDD95的定义可以看出,肖特基二极管厂商,时间越短,允许浪涌电流越大。这是普遍规律。


按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

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8550参数是一款PNP型的三极管,它的数据手册给出的各极性击穿电压为:


Vcbo:40V;Vceo:25V;Vbeo:5V。下面是它对应的击穿电压曲线。对应的实测电压都比数据手册上大了一倍左右。




8550的不同极之间的击穿电压曲线




C1815是一款NPN型双极型三极管,数据手册给出的耐压数据为:Vcbo:60V; Vceo:50V;Vebo: 5V。下面是对应的测量耐压曲线。




C1815各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线




2SC2383是NPN型**率双极性三极管。数据手册给出的耐压极限数据为:


Vcbo:160V;Vceo: 160V;Vebo:160V。下面是相应的反向击穿电压测量曲线:




2SC2383各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线




如果三极管的耐压不够,往往不能够通过三极管的串联来提高它的耐压等级。这主要是因为三极管是受控器件,串联之后的三极管在施加控制信号方面相对比较困难。



根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管.S9013三极管哪个厂家质量好

也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接。S9013三极管哪个厂家质量好

二极管、三极管、场效应管都是半导体器件,在电子电路中担任着十分重要的作用,现在我来和朋友们聊聊它们之间的联系和区别吧。

场效应管(MOS管)

我先说说MOS(场效应管)管,MOS管在半导体基片的两侧也是有两个PN结。从P型(或者N型)半导体上面引出一个电极并将这个电极连接起来作为MOS管的栅极(G)。然后在基片的两端再引出两个电极分别称为源极(S)和漏极(D)。如下图所表示的那样。从图中我们可以知道,栅极(G)和源极(S)和漏极(D)是不导电的,所以我们给它起个名字就叫绝缘栅型场效应管,这个器件的名字就是这样的来的。



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深圳市凯轩业科技有限公司位于广东省深圳市,创立于2015-10-12。公司自成立以来,以质量为发展,让匠心弥散在每个细节,公司旗下[ "二三极管", "晶体管", "保险丝", "电阻电容" ]深受客户的喜爱。公司将不断增强企业核心竞争力,努力学习行业先进知识,遵守行业规范,植根于电子元器件行业的发展。在社会各界的鼎力支持下,经过公司所有人员的努力,公司自2015-10-12成立以来,年营业额达到200-300万元。

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