功能：构建设备框架、晶圆反应环境，保障反应良率。典型产品：反应腔、传输腔、匀气盘、静电吸盘（ESC）、陶瓷轴承等。技术难点：高精度加工（如表面粗糙度≤0.1μm）、耐腐蚀材料（如氧化铝陶瓷）、真空环境密封性。国产化进展：富创精密、江丰电子等实现腔体、靶材等国产替代，但**静电吸盘仍依赖日本京瓷、美国CoorsTek。电气类（占比10%-20%）功能：控制工艺制程（如射频电源驱动等离子体）。典型产品：射频电源、射频匹配器、远程等离子源。典型产品：反应腔、传输腔、匀气盘、静电吸盘（ESC）、陶瓷轴承等。黄浦区节能半导体设备零部件制定
半导体技术的演进，除了改善性能如速度、能量的消耗与可靠性外，另一重点就是降**作成本。降低成本的方式，除了改良制作方法，包括制作流程与采用的设备外，如果能在硅芯片的单位面积内产出更多的 IC，成本也会下降。所以半导体技术的一个非常重要的发展趋势，就是把晶体管微小化。当然组件的微小化会伴随着性能的改变，但很幸运的，这种演进会使 IC 大部分的特性变好，只有少数变差，而这些就需要利用其它技术来弥补了。半导体制程有点像是盖房子，分成很多层，由下而上逐层依蓝图布局迭积而成，每一层各有不同的材料与功能。随黄浦区节能半导体设备零部件制定高国产化率：机械类（如腔体、靶材）、部分气体管路。
半导体零部件是指在电子设备中使用的半导体材料制成的各种组件。这些零部件在现代电子技术中发挥着至关重要的作用，广泛应用于计算机、手机、家电、汽车等各种电子产品中。常见的半导体零部件包括：二极管：用于整流、信号调制等功能。晶体管：用于放大和开关电路，是现代电子设备的基本构件。集成电路（IC）：将多个电子元件集成在一个小型芯片上，广泛应用于各种电子设备中。光电二极管和光电晶体管：用于光信号的检测和转换。场效应晶体管（FET）：用于开关和放大电路，具有高输入阻抗。
原子层刻蚀（ALE）是一种先进的刻蚀技术，通过将反应气体注入和离子轰击步骤分离并周期循环，能够以原子层级的精度（约0.4纳米）控制刻蚀深度，具有极低的材料损伤率 [17] [25]。ALE设备通常可在同一腔体内集成ICP、RIE、DRIE等多种功能，适用于先进逻辑制程及硅化合物、金属等多种材料的精密加工 [17]。中国厂商在刻蚀**技术领域取得***突破。中微公司**了单反应台可**/同时操作的双反应台刻蚀反应器技术。其ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，实现了反应台间0.2Å（亚埃级）的刻蚀精度，两个反应台刻蚀速度差异可控制在≤0.09%。科益虹源研发193nm DUV光源，茂莱光学透镜通过ASML供应商认证，但EUV光学仍由蔡司、Cymer垄断。
就中国本土市场而言，刻蚀设备国产化率约在20%左右。中国国内企业中微公司、北方华创和屹唐半导体合计占据2.36%的市场份额 [14]。中微公司是中国半导体刻蚀、MOCVD设备的主要供应商之一。2024年，中微公司营业收入约90.65亿元，其中刻蚀设备收入约72.77亿元。在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸**刻蚀设备已应用于65纳米到5纳米及更先进制程的芯片生产线。公司的CCP刻蚀设备已在5纳米及更先进产线量产，ICP刻蚀设备已在超过20家客户产线量产 [7]。技术难点：测量稳定性（如±0.1%读数误差）、抗干扰能力。浦东新区新时代半导体设备零部件销售厂家
功能：监控流量、压力、温度等参数（如量测设备需亚纳米级精度）。黄浦区节能半导体设备零部件制定
纳米技术有很多种，基本上可以分成两类，一类是由下而上的方式或称为自组装的方式，另一类是由上而下所谓的微缩方式。前者以各种材料、化工等技术为主，后者以半导体技术为主。以前我们都称 IC 技术是「微电子」技术，那是因为晶体管的大小是在微米（10-6米）等级。但是半导体技术发展得非常快，每隔两年就会进步一个世代，尺寸会缩小成原来的一半，这就是有名的摩尔定律（Moore’s Law）。半导体开始进入次微米，即小于微米的时代，尔后更有深次微米，比微米小很多的时代。晶体管尺寸已突破100纳米门槛，正式进入纳米电子时代 [3]。黄浦区节能半导体设备零部件制定
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