据业绩快报显示，中微公司2024年营业收入约90.65亿元，刻蚀设备收入约72.77亿元 [7]。目前全球刻蚀机市场大多被海外巨头占据，中国国内企业中微公司，北方华创和屹唐半导体合计占据2.36%的市场份额 [14]，占据**地位的中国企业包括中微公司、北方华创、屹唐股份，占比分别为1.37%、0.89%和0.1% [25]，国产刻蚀机的国产化率已逐渐至20%左右 [14]。刻蚀是半导体制造中的关键工艺，指通过化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，从而形成所需的微观电路结构 [21] [27]。全球半导体设备零部件市场规模超400亿美元，中国市场规模约125亿美元，且随晶圆厂扩产持续扩张。上海常规半导体设备零部件检测
2025年2月23日，据韩联社报道，一项调查显示，截至去年，韩国半导体技术在几乎所有关键领域都落后于中国，这与之前的评估结果不同。根据韩国科学技术企划评价院对39名当地**进行的调查，韩国在高集成度、低阻抗存储技术方面排名第二，得分为90.9%，而中国为94.1%，世界比较高技术水平的基准为100%。调查显示，在高性能、低功耗人工智能（AI）半导体领域，韩国的得分为84.1%，落后于中国的88.3%。在功率半导体方面，韩国为67.5%，中国为79.8%；新一代高性能传感技术方面，韩中两国分别为81.3%和83.9%；半导体先进封装技术方面，两国均为74.2%。 [1]2月25日消息，三星将使用长江存储**技术，系历史*** [2]上海常规半导体设备零部件检测光电二极管和光电晶体管：用于光信号的检测和转换。
如果把计算机打开，除了一些线路外，还会看到好几个线路板，每个板子上都有一些大小与形状不同的黑色小方块，周围是金属接脚，这就是封装好的 IC。如果把包覆的黑色封装除去，可以看到里面有个灰色的小薄片，这就是 IC。如果再放大来看，这些 IC 里面布满了密密麻麻的小组件，彼此由金属导线连接起来。除了少数是电容或电阻等被动组件外，大都是晶体管，这些晶体管由硅或其氧化物、氮化物与其它相关材料所组成。整颗 IC 的功能决定于这些晶体管的特性与彼此间连结的方式。
刻蚀机是半导体制造中的关键设备，用于通过化学或物理方法选择性去除晶圆表面材料以形成微观电路图形 [27]。其主要类型包括基于Bosch工艺的深硅刻蚀机（DRIE），用于高深宽比硅结构刻蚀 [1-2] [11]，以及各向异性强的反应离子刻蚀机（RIE） [9] [13]。刻蚀技术主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀，其中干法刻蚀占据市场主流。干法刻蚀根据等离子体产生方式主要分为电容耦合等离子体刻蚀机（CCP）和电感耦合等离子体刻蚀机（ICP） [14] [25]，原子层刻蚀（ALE）是面向先进制程的新兴技术 [17] [25]。该设备广泛应用于集成电路、微电子机械系统（MEMS）、先进封装（如TSV）、3D NAND存储芯片、功率器件、图像传感器等多个领域 [14] [16] [19] [26]。全球市场高度集中，主要由泛林集团、东京电子和应用材料主导。国内企业中微公司、北方华创、屹唐股份和鲁汶仪器等已在部分领域实现技术突破，国产化率约20% [14] [20] [25]。传输系统（Transport Systems）：用于在生产线中移动硅片和其他材料的自动化系统。
21世纪初及以前，中国半导体行业所需设备几乎全部依赖进口，近20年来中国半导体行业的强劲发展不*没有拉动中国半导体装备的发展，反而由于引进的冲击使中国的半导体设备行业濒临全军覆没 [8]，2022年中国从日本进口的刻蚀机占刻蚀进口总额的89% [24]。国家重大科技专项的实施，**增强了中国半导体装备产业的整体竞争能力，北方微电子是国内***家将半导体**工艺设备进入主流生产线的本土设备企业 [8]。2006年，中微公司研发的***代双反应台电容耦合CCP刻蚀设备Primo D-RIE®在国际先进的逻辑客户的产线上成功得到核准，随之取得重复订单 [7]。中微公司成立于2004年，公司开发的12英寸**刻蚀设备已运用在国际国内**客户65nm到5nm及下一代更先进的芯片生产线上，北方华创于2005年推出我国***台自主研发的干法刻蚀设备 [25]。技术难点：测量稳定性（如±0.1%读数误差）、抗干扰能力。上海常规半导体设备零部件检测
新莱应材突破高纯气体管路，汉钟精机干泵进入中微公司供应链，但真空阀仍依赖瑞士VAT。上海常规半导体设备零部件检测
刻蚀机在集成电路制造中用于刻蚀晶体管的栅极、源极和漏极等结构 [27]。在存储器制造中，如3D NAND，刻蚀机用于形成存储单元的高深宽比结构 [16] [25]。在先进封装领域，刻蚀机应用于硅通孔（TSV）、2.5D/3D封装等工艺 [19] [26]。刻蚀机还广泛应用于微机电系统（MEMS）、功率器件、图像传感器、LED、显示面板等领域 [14] [19] [26]。针对逻辑芯片、DRAM、3D NAND、3D IC等芯片技术提供刻蚀设备 [18]。刻蚀技术正向原子层刻蚀（ALE）等高精度方向发展，以实现原子级别的刻蚀控制，同时为应对3D NAND闪存等立体结构制造，高深宽比刻蚀技术（如纵横比超过50:1甚至向70:1发展）成为关键 [16-17]。上海常规半导体设备零部件检测
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