20世纪初，科学家对半导体材料进行了大量的研究。当时所用样品材料多为硫化物、氧化物，并制成了氧化亚铜（Cu2O）整流器、硒（Se）光电池等。 [44]固体量子理论的发展，使人们对半导体中的电子态不论是作光导二极管、检波器，还是作整流器，在这个阶段，所用的半导体材料都是从自然界直接采集的，或者取自工业上的通用产品，均未经专门的提纯与晶体制备过程。 [20]1931年，兰治和伯格曼研制成功硒光伏电池。1932年，德国先后研制成功硫化铅、硒化铅和碲化铅等半导体红外探测器，在二战中用于***飞机和船舰。二战时盟军在半导体方面的研究也取得了很大成效，英国就利用红外探测器多次***到了德国的飞机。 [19]将电路图案从光刻掩模版转移到晶圆表面，是光刻工艺的核材料。宝山区本地半导体耗材检测
半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。 [30]在四价本征半导体（如硅）中掺入五价杂质（如砷）形成的杂质半导体称为电子型半导体，或N型半导体。掺入的五价砷原子将在晶体中替代硅的位置，构成与硅相同的四电子结构，结果就多出一个电子在杂质离子的电场范围内运动。量子力学的计算表明，这个杂质的能级是在禁带中，且靠近导带，能量差远小于禁带宽度。闵行区本地半导体耗材检测靶材纯度和结晶结构影响薄膜质量，进而影响芯片电学性能。
光学特性在大多数情况下，半导体的光学跃迁发生在带边，即光学跃迁通常发生在价带顶和导带底附近。因此半导体能带结构常用简化能带模型来表示，这种能带结构叫作直接带结构。Ⅲ-VI族化合物中的GaN、GaAs、GaSb和InP等都是直接带结构半导体，在这类半导体中发生的光学跃迁为直接跃迁；另外，半导体价带顶的能量位置与导带底的位置不同，如价带顶处于布里渊区中心点的位置，而导带底处于布里渊区的其他位置，这种能带结构叫作间接带结构。
电子在电子学中，用得**多的半导体是硅和锗。它们都是4价元素。外层电子受原子核的束缚力**小，称为价电子。物质的化学性质是由**外层的价电子数决定的，半导体的导电性质也与价电子有关。由于原子之间靠得很近，这样，每个价电子个别的轨道就变成两个相邻原子之间两个价电子的公共的轨道，形成了晶体***价键结构。共价键内的两个电子称为束缚电子。一般情况下，无外界激发，硅和锗晶体中没有自由电子存在，只有在外界激发的情况，少数电子获得一定的动能才能挣脱共价键的束缚成为自由电子。 [22]提供绝缘环境、保护芯片、实现电气连接，确保封装元件的安全性和可靠性。
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温度特性本征半导体电阻率具有负的温度系数，即随着温度升高，电阻率下降。杂质半导体的电阻率温度系数可正可负，源于周期性势场的偏移对载流子的散射作用。例如，掺杂硅在温度极低时，本征激发可忽略，载流子由杂质电离提供，因此电阻率随温度升高而下降;在室温时杂质全部电离，本征激发也不***，随着温度升高，晶格振动更加剧烈，导致迁移率降低，因此电阻率随温度升高而增大。 [32]掺杂特性半导体材料导电性能可通过掺杂来改变，掺杂进入本质半导体的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电特性产生很大影响。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。掺入受主杂质的半导体，属空穴型导电，称P型半导体。宝山区本地半导体耗材检测
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