按化学成分半导体材料按化学成分可分为元素半导体、化合物半导体和固溶半导体。 [28]元素半导体元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、硒的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。只有硅、锗性能好，运用的比较广，硒在电子照明和光电领域中应用。硅在半导体工业中运用的多，这主要受到二氧化硅的影响，能够在器件制作上形成掩膜，能够提高半导体器件的稳定性，利于自动化工业生产。 [2]化合物半导体化合物半导体指的是由两种或两种以上不同原子或分子组成的具有半导体性质的化合物半导体。化合物半导体又有无机化合物半导体和有机化合物半导体之分。 [27]半导体耗材是指在半导体制造和测试过程中所使用的各种材料和工具。普陀区常见半导体耗材制定
光学特性在大多数情况下，半导体的光学跃迁发生在带边，即光学跃迁通常发生在价带顶和导带底附近。因此半导体能带结构常用简化能带模型来表示，这种能带结构叫作直接带结构。Ⅲ-VI族化合物中的GaN、GaAs、GaSb和InP等都是直接带结构半导体，在这类半导体中发生的光学跃迁为直接跃迁；另外，半导体价带顶的能量位置与导带底的位置不同，如价带顶处于布里渊区中心点的位置，而导带底处于布里渊区的其他位置，这种能带结构叫作间接带结构。黄浦区个性化半导体耗材货源充足硅片：作为半导体器件的基础材料，通常为单晶硅片。
发展初期20世纪初的物理学**（相对论和量子力学）使得人们认识了微观世界（原子和分子）的性质，随后这些新的理论被成功地应用到新的领域（包括半导体），固体能带理论为半导体科技奠定了坚实的理论基础，而材料生长技术的进步为半导体科技奠定了物质基础（半导体材料要求非常纯净的基质材料，非常精细的掺杂水平）。 [11]1906年，邓伍迪发明了碳化硅检波器，从而开始了半导体在无线电方面的应用。接着发现硅、方铅矿、黄铜矿、蹄铅矿等都可作检波器。 [20]半导体这个名词大概到1911年被考尼白格和维斯***使用。 [3]
霍尔效应霍尔效应是电磁效应的一种。半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势。 [36]磁阻特性磁阻特性指的是其阻值R随磁感应强度B变化的特性。磁阻温度系数是指温度每变化1℃，磁敏电阻的相对变化量。磁阻元件一般都是用半导体InSb制作，其磁阻受温度影响较大。为了改善磁阻温度特性，方法之一是在InSb晶体中掺入一定量的锑化镍NiSb，形成InSb一NiSb共晶磁阻元件，但掺杂后将导致磁阻灵敏度下降；方法之二是采用两个磁阻元件串联，组成差动式输出这种方法不但具有温度补偿功能，而且使灵敏度得到提高。性能直接影响芯片线宽和分辨率，决定芯片集成度和性能。
20世纪初，科学家对半导体材料进行了大量的研究。当时所用样品材料多为硫化物、氧化物，并制成了氧化亚铜（Cu2O）整流器、硒（Se）光电池等。 [44]固体量子理论的发展，使人们对半导体中的电子态不论是作光导二极管、检波器，还是作整流器，在这个阶段，所用的半导体材料都是从自然界直接采集的，或者取自工业上的通用产品，均未经专门的提纯与晶体制备过程。 [20]1931年，兰治和伯格曼研制成功硒光伏电池。1932年，德国先后研制成功硫化铅、硒化铅和碲化铅等半导体红外探测器，在二战中用于***飞机和船舰。二战时盟军在半导体方面的研究也取得了很大成效，英国就利用红外探测器多次***到了德国的飞机。 [19]江丰电子、有研新材等企业已实现靶材量产，但部分特殊材料仍依赖进口。普陀区常见半导体耗材制定
掺杂材料：用于改变硅片的电导率，如磷、硼等掺杂剂。普陀区常见半导体耗材制定
政策支持：国家大基金二期、科创板等为半导体材料企业提供资金支持。企业突破：国内企业在光刻胶、电子特气、CMP抛光材料等领域已实现技术突破，部分产品达到国际先进水平。市场需求：国内晶圆厂扩产带动本土耗材需求，降低对进口依赖。三、国产替代进展与挑战进展光刻胶：南大光电ArF光刻胶通过中芯国际验证，彤程新材KrF光刻胶市占率国内**。电子特气：华特气体成为英特尔、台积电供应商，金宏气体高纯氨产能国内***。CMP抛光材料：安集科技抛光液市占率超30%，鼎龙股份抛光垫进入长江存储供应链。普陀区常见半导体耗材制定
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